Выращивание монокристаллов и направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов и очистка материалов зонной плавкой и получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой и последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и (C30B)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);(2110)
C30B15 - Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу чохральского (под защитной жидкостью C30B27)(455)
C30B19 - Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев(65)
C30B21 - Однонаправленное отвердевание эвтектик(3)
C30B25 - Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы(162)
C30B29 - Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)(1352)
C30B33 - Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5)(308)
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристалла оксида галлия VB-методом. Тигель 10 для выращивания монокристалла оксида галлия содержит верхний участок 18, имеющий толщину, которая меньше толщины нижнего участка 12 тигля 10, причем верхний участок 18 тигля 10 имеет постоянный диаметр, и усиливающий ленточный материал 22, предусмотренный на внешней периферии участка постоянного диаметра тигля, который включает множество ленточных материалов 22a в осевом направлении тигля 10, предусмотренных с равными интервалами в круговом направлении тигля, причем усиливающий ленточный материал 22 включает один или множество ленточных материалов 22b, предусмотренных в форме кольца на внешней периферии участка постоянного диаметра.
Изобретение относится к оборудованию, используемому в технологии выращивания кристаллов фторидных соединений с низкой летучестью исходных компонентов из расплава методами вертикальной направленной кристаллизации.
Изобретение относится к получению наноразмерного порошка кремния газофазным методом. Предложен способ получения нанокристаллического порошка кремния, включающий испарение капли расплавленного кремния в высокочастотном электромагнитном поле противоточного индуктора, в котором она находится в состоянии левитации.
Изобретение относится к технологии выращивания борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу, методом Чохральского, в частности к способам получения борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу.
Изобретение относится к устройствам для изготовления кристалла оксида галлия, который представляет собой широкозонный полупроводник для силового устройства. Тигель для выращивания кристаллов оксида галлия с применением способа VB, способа НВ или способа VGF в атмосфере воздуха содержит сплав на основе Pt-Ir с содержанием Ir от 20 до 30 мас.%, имеющий теплостойкость, способную выдерживать температуру 1800°С.
Изобретение относится к металлургии, в частности к суперсплавам на никелевой основе для газовых турбин. Суперсплав на никелевой основе содержит в мас.%: от 4,0 до 5,5 рения, от 1,0 до 3,0 рутения, от 2,0 до 14,0 кобальта, от 0,30 до 1,00 молибдена, от 3,0 до 5,0 хрома, от 2,5 до 4,0 вольфрама, от 4,5 до 6,5 алюминия, от 0,50 до 1,50 титана, от 8,0 до 9,0 тантала, от 0,15 до 0,30 гафния, от 0,05 до 0,15 кремния, остальное - никель и неизбежные примеси, при этом он имеет монокристаллическую структуру, включающую диспергированные в γ-матрице выделения γ'-Ni3(Al, Ti, Ta) с размером 300-500 нм в количестве 50-70 об.%.
Изобретение относится к технологи получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, допированного ионами кадмия CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1), которые могут быть использованы как компоненты оптоэлектронных приборов, работающих в синем диапазоне длин волн света.
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к рекуперации отходов производства вольфрамата кадмия для выращивания кристаллов CdWO4, являющегося перспективным материалом для использования в спектроскопическом и радиометрическом оборудовании, компьютерной томографии и сцинтилляционных болометрах.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с осаждением пленки алмаза 8 на поверхности кремния, при этом под нижней поверхностью контейнера посредством бобин 2, 9 перемещают ленту из графитовой фольги 3 с предварительно полученным слоем мультикристаллического кремния, днище контейнера выполняют в виде приваренного к его граням слоя 7 углеродной ткани с саржевым плетением, нагрев порошка алмаза осуществляют до температуры 1050°С графитовым нагревателем 6, затем создают разность потенциалов между корпусом контейнера и подающей бобиной 2 с упомянутой лентой 3, а ленту с полученной пленкой алмаза 8 наматывают на приемную бобину 9.
