Магниторезисторный датчик для считыванияцилиндрических магнитныхдоменов

 

Союз Советскими

Социалистических республик (n>830566 уФ"" (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 150879 (21) 2 814176/18-.2 4 с присоединением заявки йо 51 М g> 3 а 11 С 7/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15,05,81. Бюллетень Н9 18

Дата опубликования описания 150581 (53) УДК 681. 327, .66(088.8) (72) Авторы изобретения

Л.С.Ломов, Р.Д.Иванов, Д.Д.Спиваков и А. ф,»

» »

С т (71) Заявитель (54) МАГНИТОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнит- . ных доменах (ЦМД).

Известен магниторезисторный датчик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположена пластина из магниторезистивного материала, и токопроводящие шины (1).

Такие датчики изготавливаются из материала, отличного от материала аппликаций: .(обычно Ni — СО, à аппликации Fe — Ni), выполняются в отдельном технологическом цикле, и поэтому применение нх усложняет конструкцию ЦМД-устройств и удорожает производство.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является магниторезисторный дат ик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположена группа последовательно соединенных ферромагнитных аппликаций, например шевронной формы, н токопроводящие шины, соединенные с крайними ферромагнитными аппликациями группы.

Такой датчик изготавливается в од-, ном технологическом цикле с другими аппликациями и находится в одной плоскости с токовводами (2).

Однако движение растянутого ЦМД через такой датчик ограничено по магнитному смещению снизу из-за того, что растянутый ЦМД взаимодействует с токопроводящими шинами из магнитного материала, доменная граница цепляется за их края, Это существенно сужает область устойчивой работы такого датчика по магнитному полю смещения.

Цель изобретения — повышение надежности магниторезисторного датчика для считывания ЦМД, Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит изолирующий слой, расположенный между

2О магнитоодноосной пленкой и токопроводящими шинами.

На фиг. 1 показан магниторезисторный датчик, вид сверху (топология датчика); на фиг. 2 — разр з A-A на фиг, 1.

Магниторезисторный датчик для. считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с разделительным слоем 2, на которой расположена группа 3 последовательно соединенных

830566

Формула изобретения

Фиг.1

А — Я

ВНИИПИ Заказ 2897/32 Тираж 645 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.Проектная,4 ферромагнитных аппликаций 4, например шевронной формы, крайние из которых 5 и 6 соединены с,токопроводящими шинами 7 н 8, расположенными на изолирующем слое 9.

Датчик работает следующим образом.

ЦМД, двигаясь по структуре растяжения иэ шевронных аппликаций 10 в присутствии вращающегося в плоскости аппликаций магнитного поля Йу, подходят к магниторезисторному датчику, Шины 7 и 8 отстоят от поверхности пленки 1 дальше, чем шевронные аппликации 4, за счет слоя 9, Поэтому вертикальные составляющие магнитного поля рассеивания от намагниченности шин 7 и 8 меньше, чем от аппликаций, и захват шинами .домена не происходит. Поэтому нижняя граница области устойчивой работы по полю смещения датчика совпа 20 дает с нижней границей области устойчивой работы по полю смещения для структуры растяжения.

Слой 9 при изготовлении схем с магниторезисторными датчиками может д5 быть получен при формировании коммутационной разводки, т.е. для их изготовления не требуется проведение специальных операций.

Использование предлагаемого устройства позволяет расширить область работоспособности узла считывания в интегральных схемах на ЦМД и повысить его надежность.

Магниторезисторный датчик для считывания цилиндрических магн тных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположена группа последовательно соединенных ферромагнитных аппликаций, например шевронной формы, и токопроводящие шины, соединенные с крайними ферромагнитными аппликациями группй, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности магнитореэисторного датчика, он содержит изолирующий слой, расположенный между магнитоодноосной пленкой и токопроводящими шинами, .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент США Р 3713117,кл.340-174, опублик. 1973.

2.Патент США Р 4056814,кл. 340-174, опублик. 1978 (прототип).