Экспонирование устройства для этой цели (G03F7/20)
G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K)
(566) G03F7/20 Экспонирование устройства для этой цели (устройства фотопечатания для изготовления копий G03B27)(60)

Изобретение относится к оборудованию для создания устройств микроэлектроники с помощью технологии электронно-лучевой литографии. Устройство для электронно-лучевой литографии (фиг.1) содержит: электронно-оптическую систему 1 с блоком контроля интенсивности электронного луча 2; координатный столик 3 с электроприводом 4 и блоком контроля текущего положения подвижной платформы 5; управляющий компьютер 6; генератор изображений 7; драйвер координатного столика 8; драйвер генератора изображений 9, при этом входы управления параметрами электронного луча электронно-оптической системы 1 подключены к соответствующим выходам генератора изображений 7, вход которого соединён с выходом блока контроля интенсивности электронного луча 2, а порт обмена данными связан по оптоволоконной линии связи через драйвер генератора изображений 9 с управляющим компьютером 6, который другим своим портом обмена данными через драйвер координатного столика 8 соединён с электроприводом координатного столика 4 и блоком контроля текущего положения подвижной платформы 5.

Изобретение относится к устройствам лазерного наноструктурирования поверхности с использованием массива упорядоченных диэлектрических мезомасштабных фокусирующих устройств, формирующих максимумы распределения интенсивности лазерного поля, где происходит формирование структур с масштабами, меньшими длины волны исходного используемого излучения, и может быть использовано для создания материалов с новыми свойствами и представляет собой устройство обработки поверхности твердого материала с получением на этой поверхности структур с чешуйками субмикронной толщины и микронными размерами и/или с субмикронными трещинами и щелями между упомянутыми чешуйками и/или участками поверхности с характерными субмикронными перепадами по высоте рельефа.

Изобретение относится к держателю для размещения и защиты стороны фотошаблона или фотошаблона с мембраной относительно очищающей среды, к способу очистки стороны фотошаблона или фотошаблона с мембраной, а также к устройству для открывания и закрывания держателя ранее указанного типа.

Изобретение относится к области микро- и нанотехнологии, в частности к применению полисахарида хитозана и его соединений в качестве резистов для электронно-лучевой литографии и фотолитографии для изготовления микро- и нано- электронных и оптических компонентов.

Лазерный рентгеновский излучатель относится к радиационной физике, а именно к области лазерных рентгеновских излучателей, и может быть использован в научных исследованиях в физике, химии, биологии, применен в различных областях промышленности и медицины.

Устройство относится к средствам формирования однократных высоковольтных микросекундных импульсов на низкоомных нагрузках и может быть использовано для запуска управляемых вакуумных разрядников, входящих в состав батареи магнитного поля (БМП) мощных лилейных индукционных ускорителей.

Изобретение относится к способам обработки подложек. Способы включают этап обеспечения протекания водосодержащей жидкой среды через канал для потока и по меньшей мере одну выпускную щель на подложку, подлежащую обработке, а также облучение водосодержащей жидкой среды ультрафиолетовым излучением с заданной длиной волны по меньшей мере на участке канала для потока, непосредственно прилегающем к по меньшей мере одной выпускной щели, и после прохождения водосодержащей жидкой среды через выпускное отверстие в направлении подложки и, таким образом, перед нанесением и во время нанесения водосодержащей жидкой среды на поверхность подложки, подлежащей обработке.

Изобретение относится к способу получения структурированных покрытий. Способ получения структурированных покрытий включает нанесение на подложку композиции, содержащей одно неорганическое связующее вещество с общей формулой SiaR1bOc(OR2)d, при этом а≥2, b≥0, c≥1, d≥5, и R1 и R2 представляют собой органический радикал; по меньшей мере один оксидный пигмент, который после добавления смеси, включающей 15 мл 1 М щавелевой кислоты и 15 мл 20% водной хлористоводородной кислоты в пересчете на 1 г оксидного пигмента, при стандартных условиях приводит к повышению температуры по меньшей мере на 4°C, и по меньшей мере один растворитель.

Изобретение относится к области литографии и касается системы для определения положения подложки в системе литографии. Система содержит оптическую колонну, чувствительный элемент оптического совмещения и подложку, содержащую оптическую отметку положения.

Изобретение относится к области фотомеханического изготовления текстурированных поверхностей и касается устройства для получения мультимодальной структуры на поверхности образца методом лазерной интерференционной литографии.