Изобретение относится к области получения монокристаллов бората железа. Способ повторного использования раствор-расплава при синтезе бората железа FeBO3 заключается в том, что используют раствор-расплав, содержащий компоненты Fe2O3 - В2О3 - PbO - PbF2, после синтеза сливают раствор-расплав, далее рентгенофлуоресцентным анализом (РФА) определяют концентрацию железа W(Fe) и свинца W(Pb) в слитом раствор-расплаве для вычисления параметра состояния «n» по формуле где W(Fe) - концентрация железа, W(Pb) - концентрация свинца, при этом параметр «n» в исходном растворе-расплаве выбирают равным 0,1, при снижении параметра «n» в слитом раствор-расплаве вычисляют количество оксида железа, израсходованного при синтезе FeBO3, восстанавливают раствор-расплав путем добавления в него рассчитанного количества FeBO3 и разогрева до 900°С, проводят гомогенизацию восстановленного раствор-расплава при температуре 900°С в течение суток, снова исследуют его методом РФА для контроля состояния, определяя параметр «n», и при приближении значения «n» к исходному используют восстановленный раствор-расплав для повторного синтеза FeBO3.
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов карбида кремния с проводимостью n-типа сублимацией порошка карбида кремния. Способ включает размещение в тигле 4 монокристаллической подложки 2 карбида кремния параллельно поверхности порошка 3 поликристаллического карбида кремния и нагревание порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа с помощью двух коаксиально расположенных нагревателей 5, 6, один из которых 6 расположен с внешней стороны тигля 4, а второй 5 – в центральной части тигля 4 в зоне размещения поликристаллического порошка 3 карбида кремния, при этом верхний уровень Х1 поликристаллического порошка 3 карбида кремния располагают выше верхнего торца нагревателя 5, расположенного в центральной части тигля 4, устанавливают подложку 2 на расстоянии от поверхности порошка 3 карбида кремния ΔХ=Х1-Х2=(0,10÷0,20) D, где D – диаметр подложки 2, мм, проводят термическую обработку порошка 3 карбида кремния в атмосфере инертного газа при давлении 550÷700 мм рт.ст.
Группа изобретений относится к технологии изготовления ювелирных изделий из синтетического драгоценного камня с использованием тканей тела, полученных от человека или животного, или кремационной золы трупа человека или животного.
Изобретение относится к области получения высокосовершенных монокристаллов 57FeBO3. Способ многократного использования раствора-расплава при синтезе 57FeBO3 заключается в том, что после синтеза 57FeBO3 раствор-расплав сливают, среди синтезированных кристаллов отбирают высокосовершенные монокристаллы 57FeBO3 с размерами более 5 мм в поперечнике без видимых дефектов поверхности и кристаллы 57FeBO3 размерами менее 5 мм в поперечнике и с видимыми дефектами поверхности, далее восстанавливают раствор-расплав путем растворения в нем дефектных кристаллов 57FeBO3 при температуре до 900°С и гомогенизации путем выдержки при 900°С в течение 20 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 30 ч, снижения температуры до 800°С за 15 мин, выдержки 3 ч, нагрева до 900°С за 15 мин, выдержки в течение 40 ч, затем рентгенофлуоресцентным анализом определяют концентрацию железа W(57Fe) и свинца W(Pb) в восстановленном растворе-расплаве для вычисления параметра состояния раствора-расплава и при величине параметра 0,05≤n≤0,1 многократно используют раствор-расплав как пригодный для последующего роста кристаллов 57FeBO3.
Изобретение относится к технологии получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС), который используют в производстве капролактама и химических реактивов. Способ получения кристаллов гидроксиламинсульфата (ГАС) из водного раствора ГАС включает получение технологического раствора ГАС 1, его упаривание 2, 3 при повышенной температуре в вакууме, кристаллизацию 11 упаренного раствора при перемешивании с получением смеси раствора ГАС и кристаллов ГАС, центрифугирование 15, сушку 19 горячим воздухом и получение нескольких маточных растворов ГАС 17, 22, при этом упаривание 2, 3 проводят при остаточном давлении 300±10 мм рт.ст., процесс упаривания технологического раствора ГАС начинают при 80°С и завершают при 85°С, а окончание процесса упаривания определяют по получению в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 35-40% от начального объема технологического раствора ГАС, кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением первичного маточного раствора ГАС 17 и кристаллов ГАС 16, при этом объединяют первичный маточный раствор ГАС 17 от обработки не менее чем двух порций технологического раствора ГАС и осуществляют упаривание 2, 3 объединенного первичного маточного раствора ГАС, которое начинают при температуре 85±3°С, завершают при температуре 90±3°С, и заканчивают упаривание при получении в нейтрализаторе 8 конденсата 6 в объеме 10-15% от начального объема первичного маточного раствора ГАС 17, при этом кристаллизацию 11 проводят при перемешивании и температуре 9±2°С в течение 12 ч, а полученную после кристаллизации смесь 14 раствора ГАС и кристаллов ГАС направляют на стадию центрифугирования 15 с получением дополнительного количества кристаллов ГАС 21 и вторичного маточного раствора ГАС 22, который возвращают на стадию получения технологического раствора ГАС 1, при этом из конденсата 6 получают раствор сульфата аммония 9 для утилизации на биологических очистных сооружениях.
Аналоги инсулина // 2769476
Настоящее изобретение относится к области биотехнологии, конкретно к аналогам инсулина, и может быть использовано в медицине. Изобретение раскрывает пептид, являющийся быстродействующим аналогом инсулина, отличается от известных аналогов тем, что представлен в мономерной форме и сохраняет активность в отношении передачи сигнала с участием инсулинового рецептора человека.
Способ получения сульфида галлия (ii) // 2768954
Изобретение относится к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Способ получения сульфида галлия (II) включает двухтемпературный химический синтез в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом соотношении.
Изобретение относится к способам формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, которые могут быть использованы в устройствах спинтроники. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge включает осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при этом поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20÷150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1÷100)⋅10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2≤ФEu/ФO2≤2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния SiC – широкозонного полупроводникового материала, используемого в силовой электронике и для создания на его основе интегральных микросхем.
Изобретение относится к области сенсорики и сверхвысокочастотной (СВЧ) техники, в частности к созданию управляемых сенсоров магнитных полей, фильтров, модуляторов и маршрутизаторов СВЧ-излучения, оптически управляемых логических элементов, преобразователей сигналов, рабочим материалом которых являются эпитаксиальные пленки феррит-гранатов с перестраиваемыми свойствами за счет управления магнитоупругой связью в монокристалле с помощью когерентного оптического (лазерного) излучения.
Изобретение относится к области оборудования полупроводникового производства и может быть использовано для формирования структур датчиков физических величин и преобразователей энергии бета-излучения в электрическую форму.
Изобретение относится к области получения кристаллов безазотного алмаза, содержащих оптически активные центры SiV, GeV и SnV, для использования в фотонных и оптоэлектронных устройствах. Способ получения кристаллов безазотного алмаза включает воздействие на систему углерод - редкоземельный элемент высоких давления и температуры в области термодинамической стабильности алмаза с использованием редкоземельных металлов в качестве катализаторов, в качестве которых используют один из редкоземельных металлов La, Се, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Y, при этом в систему дополнительно вводят один или более легирующих элементов IV группы, таких как Si, в виде примеси в графите в количестве порядка 120 млн-1 и/или Ge или Sn в количестве 5-10 вес.
Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации (метод Бриджмена) при наличии температурного градиента в зоне кристаллизации и устройству для его осуществления.
Устройство относится к области техники, связанной с получением искусственных монокристаллов при постоянной температуре, например, кристаллов KDP (дигидрофосфата калия), DKDP (дейтерофосфата калия), TGS (триглицинсульфата).
Изобретение относится к установкам для выращивания монокристаллов тугоплавких оксидов, в которых применяются цифровые следящие системы с управляющими ЭВМ в замкнутом контуре, и может быть использовано для автоматического управления электрической мощностью нагревателей в данных установках.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройству для получения кристалла оксида галлия. Получение монокристалла оксида галлия большего размера с повышением качества кристаллической структуры в кристалле (выращенного вертикальным методом Бриджмена) является техническим результатом изобретения, который достигается тем, что устройство содержит тигель для удерживания в нем исходного материала оксида галлия, опору тигля, которая поддерживает тигель снизу, вал опоры тигля, который соединяется с опорой тигля снизу и вертикально подвижным образом поддерживает тигель и опору тигля, трубу сердцевины трубной печи, которая окружает тигель, опору тигля и вал опоры тигля, внутреннюю трубу трубной печи, которая окружает трубу сердцевины печи, и резистивный нагревательный элемент, включающий в себя формирующий тепло участок, размещенный в пространстве между трубой сердцевины печи и внутренней трубой печи, при этом точки плавления трубы сердцевины печи и внутренней трубы печи равны не менее 1900°C, а теплопроводность участка трубы сердцевины печи, расположенного непосредственно рядом с тиглем в его радиальном направлении, выше теплопроводности внутренней трубы печи.
Изобретение относится к технологии получения кремниевого сырья разных сортов: солнечного качества (99,9999% Si), высокочистого кремния (99%+ Si) и обычного металлического кремния (96-99% Si) путем восстановления кальций-силикатного шлака с помощью источника алюминия.
Изобретение относится к технологии выращивания эпитаксиального 3C-SiC на ориентированном монокристаллическом кремнии. Способ включает предоставление монокристаллической кремниевой подложки 2, имеющей диаметр по меньшей мере 100 мм, в реакторе 7 химического осаждения из газовой фазы с холодными стенками, содержащем кварцевую камеру; нагревание подложки до температуры, равной или большей чем 700°C и равной или меньшей чем 1200°C, с использованием внешних нагревателей 9, которые представляют собой инфракрасные лампы; введение газовой смеси 33 в реактор, тогда как подложка находится при данной температуре, причем газовая смесь содержит прекурсор 16 источника кремния, прекурсор 18 источника углерода, который отличается от прекурсора 16 источника кремния, и несущий газ 20, таким образом, чтобы осадить эпитаксиальный слой 3C-SiC на монокристаллический кремний, при этом прекурсор 16 источника кремния содержит силан или содержащий хлор силан, а прекурсор 18 источника углерода содержит содержащий метил силан.
Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной I2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,991<a<6,842 , 5,991<b<8,251, 6,549<с<10,884, объем 369,711<V<390,584 характеризующийся функциональными параметрами: диапазоном прозрачности 0,37-19,6 мкм, шириной запрещенной зоны при температуре 300 К 1,8-3,34 эВ, величиной двулучепреломления Δn>0,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм.
Изобретение относится к материалам для термодозиметрических устройств, которые могут быть использованы в качестве твердотельных термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений. Монокристаллический материал для твердотельной дозиметрии - фторидоборат с «антицеолитной» структурой - характеризуется общей формулой Ba12(BO3)6[BO3][LiF4]:Cu,Sr в виде каркаса [(Ba,Sr)12(ВО3)6]6+, сложенного чередующимися слоями АВАВ вдоль направления кристаллографической оси Z, при этом А-слои «антицеолитной» структуры включают гостевые (ВО3)3- и (F2)2- группы, В-слои включают гостевые анионные группы [LiF4]3-, [(Cu,Sr)2+(OH)6]4-, [Cu+F/(OH)4]3-, и содержит одновременно ионы меди и стронция, обеспечивающие смещение положения основного дозиметрического пика в более высокотемпературную область до 437 K.
