Изобретение относится к способам оценки сечений радиационно-индуцированных сбоев в микросхемах статической памяти при воздействии потоков нейтронов произвольного спектра до 14 МэВ и может быть использовано в рамках мероприятий по обеспечению сбоеустойчивости аппаратуры, определенной к эксплуатации в условиях воздействий нейтронных потоков с произвольным спектрально-энергетическим составом в диапазоне до 14 МэВ путем расчетно-экспериментальной оценки на основе пересчета экспериментальных сечений сбоев, полученных с помощью доступных источников нейтронов, на сечение сбоев в прогнозируемых условиях при эксплуатации.