Полупроводниковый прибор
Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.
Похожие патенты:
Силовой германиевый диод // 135977
Твердый выпрямитель // 107170
Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики
Способ генерации гиперзвуковых волн // 1036214
Вертикальный биполярный транзистор // 1827144
Изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции вертикального биполярного транзистора с низким уровнем обратного тока
Полупроводниковый прибор // 1840207
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе полевого эффекта, таких как полевые транзисторы, МДП-варакторы, МДП-фотоприемники ИК-диапазона и ПЗС
Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению // 2638584
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной от 2 до 6 микрон, глубиной не менее толщины эпитаксиального слоя, стенки и дно которой покрыты слоем термического окисла кремния толщиной от 0,5 до 2 микрон, остальной объем канавки заполнен защитным наполнителем для повышения устойчивости к ионизирующему излучению. В результате такой конструкции периферии полупроводникового прибора ионизирующее излучение, попадающее в область периферии и за ее пределы под прямым углом, не изменяет электрические свойства полупроводникового прибора. Излучение, направленное под углом в сторону полупроводникового прибора, попадающее за пределами канавки, значительно ею ослабляется или отражается. Изобретение обеспечивает повышенную устойчивость полупроводниковых приборов к ионизирующему излучению. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
