Высокомолекулярные соединения, обрабатываемые для придания нерастворимости или различной смачиваемости (G03F7/038)
G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K)
(566) G03F7/038 Высокомолекулярные соединения, обрабатываемые для придания нерастворимости или различной смачиваемости ( G03F7/075 имеет преимущество; полиазиды G03F7/012; соединения полидиазония G03F7/021)(6) 
Изобретение относится к получению антиотражающих покрытий полупроводниковой подложки в процессах формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием фотолитографии. Антиотражающее покрытие для фотолитографии включает пленкообразующий полимер, сшивающий агент, термический генератор кислоты и органический растворитель.

Изобретение относится к способу стереолитографического производства. Жидкая фотоотверждаемая смоляная композиция для стереолитографии, содержащая (i) по меньшей мере одно радикально полимеризуемое соединение (А), представленное следующей общей формулой (I): R4O-CO-NH-R2-NH-CO-O-R1-O-CO-NH-R3-NH-CO-OR4 (I), где R1 представляет собой остаток линейного или разветвленного политетраметиленгликоля со средней молекулярной массой от 200 до 3000 г/моль; R2 представляет собой остаток диизоцианатного соединения; R3 представляет собой остаток диизоцианатного соединения, такой же как или отличный от R2; a R4 выбран из AcrO-CH2-CH2-; (AcrO-CH2)2CH-; (AcrO-CH2)3C-CH2-; AcrO-CH2-CHCH3-; AcrO-СН2-СНС2Н5- и (AcrO-СН2)2С(С2Н5)СН2-, предпочтительно из AcrO-СН2-СН2 и более предпочтительно AcrO-СН2-СН2-; где Acr представляет собой CH2=C(R)-CO- и R представляет собой атом водорода или метильную группу; (ii) по меньшей мере одно радикально полимеризуемое органическое соединение (В), отличное от соединения (А); и (iii) фоточувствительный инициатор радикальной полимеризации (С), причем содержание радикально полимеризуемого соединения (А) варьируется от 5 до 70 мас.% от общего количества соединений (А) и (В).

Изобретение относится к негативным фоторезистам для процессов формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием «взрывной» фотолитографии. Предложена композиция негативного фоторезиста для «взрывной» фотолитографии, содержащая (мас.%) фенолоформальдегидную смолу (25,0-40,0), гексаметоксиметилмеламин (5,0-8,0), α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид (1,0-2,0), органическое основание (0,04-0,20), фторалифатический эфир (0,1-2,0), Тинувин 1130 (1,0-10,0) и органические растворители (50,0-66,0).

Изобретение относится к светочувствительным негативным полимерным композициям, подходящим для образования тонкой структуры фотолитографическим способом. Предложена светочувствительная негативная полимерная композиция, содержащая (a) содержащее эпоксидные группы соединение, (b) первую ониевую соль, содержащую структуру катионной части, представленную формулой (b1), и структуру анионной части, представленную формулой (b2), и (c) вторую ониевую соль, содержащую структуру катионной части, представленную формулой (c1), и структуру анионной части, представленную формулой (c2).

Изобретение относится к фоточувствительной композиции смолы, используемой для получения головки для выбрасывания жидкости для генерирования капли жидкости, например капли краски, а также к способу формирования паттерна и к головке для выбрасывания жидкости.

Изобретение относится к фотоотверждаемой композиции для трехмерного изделия, содержащей в % мас. .

Изобретение относится к области приборостроения. .

Изобретение относится к УФ-отверждаемым катионно-полимеризуемым композициям, не содержащим тяжелых металлов. .

Изобретение относится к основно-катализируемым отверждаемым композициям на основе эпоксидных соединений. .