Выращивание монокристаллов и направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов и очистка материалов зонной плавкой и получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой и последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой и (C30B)

Отслеживание патентов класса C30B
C30B              Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);(2110)

Способ переноса графена на полимерную подложку // 2757239
Изобретение относится к области создания обработки материалов на основе 2D-структур, и в частности изобретение относится к области получения проводящих структур на основе графена на заданном носителе для электроники.
Способ получения материала высокой теплопроводности и теплоотвод, изготовленный из материала, полученного этим способом // 2757042
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза.

Способ производства подложки на основе карбида кремния и подложка карбида кремния // 2756815
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом // 2755023
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой.

Способ модификации поверхностей пластин паяного пластинчатого теплообменника // 2754338
Изобретение относится к способу модификации поверхностей пластин паяного пластинчатого теплообменника (ППТО).

Твердые формы ингибитора ttk // 2753905
Изобретение относится к сокристаллу соединения (I) и молекулы сокомпонента,где молекула сокомпонента представляет собой фосфорную кислоту, при этом сокристалл представляет собой гидрат и молярное соотношение соединение (I):фосфорная кислота:Н2О в указанном сокристалле составляет 1:2:1/2, к способам получения сокристалла и фармацевтическим композициям, содержащим указанный сокристалл.

Способ получения германата висмута bi12geo20 методом литья // 2753672
Изобретение относится к технологии материала с высокими фотопроводящими и фотопреломляющими свойствами. Способ получения германата висмута Bi12GeO20 включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида германия GeO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до 1060-1160°С с выдержкой в данном температурном интервале 15-60 мин, после чего полученный расплав льют на платиновую подложку.

Способ получения германата висмута bi4ge3o12 методом литья // 2753671
Изобретение относится к области получения германата висмута Bi4Ge3O12 для использования в качестве исходного материала для выращивания чистых и бездефектных монокристаллов, в гамма-спектроскопии, в ядерной промышленности, в технологии высоких энергий, в медицине, опто- и акустоэлектронике, физике высоких энергий.

Устройство для получения нанокристаллической эпсилон фазы оксида железа // 2753182
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий с использованием устройства для получения нанокристаллической эпсилон фазы оксида железа Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.

Способ получения сверхтвёрдых материалов // 2752346
Изобретение может быть использовано при изготовлении монокристаллического и поликристаллического алмаза, алмазных порошков и кубического нитрида бора.

Способ получения нанокристаллической эпсилон-фазы оксида железа // 2752330
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению нанокристаллической эпсилон-фазы оксида Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом // 2751059
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой.

Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния // 2750732
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора из двухкомпонентного сплава металл-кремний эвтектического состава с последующим помещением в ростовую печь, нагревом, подачей в газовую фазу водорода и тетрахлорида кремния, осаждением кремния из газовой фазы по схеме пар → жидкая капля → кристалл при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики.

Способ получения состава для антимикробного покрытия на основе ассоциатов нанокристаллов сульфида серебра с молекулами метиленового голубого // 2750232
Изобретение относится к области получения антимикробных составов и может быть использовано в качестве противомикробных добавок в лакокрасочные материалы и самостоятельного использования при дезинфекции различных поверхностей.

Способ записи информации внутри кристалла алмаза // 2750068
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы.

Суперсплав на основе никеля, монокристаллическая лопатка и газотурбинный двигатель // 2749981
Изобретение относится к металлургии, а именно к суперсплавам на основе никеля, и может быть использовано в авиационной промышленности, в частности, для изготовления монокристаллических лопаток газотурбинного двигателя.

Устройство для получения монокристаллов // 2749825
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов. Устройство 10 для получения монокристаллов β-Ga2O3 или LiTaO3 в окислительной атмосфере содержит основание 12, теплостойкий цилиндрический корпус 14 печи, размещенный выше основания 12, крышку 16a, или 16b, или 16c, закрывающую корпус 14 печи, нагреватель 20, размещенный внутри корпуса 14 печи, высокочастотную обмотку 22, нагревающую нагреватель 20 за счет высокочастотного индукционного нагрева, и тигель, нагретый нагревателем 20, причем нагреватель 20 содержит Pt-Rh-сплав, имеющий содержание Rh от 10 до 30 мас.% и имеет покрытие из оксида циркония на всей поверхности нагревателя.

Способ получения нанокристаллического диоксида титана со структурой анатаз // 2749736
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению диоксида титана, который может быть использован в водородной энергетике и технологиях очистки воды.

Электрохимический способ обработки монокристаллических кремниевых пластин для солнечных батарей // 2749534
Изобретение относится к области высокотемпературной электрохимии и может быть использовано при изготовлении солнечных батарей из кремниевых пластин, изготовленных по методу Чохральского.