Cветовая установка для обеспечения света для обработки объекта содержит кольцо источников света для генерации обрабатывающего света для обработки объекта, блок отображения, который отображает кольцо источников света на рабочую плоскость, в которой находится обрабатываемый объект.

Изобретение относится к агрегату для переноса радикалов, например для удаления отложений загрязнения.. Агрегат включает генератор плазмы и направляющее тело.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства получения направленного экстремального ультрафиолетового излучения с длиной волны 11.2 нм ±1% для проекционной литографии высокого разрешения.

Изобретение относится к области литографии и касается устройства для изготовления периодических микроструктур методом лазерной интерференционной литографии. Устройство включает в себя лазерный источник излучения, щелевую диафрагму, расширитель пучка и держатель образца с закрепленным на нем зеркалом.

Изобретение относится к области полиграфии и касается способа адаптации формы множества рельефных печатающих точек, создаваемых в процессе изготовления печатных форм на светочувствительной заготовке печатной формы.

Изобретение относится к области литографии и касается системы литографии. Система литографии включает в себя основание, установленную на основании оптическую колонну для проецирования шаблона на мишень, подвижный держатель мишени, модуль дифференциального интерферометра, предназначенный для измерения смещения держателя мишени.

Изобретение относится к системе заряженных частиц, такой как система многолучевой литографии, содержащей устройство-манипулятор для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц. Заявлена группа систем заряженных частиц, таких как системы многолучевой литографии, содержащие устройство-манипулятор для манипулирования одним или более пучками заряженных частиц, при этом устройство-манипулятор содержит: плоскую подложку, содержащую, по меньшей мере, одно сквозное отверстие в плоскости плоской подложки, при этом каждое сквозное отверстие выполнено с возможностью пропускания, по меньшей мере, одного пучка заряженных частиц сквозь него, и каждое сквозное отверстие снабжено электродами, размещенными в первом наборе множества первых электродов вдоль первой части периметра упомянутого сквозного отверстия и во втором наборе множества вторых электродов вдоль второй части упомянутого периметра, и электронную схему управления, выполненную с возможностью предоставления разностей напряжения парам электродов, причем каждая пара состоит из первого электрода из первого набора и второго электрода из второго набора, в зависимости от позиции первого и второго электродов по периметру сквозного отверстия, для того, чтобы обеспечивать электрическое поле, которое является, по существу, однородным по всему сквозному отверстию.

Использование: для получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств, включает стадии: получения подложки, имеющей слои структурированного материала, имеющие строчный интервал 50 нм и менее и характеристическое отношение >2; получения поверхности слоев структурированного материала с положительным или отрицательным электрическим зарядом посредством контакта полупроводниковой подложки по меньшей мере один раз с водным свободным от фтора раствором S, содержащим по меньшей мере одно свободное от фтора катионное поверхностно-активное вещество А, имеющее по меньшей мере одну катионную или потенциально катионную группу, по меньшей мере одно свободное от фтора анионное поверхностно-активное вещество А, имеющее по меньшей мере одну анионную или потенциально анионную группу, или по меньшей мере одно свободное от фтора амфотерное поверхностно-активное вещество А; выведение водного свободного от фтора раствора S из контакта с подложкой.
Изобретение относится к области литографии и касается литографической системы и способа хранения позиционных данных мишени. Литографическая система включает в себя систему управления посредством обратной связи, содержащую привод для перемещения мишени, измерительную систему для измерения положения мишени и блок управления приводом.

Изобретение относится к литографической системе, содержащей множество узлов литографической системы. Каждый узел литографической системы содержит устройство литографии, расположенное в вакуумной камере для нанесения картины на подложку, систему блокировки нагрузки для переноса подложек в и из вакуумной камеры, и дверцу для обеспечения доступа в вакуумную камеру для целей обслуживания.
Изобретение относится к области полиграфии и касается способа изготовления элемента для печати рельефных изображений, содержащих множество рельефных точек. При реализации способа осуществляют избирательную абляцию маскирующего слоя с целью создания на маскирующем слое полного изображения, которое содержит фрагмент изображения, содержащий структуру ячеек.

Изобретение относится к области фотомеханического изготовления поверхностей с рисунком и касается устройства для прямого лазерного экспонирования. Устройство включает в себя источник лазерного излучения, плоское и полигональное зеркала, fθ-линзу, направляющее зеркало, двигатель, сенсор начала, панель для размещения оптических элементов, основание с установленной на нем горизонтально подставкой.

Изобретение относится к способам лазерного наноструктурирования поверхности. Способ включает в себя формирование ближнепольной маски на поверхности диэлектрической подложки и облучение полученной структуры импульсом фемтосекундного лазера.

