Запоминающее устройство

 

О П И С А Н И Е (894791

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.04.80 (21) 2919508/18 24 с присоединением заявки J4— (28) Приоритет— (5l)M. Кл.

G 11 С 11/00

G 11 В 11/18 (Ъоудорстеенныб комнтет

СССР

IIo делам нзоеретеннй н открытнй

Опубликовано 30 12 81 Бюллетень № 48

Дата опубликования описания 30.12.81 (5З) уЛК 681327..6 (088.8) (72) Автор изобретения

В. А. Алехин

Московский институт радиотехники, электроники и,автоматттки (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах памяти и отображения информации.

Известно матричное рельефографическое устройство, содержащее две параллельные стеклянные пластины с двумя группами взаимно орто. гональных электродов строк и столбцов, и деформируемый слой, нанесенный на внутреннюю поверхность одной из пластин (1).

Недостатком устройства является низкая

t0 надежность, связанная с отсутствием запоминания записанной информации.

Известно устройство для деформографического преобразования изображений, содержащее фотополупроводниковый слой и деформируемый слой с гибким зеркальным электродом, разде3$ ленные непрозрачные диэлектрическими слоями.

Проецирование на фотополулроводниковый слой оптического изображения приводит к деформации зеркального электрода (21.

Недостатком устройства также является низкая надежность.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является запоминающее устройство для отображения информации, в котором прозрачная диэлектрическая пластина с электродами строк покрыта фотополупроводниковым слоем и имеется осветитель записи и стирания с блоком сканирования по фотополупроводниковому слою изображения столбца (3}.

Недостатком устройства является его сложность, вызванная наличием блока оптического сканирования, синхронизированного с поступь ницей информацией, и низкая надежность..

Цель изобретения — повышение надежности запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем устройстве, содержащем две параллельно установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных прозразных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управления, и фоточувствительный полупроводниковый слой, введены призма полного внутреннего

89479 отражения, изолирующий диэлектрический слой, J прозрачный электрод поддерживающего напряжения, оптический растр, выполненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45 к электродам строк, и третья шина управления, а электроды столбцов выполнены в виде полос проводящего материала, ортогональных электродам строк, с выступами в областях между электродами строк и параллельно им, нанесенных на изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов столбцов и изолирующий диэлектрический слой, нанесенный на прозрачные электроды строк, призма полного внутреннего отражения установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала на несены на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, фоточувствительный полупроводниковый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напряжения,,нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлектрической пластины и подключенный к третьей шине управления, а деформируемый слой оптически связан с фоточувствительным полупроводниковым слоем.

На фиг. 1 показана принципиальная схема запоминающего устройства; на фиг. 2 — пластина с электродами строк и столбцов; на

30 фиг. 3 — пластина с оптическим растром и фоточувствительным полупроводниковым слоем.

Запоминающее. устройство содержит призму 1 полного внутреннего отражения, прозрачную диэлектрическую пластину 2, прозрачные

35 электроды 3 строк, прозрачный диэлектрический слой 4, электроды 5 столбцов с выступами б, деформируемый слой 7. Вторая прозрачная диэлектрическая пластина 8 имеет прозрачный электрод 9, оптический растр 10, выпол40 ненный в виде решетки непрозрачных полос, фоточувствительный полупроводниковый слой

11; который одной стороной обращен к деформируемому слою 7. Над пластиной 8 расположен осветитель 12. Электроды столбцов подключены к источникам 13 напряжений развертки.

Электроды строк подключены к источникам

14 управляющих напряжений. Между прозрачным электродом 9 и общей точкой включен источник 15 переменного напряжения подлержки, который отключается ключом 16.

Устройство работает следующим образом.

Угол падения считывающего светового цогока 17 на деформируемый слой близок к предельному углу полного внутреннего отражения деформируемого слоя и несколько больше его. 55

6 отсутствие рельефа поверхности деформируемого слоя считывающий световой поток огра>кается от границы раздела деформируемого

4 записываемого столбца, вызывает деформацию . поверхности слоя 7, При этом нарушаются условия полного внутреннего отражения и часть считывающего потока освещает прилежащий участок поверхности фотополупроводникового слоя, увеличивая его проводимость, При этом возрастает действие поля источника переменного напряжения поддержки, что в свою очередь приводит к возрастанию деформаций. Возникшая таким образом электрооптическая положи тельная обратная связь поддерживает записанньй рельеф поверхности слоя 7 до момента снятия напряжения с источника 15. Причем, благодаря дополнительной модуляции проводимости фотополупроводникового слоя за счет освещения его с внешней стороны через оптический растр осветителем 12, рельеф деформируемого слоя становится периодическим и ориентирован параллельно оптическому растру.

Деформируемый слой может быть выполнен из гелеобразного материала и имеет толщину 30 — 50 мкм, Фотополупроводниковый слой (например, сернисто-кадмиевый) имеет толщину 30 — 50 мкм, Зазор между деформируемым слоем и фотопровоцниковым слоем составляет 20 — 30 мкм. Управляющие напряжения и напряжения развертки изменяются в пределах 0-150 В. Переменное напряжение поддерживания составляет 300 †4 В.

Таким образом в предлагаемом устройстве поступающие входные электрические сигналы запоминаются в виде рельефа деформируемого слоя на любое заданное время, чем существенно повышается надежность устройства.

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее две паралельно установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных прозрачных электродов. строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управления, деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управления, и фоточувствительный полупроводниковый слой, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в него введены призма полного внутреннего отражения, изолирующий диэлектрический слой, прозрачный электрод поддерживающего напряжения, оптический растр, выполненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45 к электродам строк, и третья шина управления, а электроды столбцов выполнены в виде полос проводящего материала, ортогональных электродам строк, с выступами в областях между электродами

894791 строк и параллельно им, нанес нных на изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов слоя и обращенная к деформируемому слою поверхность полупроводникового слоя остается неосвещенной. При этом электрическое поле от источника 15 является недостаточным для возникновения рельефа. Запись информации проводится по столбцам. Напряжение развертки

0 электрода записываемого столбца равно О, а в на электродах столбцов равно + 2/3 U. Для электродов строк, точки пересечения которых с записываемым столбцом соответствуют светлым участкам изображения, управляющие напряжения равны U. Для остальных строк управляющие напряжения равны 1/3 U. Выбор указанных значений напряжений снижает влияние перекрестных связей. В пределах записываемого элемента электрическое поле, действующее между электродом строки и выступами электродов щ столбцов и изолирующий диэлектрический слой, нанесенный на прозрачные электроды строк, призма полного внутреннего отражения установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала нанесены на прозрачный электрод поддерживающего напряжения. фоточувствительный полупроводниковый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напряжения, нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлектрической пластины и подключенный к третьей шине управления, а деформируемый слой оптически связан с фоточувствительным полупроводниковым слоем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизч

1. Авторское свидетельство СССР У 598101, кл. G 06 К 15/18, 1978.

2. Авторское свидетельство СССР И 641384, кл. G 02 F 1/19, 1979.

3. Авторское свидетельство СССР У 627529, кл. G 11 В 11/00, 1978 (прототип).

89479!

8ид4

Составитель В. Костин

Редактор В. Пилипенко Техред М. Надь Корректор Л. Шеньо

Заказ 11499/82 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открьпий

113035, Москва, Ж-ÇS, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r Ужгород, ул. Проектная, 4