Способ и исходный продукт для детонационного синтеза поликристаллического алмаза // 2748800
Изобретение может быть использовано при получении синтетических поликристаллических алмазов. Способ детонационного синтеза поликристаллического алмаза включает получение исходного продукта из высокоэнергетического взрывчатого вещества - гексогена и/или октогена и углеродсодержащего компонента - коллоидного графита или сажи.

Способ получения оксида вольфрама, допированного кобальтом // 2748755
Изобретение относится к технологии получения оксида вольфрама, допированного кобальтом, который может быть использован в качестве фотокатализатора, активного в видимом диапазоне света.

Способ получения нанопорошков феррита висмута // 2748446
Изобретение относится к технологии получения нанопорошков феррита (ортоферрита) висмута в струйных микрореакторах.

Способ приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов // 2747503
Изобретение относится к химической технологии приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов. Способ включает смешивание исходных компонентов MeF2-RF3-PbF2, где Me – Са, или Ва, или Sr, R - РЗЭ, a PbF2 является поглотителем кислорода, их нагрев и выдержку, при этом в качестве R используют Еu3+, или Се3+, или Tm3+, или Nd3+, компоненты берут в стехиометрическом соотношении Me - 93%, R - 2%, PbF2 - 5%, или Me - 96%, R - 2%, PbF2 - 2%, или Me - 97%, R - 1%, PbF2 - 2%, с последующей их укладкой в графитовый тигель в форме «лодочки» с крышкой из того же материала, далее осуществляют установку тигля с компонентами в высокотемпературную вакуумную печь с графитовым тепловым узлом и нагрев в ней до температуры 200-250°С в вакууме с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, затем нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 700-750°С в атмосфере вакуума с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 1000-1300°С в избыточной атмосфере вакуума и выдержкой 6 ч и последующей выдержкой в избыточной атмосфере фтороводорода HF или тетрафторметана CF4 в течение 6-8 ч и инерционное охлаждение полученного спека до комнатной температуры, при этом используют печь и тигель, не содержащие в составе своего материала молекул кислорода.

Способ получения гибридных нанокристаллов au3fe1-x/fe и интерметаллических нанокристаллов au3fe1-x с контролируемым латеральным размером // 2747433
Изобретение относится к технологиям получения материалов нанометрового размера, состоящих из биметаллических гибридных нанокристаллов Au3Fe1-x/Fe и монофазных нанокристаллов интерметаллидов Au3Fe1-x с контролируемо-изменяемым латеральным размером и может применяться в биомедицине, информационных технологиях и катализе.

Способ получения мелкокристаллических ферритов-хромитов со структурой шпинели // 2747196
Изобретение может быть использовано в химической промышленности при производстве бутадиена и конверсии оксида углерода (II).

Способ получения прозрачной иаг-керамики // 2746912
Изобретение относится к способу получения прозрачной керамики иттрий-алюминиевого граната (ИАГ), в том числе легированного ионами неодима, для использования в качестве активной среды в области фотоники и лазерной техники.

Однофотонный источник излучения // 2746870
Изобретение относится к области оптических систем связи, а именно, к истинно однофотонным источникам оптического излучения и может быть использовано для создания высокозащищенных систем передачи информации на основе принципа квантовой криптографии и реализации протокола квантового распределения ключа (КРК, QKD) через существующие оптоволоконные сети.

Способ синтеза шпинели ganb4se8 // 2745973
Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта».

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре // 2745770
Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KH2PO4), в том числе, в промышленных масштабах.

Печь с охлаждением для направленного затвердевания и способ охлаждения с применением такой печи // 2744601
Изобретение относится к области литейного производства и может быть использовано при направленном затвердевании литой металлической детали.

Способ улучшения цветовых характеристик природного касситерита методом термообработки // 2743679
Изобретение относится к области физико-химической обработки ювелирных камней и минералов, в частности обработки природного касситерита черного и темно-коричневого цветов.

Способ получения торцевых поверхностей с кривизной на монокристаллах сапфира // 2743354
Изобретение относится к области выращивания монокристаллических сапфировых заготовок из расплава для изготовления деталей из сапфира для оптических применений, микроскопии, измерительной техники.
Способ обработки алмазных материалов // 2743078
Изобретение относится к обработке алмазных материалов для их использования в высокотехнологичных областях науки и техники.

Способ выращивания кристаллов или получения сплавов флюоритовых твердых растворов м1-хм'хf2, где m = ca, sr, ba; m' = pb, cd, x - мольная доля летучего компонента m'f2 (варианты) // 2742638
Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий.

Способ получения альфа-оксида алюминия для последующего выращивания монокристаллического сапфира // 2742575
Настоящее изобретение относится к области химии, а именно к способу получения альфа-оксида алюминия для последующего выращивания монокристаллического сапфира.

