Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

(72) Авторы изобретения

Л, И. Розенцвайг и Н. Н. Серяков (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам, применяемым в радиодеталестроении, а именно. к резистивным сплавам, используемым для изготовления металлопленочных резисторов.

Известны в радиодеталестроении сплавы, содержащие кремний, железо, хром, никель, 3 алюминий, вольфрам, применяемые как реэистивные материалы для тонкопленочных резисторов (1).

Недостаток сплава — недостаточная адгезия к подложке.

Наиболее близким по технической сущности является сплав (2), МЛТ No 11, который содержит следующие ингредиенты, вес.%:

Кремний 54 — 57,0

Хром 12,4 — 15,4

Алюминий 12,4 — 15,4

Вольфрам 14,7 — 18,7

Этот сплав имеет кристаллическую структуру, используется в виде порошка с размером зерна менее 125 мкм.

Пленки сплава МЛТ N 11 при толщинах в пределах 0,1 — 1 мкм позволяют получить Ro от 2000 до 20000 Ом при величине а„от

250 ° 10 KÃ go 400 10 К 1 рези

МЛТ, изготовленные с использованием данного сплава в соответствии с ГОСТ 7113 — 77 имеют ай: а) в области положительных температур

+ 1000 10- К- б) в области отрицательных температур

+ 1200 10 6К .

Недостатком известного материала является низкий выход годных изделий из-эа некачественной адгезии металлизированного слоя к керамической подложке, вследствие чего на поверхности керамики на технологических операциях появляются царапины, риски, потертости.

Цель изобретения — повышение термостабильности и улучшение адгеэии.

Поставленная цель достигается тем, что в сплав МЛТ Р 11, в состав которого входят кремний, хром, алюминий, вольфрам, дополнительно введены ванадий н титан, при следующих соотношениях ингредиентов, вес.%:

Кремний 52,5-55,5

Хром 11,5 — 14,5

Алюминий 8,5-11,5

894803

Формула изобретения

Составитель Н. Кондратов

Редактор В. Пилипенко Техред 3.Фанта Корректор Г. Назарова

Заказ 11501/83 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная. 4

Ванадий 4,5-7,5

Титан 2,5-3,5

Вольфрам Остальное

Для получения резистивного материала готовят шихту из компонентов следующего состава, %:

Кремний 54

Хром 12,8

Алюминий 9,7

Вольфрам 14,9

Ванадий 5,8

Титан 2,8

Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в кварцевом тигле.

Полученный слиток измельчают в щековой дробилке и механической ступке до состояния порошка с размером зерна меньше 125 мкм.

При проведении опытных работ по получению тонкопленочных резисторов с пленкой, полученной из данного порошка методом термического испарения в вакууме, получены следующие результаты:

1. Выход годных изделий увеличился на

15 — 17%.

2. Процент выхода по ся в диапазоне

+ 100 ° 10 К составляет 75% в диапазоне безнарезных i йоминалов 2 кОм — 45 кОм.

3, Диапазон аа но ГОСТ 7113 — 77 снижается с +1000 10 К до + 400 ° 10 бК .

Положительный эффект от использования предлагаемого резистивного материала состоит также в том, что его применение позволяет на существующем оборудовании наладить выпуск прецизионных резисторов, пользующихся значительным спросом.

Резистивный материал для металлопленочвых резисторов, содержащий кремний, хром, алюминий и вольфрам, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения термостабильности и улучшения адгезии, он дополнительно содержит ванадий и титан при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Кремний 52,5-55,5

Хром 11,5 — 14,5 зо

Алюминий 8,5 — 11,5

Ванадий 4,5-7,5

Титан 2,5-3,5

Вольфрам Остальное

Источники информации, 2S принятые во внимание при экспертизе

1. Справочник по электротехническим ма1териалам. Т. 3, Л., "Энергия", 1976, с. 387..

2. ГОСТ 7113 — 77 Сплав МЛТ вЂ” 11 (прототип).

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Резистор // 890451

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх