Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

Авторы патента:

C30B15/02 - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной стороны с лотком, а с другой - с осью, установленной в стенке камеры.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что объем питателя составляет 0,15 - 0,3 объема тигля.

Устройство для полунепрерывной // 231821

Способ и аппарат для получения искусственных монокристаллов // 50391

Способ выращивания монокристаллов трибората лития // 2112820

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста // 2189407

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского

Устройство для повторной загрузки материала в тигель // 2190047

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира // 2232832

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира

Способ получения монокристалла вольфрамата // 2241081

Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)

Способ получения монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2283905

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката (лангасита) методом Чохральского, используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах, а также разнообразных пьезоэлектрических и пьезорезонансных датчиков

Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката // 2287621

Изобретение относится к технологии получения кристаллов с триклинной сингонией

Способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей // 2315134

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники

Способ выращивания оптически прозрачных монокристаллов тербий-галлиевого граната // 2328560

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной, химической промышленности, в ювелирном деле