Способ получения нанопорошка иттрий-алюминиевого граната // 2741733
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению порошка нанокристаллического иттрий-алюминиевого граната для использования в качестве исходного порошка оксидной керамики, в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента или в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления.

Способ получения поликристаллического алмазного материала // 2740599
Изобретение может быть использовано при изготовлении режущего инструмента. Способ получения поликристаллического алмазного материала включает помещение в реакционную ячейку камеры высокого давления в зоне максимальной температуры нагрева стержня из металла-катализатора, имеющего торцевую рабочую поверхность, и углеродосодержащего материала, образующего вокруг стержня оболочку.

Способ получения монокристаллов cosi химическим транспортом паров // 2740590
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С.

Способ выращивания монокристаллов 57febo3 высокого структурного совершенства // 2740126
Изобретение относится к области получения монокристаллов 57FeBO3 высокого структурного совершенства для использования в качестве монохроматоров при проведении экспериментов по ядерно-резонансному рассеянию с использованием синхротронного излучения.

Способ получения высокочистого поликристаллического кремния // 2739312
Изобретение относится к химической технологии получения поликристаллического кремния водородным восстановлением трихлорсилана водородом на кремниевые стержни-основы в безотходном режиме.

Способ получения ферритов металлов восьмой группы четвертого периода // 2738940
Изобретение может быть использовано для получения ферритов кобальта и никеля, применяемых в электротехнике, телекоммуникационном оборудовании, электродвигателях, газовых датчиках.

Способ получения субмикронных кристаллов нитрида алюминия // 2738328
Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных микроразмерных сенсоров медико-биологического назначения.

Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов // 2737774
Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ.

Способ изготовления подложки монокристаллического германия с тонким поверхностным слоем пористого германия // 2737692
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фото детекторов и солнечных элементов.

Способ изготовления сцинтиллятора для датчиков регистрации ионизирующих излучений, устройство для его осуществления и сцинтиллятор для датчиков регистрации ионизирующих излучений // 2737506
Изобретение относится к кристаллографии и технике детектирования ионизирующих излучений. Предлагается способ изготовления сцинтиллятора для регистрации ионизирующих излучений в реакторе печи путем осаждения ZnO на подложке в зоне роста из газовой фазы, состоящей из паров цинка и газовой смеси аргона и кислорода, при продувке газовой фазы через зону испарения Zn, размещенного в тигле, в зону роста ZnO на подложке, при этом реактор предварительно вакуумируют до давления 8-10 Па, затем продувают через реактор чистый аргон, продолжая вакуумирование реактора, при достижении в реакторе давления не более 12 Па осуществляют нагрев зон роста и испарения, увеличивая температуру в зоне испарения до 640÷680°С, а в зоне роста до 550-580°С, после установления стационарных значений температуры в зоне роста и испарения, не прекращая подачу аргона, подают в реактор чистый кислород, при этом, соотношение объемов аргона и кислорода составляет 9/1, расход названной смеси 350÷450 см3/мин при ее течении в направлении от зоны испарения цинка к зоне роста массивов нанокристаллов ZnO.

Способ синтеза ssz-39 с помощью модифицированной реакционной композиции // 2735527
Изобретение относится к синтезу цеолита SSZ-39 с помощью модифицированной композиции органического структуронаправляющего агента (OSDA), в которой часть OSDA заменена на один или более других органических оснований, которые сами по себе не являются OSDA для SSZ-39.

Способ получения поликристаллического алмазного материала с отверстием // 2735087
Изобретение относится к способу получения поликристаллического алмазного материала с отверстием, проходящим в осевом направлении, который может служить заготовкой для изготовления волочильного инструмента.

Способ получения монокристалла оксида ниобия // 2734936
Изобретение относится к области технологии материалов, которые могут применяться в электронике в качестве контактов для конденсаторов.

Подложка монокристаллического германия с тонким поверхностным слоем пористого германия // 2734458
Изобретение относится к области материаловедения, связанного с пористыми средами, в частности тонкими поверхностными слоями пористого германия, которые находят применение при разработке анодных электродов аккумуляторных литиевых батарей, а также фотодетекторов и солнечных элементов.

Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии // 2733616
Изобретение относится к полупроводниковым структурам карбида кремния. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии, содержащий в своем составе монокристаллическую фазу полупроводниковой структуры карбида кремния в виде пленки, имеющей n- и р-тип проводимости для разделения электронно-дырочных пар, включает в молекулярной структуре карбида кремния элементы: изотоп углерода С12 и дополнительно С14 для преобразования его энергии излучения в электрическую энергию, при этом концентрация радиоизотопа С14 в одном из слоев n- или р-типа проводимости составляет от 5⋅1017 до 1020 см-3.
 
.
Наверх