Используемые для процессов с диффузионным переносом (G03F7/07)
G Физика(403185)
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография (воспроизведение изображений или образов путем развертки и преобразования в электрический сигнал H04N)
(10965)
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей (фотонаборные устройства B41B; светочувствительные материалы или процессы для фотографических целей G03C; электрография, чувствительные слои или процессы G03G)
(960)
G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K)
(566)
G03F7/07 Используемые для процессов с диффузионным переносом(12)
Группа изобретений относится к органическим светочувствительным регистрирующим средам, а именно к композициям для получения фотополимеризационноспособных пленок для записи голограмм и способам их получения.
Термостойкий фоторезист // 2549532
Изобретение относится к термостойкому фоторезисту, содержащему реакционный раствор поли(о-гидроксиамида) - продукта поликонденсации дихлорида изофталевой кислоты и 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана или смеси 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис -(3-аминопропил)диметил-силоксана, взятых в соотношении от 9:1 до 1:9 мол.
Изобретения относятся к жидкой композиции для получения фотополимеризационноспособной пленки для записи голограмм, способу получения такой жидкой композиции и способу получения фотополимеризационноспособной пленки.
Изобретение относится к области микроэлектроники, фотовольтаики, к не литографическим технологиям структурирования кремниевых подложек, в частности к способам структурирования поверхности монокристаллического кремния с помощью лазера.
Изобретение относится к способу получения материала для формирования матричной триады светофильтров, предназначенных для создания активно-матричных жидкокристаллических экранов. .
Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах.
Изобретение относится к гравируемой лазером печатной матрице, используемой для получения рельефного изображения известными методами. .
Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации.
Изобретение относится к фотополимеризующейся композиции пленочной паяльной маски для электронных печатных плат. .
Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана // 2118964
Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10).
