Образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры шмидта (G11C11/41)

G11C Запоминающие устройства статического типа (накопление информации, основанное на относительном перемещении носителя записи и преобразователя G11B; полупроводниковые приборы для запоминающих устройств H01L, например H01L27/108-H01L27/115; импульсная техника вообще H03K, например электронные переключатели H03K17) (8290)

G11C11 Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (G11C14- G11C21 имеют преимущество)(3053)

G11C11/41 Образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры шмидта(10)

Способ оценки сечений одиночных радиационных сбоев в микросхемах запоминающих устройств при воздействии потоков нейтронов // 2788478

Изобретение относится к способам оценки сечений радиационно-индуцированных сбоев в микросхемах статической памяти при воздействии потоков нейтронов произвольного спектра до 14 МэВ и может быть использовано в рамках мероприятий по обеспечению сбоеустойчивости аппаратуры, определенной к эксплуатации в условиях воздействий нейтронных потоков с произвольным спектрально-энергетическим составом в диапазоне до 14 МэВ путем расчетно-экспериментальной оценки на основе пересчета экспериментальных сечений сбоев, полученных с помощью доступных источников нейтронов, на сечение сбоев в прогнозируемых условиях при эксплуатации.