Для нанесения магнитных пленок на подложки (H01F41/14)
H01F41/14 Для нанесения магнитных пленок на подложки (покрытие металлов и материалы с металлами вообще C23C; изготовление носителей информации G11B5/84)(14)
Изобретение относится к области молекулярного магнетизма, а именно к стабильным высоколетучим гетероспиновым комплексам меди (II) с полифторированными лигандами двух типов – гексафторацетилацетонат-ионами (hfac) и полифторированными парамагнитными лигандами (LF), представленным формулами [Сu(hfac)2LF1], [Сu(hfac)2LF2] и [Сu(hfac)2(LF2)2] [Сu(hfac)2LF1] [Сu(hfac)2LF2] [Сu(hfac)2(LF2)2].Технический результат: предложенные комплексы обладают высокой летучестью и стабильностью, способны эффективно переноситься через газовую фазу без разложения и изменения структуры и могут найти применение в качестве магнитно-активных функциональных покрытий на больших поверхностях со сложным рельефом и на трубчатых и пористых объектах методом осаждения из газовой фазы.
Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73.
Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов.
Изобретение относится к испаряющемуся материалу и способу его получения, который может быть использован при изготовлении магнитов с повышенной коэрцитивной силой. .
Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала.
Изобретение относится к области прикладной сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении механически нагруженных сверхпроводящих обмоток с напряжением проводника больше 100 МПа при работе, а также сверхпроводящих обмоток и устройств, работающих в переменных режимах, например сверхпроводящих магнитов для ускорителей заряженных частиц и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии.
Изобретение относится к области выращивания монокристаллических пленок. .
Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники. .
Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%.
Изобретение относится к электротехнике , в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок , и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ.