Полупроводники (C25D7/12)
C Химия; металлургия(326262)
C25 Электролитические способы; электрофорез; устройства для них (электродиализ, электроосмос, разделение жидкостей с помощью электричества B01D; обработка металла воздействием электрического тока высокой плотности B23H; обработка воды, промышленных и бытовых сточных вод или отстоя сточных вод электрохимическими способами C02F1/46; поверхностная обработка металлического материала или покрытия, включающая по крайней мере один способ, охватываемый классом C23 и по крайней мере другой способ, охватываемый этим классом, C23C28, C23F17; анодная или катодная защита C23F; электролитические способы получения монокристаллов C30B; металлизация текстильных изделий D06M11/83; декоративная обработка текстильных изделий местной
(12345)
C25D Нанесение покрытий электролитическим способом или способом электрофореза; гальванопластика (декоративная обработка текстильных изделий металлизацией D06Q1/04; печатные схемы, полученные осаждением металла H05K3/18); соединение рабочих частей электролизом; устройства для этих целей
(5313)
C25D7 Электролитическое нанесение покрытий, характеризуемое изделием, на которое наносится покрытие(239)
C25D7/12 Полупроводники(13)
Способ электрохимического осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки // 2711072
Изобретение относится к области технологий получения кремний-углеродных пленок, с помощью гальванических процессов, на диэлектрических материалах и может быть использовано для производства устройств газовой сенсорики, автоэмиссионных электродов и электродов суперконденсаторов.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в технологии тонкопленочной микроэлектроники для получения химически, механически, коррозионно- и термостойких покрытий с заданными электрическими и/или магнитными, и/или прочностными свойствами.
Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения // 2666180
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к изготовлению контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия электрохимическим осаждением рутения. Способ изготовления выпрямляющих контактов к арсениду галлия включает: локальную металлизацию поверхности n-GaAs электрохимическим осаждением рутения из сульфаматного электролита рутенирования на основе гидроксихлорида рутения, содержащего г/л: Ru(OH)Cl3 (в пересчете на металл) - 2,5-5, NH2SO3H - 25-50, при температуре 20-65°C, катодной плотности тока 1,0-5,0 А/дм2, без или с наложением ультразвукового поля.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для осаждения декоративных и технически функциональных покрытий на магнетит (Fe3O4). Способ включает восстановление поверхности магнетита до металла и нанесение металлопокрытия, при этом восстановление осуществляют катодной поляризацией магнетита в 1–3 М водном растворе NaOH или КОН при температуре раствора t = 90-98 °С, плотности тока iк = 100-300 А/м2 в течение τ = 10 - 30 мин.
Изобретение относится к композициям для электролитического осаждения меди на полупроводниковую подложку. Композиция содержит источник металлических ионов и по меньшей мере одну добавку, содержащую по меньшей мере один полиаминоамид формулы I или производные полиаминоамида формулы I, получаемые путем полного или частичного протонирования, N-кватернизации или ацилирования.
Изобретение относится к композиции для электроосаждения меди, используемой в процессе производства полупроводников, для заполнения небольших элементов, таких как сквозные отверстия и желобки. Композиция содержит источник ионов меди, по меньшей мере одну добавку, содержащую полиалкилениминовую основную цепь, где указанная полиалкилениминовая основная цепь имеет молекулярную массу Mw от 500 до 100000 г/моль, где N атомы водорода в основной цепи замещены полиоксиалкиленовым радикалом и где среднее количество оксиалкиленовых единиц в указанном полиоксиалкиленовом радикале составляет от 1,5 до 10 на N-H единицу, один или более усиливающих агентов, один или более подавляющих агентов и источник ионов галогенидов.
Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, содержащий источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, полученный путем реакции аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%.
Изобретение относится к нанесению металлических слоев покрытия и может быть использовано при изготовлении полупроводников. Предложен состав для нанесения металлического слоя, который содержит источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, который получают путем реакции аминного соединения, содержащего активные функциональные аминогруппы, со смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из С3 и С4 алкиленоксидов, для получения случайных сополимеров этиленоксида и по меньшей мере еще одного из С3 и С4 алкиленоксидов, причем указанный подавляющий агент имеет молекулярную массу 6000 г/моль или более, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%.
Электролит для электрохимического осаждения иридия на арсенид галлия и способ его приготовления // 2530963
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в полупроводниковой СВЧ-электронике для получения выпрямляющих иридиевых контактов к арсениду галлия. Кроме того, иридиевые покрытия пригодны для защиты электрических контактов, работающих в условиях эрозионного износа, для защиты металлов от коррозии, в том числе при повышенной температуре.
Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления полупроводников. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, включает: а) контактирование с подложкой электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы I
где каждый радикал R1 независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер, каждый радикал R2 независимо выбирается из R1 или алкила, Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z)m, где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена, n представляет собой целое число, больше или равное 0, m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10, а содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%, и b) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента субмикронного размера.
Электролит и способ осаждения меди на тонкий проводящий подслой на поверхности кремниевых пластин // 2510631
Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в технологии микроэлектроники, в которой слой меди необходимо нанести на тонкий подслой кобальта или его сплавов (кобальт-фосфор, кобальт-вольфрам-фосфор) или меди, находящейся на поверхности кремниевых пластин.
Способ палладирования карбида кремния // 139175
Изобретение относится к тезшологии получения невыпряшшющюс (омических^контактов на полупроводниковых материалах.Известные способы получения таких контактов требовали после.щгющей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.Описываемый способ золочения карбида кремния IL - типа позволяет получать невыпрямлящие (омические) контакты к этому полупрово.днику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление.
