Полупроводниковых материалов (C25D11/32)
C25D11/32 Полупроводниковых материалов(6)
Изобретение относится к области электроники и предназначено для использования в производстве коммутационных плат и электронных, оптоэлектронных, оптических приборов на их основе при формировании электропроводящих дорожек на поверхности подложки анодированного алюминия.
Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов. Наноразмерный порошок кремния получают травлением монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали с последующим механическим отделением пористого слоя от подложки, его измельчением в изопропиловом спирте в ультразвуковой ванне и сушкой в естественных условиях, при этом в качестве электролита используют раствор диметилформамида с добавлением плавиковой кислоты и 20% по объему перекиси водорода (30%).
Изобретение относится к электрохимии наноуглеродных кластеров, в частности к получению в электрохимическом процессе фуллереновой пленки, осажденной на токопроводящих материалах (металлах, графите). Фуллереновая пленка может быть использована в эндопротезировании, в радиоэлектронике и физике полупроводников.
Изобретение относится к области анодирования вольфрама и может найти .применение в электронной технике при изготовлении электрохромных индикаторов дисплеев. .