Изобретение относится к вариантам способа проявления светоотверждающейся заготовки печатной формы с целью формирования рельефной структуры, содержащей множество рельефных точек. При этом в одном из вариантов светоотверждающаяся заготовка печатной формы содержит несущий слой, на котором находится по меньшей мере один светоотверждающийся слой, барьерный слой, расположенный по меньшей мере на одном светоотверждающемся слое, и удаляемый лазерным излучением маскирующий слой, расположенный поверх барьерного слоя, причем способ включает стадии: а) визуализации по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем избирательной лазерной абляции удаляемого лазерным излучением маскирующего слоя с целью создания изображения, б) экспонирования заготовки печатной формы через барьерный слой и маскирующий слой одним или несколькими источниками актиничного излучения с целью избирательного сшивания и отверждения участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя, при этом по меньшей мере один светоотверждающийся слой сшивают и отверждают на участках, не покрытых маскирующим слоем, и тем самым создают рельефную структуру, и в) проявления заготовки печатной формы с целью удаления барьерного слоя, подвергнутого лазерной абляции маскирующего слоя и неотвержденных участков светоотверждающегося слоя и выявления рельефной структуры, где стадия проявления заготовки печатной формы включает стадии: i) размягчение несшитых участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем нагревания по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя до температуры, при которой несшитые участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя размягчаются, в то время как отвержденные участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя остаются твердыми, и ii) удаление несшитых участков светоотверждающегося слоя путем введения в контакт печатающего элемента с абсорбирующим материалом, способным поглощать несшитый фотополимер, посредством чего выявляют рельефную структуру.

Изобретение относится к области литографии и касается опорной структуры подложки. Прижатие подложки к поверхности опорной структуры осуществляется посредством капиллярного слоя жидкости.

Изобретение относится к области литографии и касается способов изготовления снабженной нанорисунком цилиндрической фотомаски. Способ включает нанесение слоя эластомерного материала на прозрачный цилиндр с последующим формированием на эластомерном материале элементов рисунка размером от 1 нм до 100 мкм.

Изобретение предназначено для использования в производстве полупроводниковых приборов, в частности для экспонирования рисунков на полупроводниковые пластины и иные мишени. Литографическая машина содержит систему (132) проекционного объектива для фокусировки одного или более экспонирующих пучков на мишень, подвижный стол (134) для транспортировки мишени (9), емкостную измерительную систему (300) для проведения измерений, связанных с расстоянием между последним фокусирующим элементом системы (104) проекционного объектива и поверхностью мишени (9), и блок управления (400) для управления перемещением подвижного стола (134) для регулировки положения мишени (9), по меньшей мере частично, на основании сигнала из емкостной измерительной системы.

Изобретение относится к способу адаптации формы печатающих точек, создаваемых при изготовлении печатных форм для высокой печати, и может быть использовано для печати на разнообразных подложках, таких как бумага, картон, гофрированный картон, пленки, фольга и слоистые материалы.

Устройство содержит основание и множество выпуклых или вогнутых структурных элементов, расположенных на поверхности основания с шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света. Структурные элементы формируют множество линий дорожек и формируют структуру четырехугольной или квазичетырехугольной решетки.

Изобретение относится к устройству экспонирования, жидкокристаллическому устройству отображения и способу для производства жидкокристаллического устройства отображения. Это изобретение является устройством экспонирования для экспонирования фотоориентирующей пленки, предоставленной на подложке.
Изобретение относится к оптике. .

Изобретение относится к области полиграфии. .
Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - линз Френеля, киноформов, фокусаторов, корректоров и других устройств.

Изобретение относится к станции экспозиции для получения частично образованных областей в одном или нескольких слоях полотна листового материала, которая располагает одним или несколькими источниками излучения для экспозиции полотна листового материала.

Изобретение относится к способу изготовления экспонированной подложки, которая имеет по меньшей мере два участка с разнотипными или различными изображениями на них. .

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру. .

Изобретение относится к производству печатных форм. .

Изобретение относится к области микролитографии, в частности фотолитографии, и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем, бинарных голограмм или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением.

Изобретение относится к области микролитографии (в частности, фотолитографии) и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением.

Изобретение относится к области микролитографии, в частности фотолитографии, и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением.

Изобретение относится к устройствам экспонирования, а именно к системам для переноса преобразованных в цифровую форму изображений на чувствительную основу. .

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к проекционным установкам фотолитографии. .