Предлагаемый способ относится к получению галогенидных оптических материалов, обладающих эффективными многофункциональными свойствами, конкретно к получению высокопрозрачной в диапазоне от 1,0 до 67,0 мкм кристаллической керамики на основе двух фаз твердых растворов системы AgBr - TlI.
Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в области получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений. Способ включает предварительную подготовку подложки 6, герметизацию установки для термовакуумного испарения, нагрев испаряемых материалов с обеспечением генерации направленного потока частиц и их конденсацию на подложку в вакууме, при этом нагрев тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений до температуры испарения осуществляют тепловой энергией твердофазной экзотермической реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза шихты 2, состоящей из смеси порошков тугоплавких металлов и углерода, размещённой в тигле 1, над которым расположена лодочка 3 с испаряемыми металлами или их соединениями 4.
Изобретение относится к способу упорядоченного осаждения наноструктурированных углеродных тонких пленок в постоянном электрическом поле. Между прозрачной твердой подложкой и углеродной мишенью помещают металлическую сетку, создают между углеродной мишенью и металлической сеткой разность потенциалов.
Способ получения монокристаллического sic // 2761199
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта.
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в наноэлектронике при изготовлении инфракрасных сенсоров. На монокристалл InSb, являющийся наконечником одного из электродов, воздействуют импульсным электрическим полем в двухэлектродной ячейке при нормальных условиях при напряженности электрического поля, равной или более 106 В/см, продолжительности импульсов 10-20 мкс, длительности спада менее 1 мкс и скважности, равной 2.
Опора тигля для выращивания кристаллов // 2759623
Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4, предназначенные для установки требуемого для конкретного технологического процесса количества прямоугольных пластин 3 с возможностью изменения их взаимного расположения в корпусе 1.
Изобретение относится к получению экологически чистых источников света и люминофоров. Нелинейно-оптический и фотолюминесцентный материал редкоземельного скандобората самария состава Sm0,78Sc3,22(BO3)4 нецентросимметричной моноклинной структуры имеет пространственную группу Сс с параметрами решетки а=7,6819 Å, b=9,8088 Å, с=11,9859 Å, β=105,11, обеспечивает генерацию второй гармоники при накачке на длине волны 1064 нм, излучает свет от 550 нм до 750 нм.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов типа KDP из раствора. Способ включает изготовление емкости для выращивания кристалла, при этом двигатель установлен в верхней части емкости для выращивания, а соединительный стержень кристаллодержателя присоединяется к нижнему концу вращающегося вала двигателя; изготовление кристаллодержателя для выращивания кристалла, при этом кристаллодержатель включает в себя верхнюю перекладину 7, поддон 12, соединительный стержень 6, боковые несущие стержни 8, 9 и две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11; соединительный стержень 6 закрепляют по центру верхней перекладины 7; нижние концы боковых несущих стержней 8, 9 диаметрально противоположно закреплены на двух краях поддона 12, а верхние концы боковых несущих стержней 8, 9 прикреплены к двум концам верхней перекладины 7; лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11 закреплены на боковых несущих стержнях 8, 9; две лезвиеобразные перемешивающие лопасти 10, 11, боковые несущие стержни 8, 9 и верхнюю перекладину 7 располагают в одной вертикальной плоскости; центр верхней поверхности поддона 12 является местом крепления стержневидного затравочного кристалла; все соединения выполнены плавными для обеспечения гладкости; изготовление стержневидного затравочного кристалла 13 с направлением [001] в вертикальном направлении, при этом высота стержневидного затравочного кристалла 13 меньше, чем высота боковых несущих стержней 8, 9 кристаллодержателя, а длина по горизонтали и диапазон ширины стержневидного затравочного кристалла 13 равны 5–15 мм; установку поверхности нижнего конца стержневидного затравочного кристалла 13 в центре верхней поверхности поддона 12 кристаллодержателя; подготовку маточного раствора для выращивания кристалла с точкой насыщения от 40 до 70°C; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в печь для предварительного нагрева на время от 4 до 12 ч, при этом температура предварительного нагрева является температурой точки насыщения маточного раствора; помещение кристаллодержателя с закрепленным в нем стержневидным затравочным кристаллом 13 в подготовленный маточный раствор, присоединение соединительного стержня 6 кристаллодержателя к вращающемуся валу двигателя, запуск двигателя и установку диапазона скорости вращения равным от 10 до 50 об/мин, при этом режим вращения состоит из цикла: вращение в прямом направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в обратном направлении – 2 с, вращение в обратном направлении – 25 с, замедление – 2 с, остановка – 1 с, ускорение в прямом направлении – 2 с; нагрев маточного раствора до температуры, на 5–15°C превышающей температуру точки насыщения, для обработки перегревом, охлаждение, чтобы степень перенасыщения маточного раствора была между 5 и 15%, таким образом реализуя быстрый рост кристалла на стержневидном затравочном кристалле и получение кристалла типа KDP.
Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K2(Co,Ni)(SO4)2⋅6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электропроводящих слоёв в микроэлектронных слоистых структурах. Сначала готовят смесь поликристаллического порошка диоксида титана и титана, взятых в массовом соотношении (59-60):(40-41)соответственно.
Изобретение может быть использовано при изготовлении керамических изоляторов и ферромагнетиков, матриц для иммобилизации токсичных промышленных отходов. Способ синтеза фосфатов металлов в степени окисления III включает приготовление растворов солей металлов из исходных реагентов, в качестве которых используют нитраты, хлориды металлов, ацетат хрома.
Изобретение относится к процессам получения синтетических поликристаллических алмазов. Способ детонационного синтеза поликристаллических алмазов осуществляют взрывом заряда в центре герметичной взрывной камеры в ледяной оболочке или в водяной оболочке.
Изобретение относится к области создания обработки материалов на основе 2D-структур, и в частности изобретение относится к области получения проводящих структур на основе графена на заданном носителе для электроники.
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза. Способ характеризуется тем, что предварительно искусственно синтезируют алмаз типа Ib, или Ib+Ia, или Ia+Ib методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) c начальной концентрацией в кристаллической решетке одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С) в диапазоне от 1,76·1018 см-3 до 1,4·1020 см-3, а затем подвергают его облучению электронами с энергией от 1 до 5 МэВ и дозой облучения от 1·1018 до 1·1019 см-2, чем вызывают перезарядку части образовавшихся одиночных изолированных вакансий из нейтрального в отрицательное зарядовое состояние и обеспечивают повышение теплопроводности алмаза при температурах в диапазоне 300-340 К.
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой.
Изобретение относится к способу модификации поверхностей пластин паяного пластинчатого теплообменника (ППТО). В вакуумной камере размещают пластины и углеродсодержащую мишень.
Твердые формы ингибитора ttk // 2753905
Изобретение относится к сокристаллу соединения (I) и молекулы сокомпонента,где молекула сокомпонента представляет собой фосфорную кислоту, при этом сокристалл представляет собой гидрат и молярное соотношение соединение (I):фосфорная кислота:Н2О в указанном сокристалле составляет 1:2:1/2, к способам получения сокристалла и фармацевтическим композициям, содержащим указанный сокристалл.
Изобретение относится к технологии материала с высокими фотопроводящими и фотопреломляющими свойствами. Способ получения германата висмута Bi12GeO20 включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида германия GeO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до 1060-1160°С с выдержкой в данном температурном интервале 15-60 мин, после чего полученный расплав льют на платиновую подложку.
Изобретение относится к области получения германата висмута Bi4Ge3O12 для использования в качестве исходного материала для выращивания чистых и бездефектных монокристаллов, в гамма-спектроскопии, в ядерной промышленности, в технологии высоких энергий, в медицине, опто- и акустоэлектронике, физике высоких энергий.
