С использованием отражательного разряда, например ионные источники пеннинга (H01J27/04)
H01J27/04 С использованием отражательного разряда, например ионные источники пеннинга(67)
Изобретение относится к устройству для обработки изделий быстрыми атомами. Устройство содержит вакуумную камеру, установленный внутри вакуумной камеры анод, включенный между анодом и вакуумной камерой источник питания разряда, установленный на вакуумной камере полый корпус, установленный в торце полого корпуса съемный фланец-держатель обрабатываемых изделий, установленный на полом корпусе высоковольтный ввод напряжения, генератор высоковольтных импульсов напряжения, соединенный положительным полюсом с вакуумной камерой, а отрицательным полюсом с высоковольтным вводом напряжения.
Изобретение относится к устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования. Технический результат изобретения - повышение эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также упрощение конструкции устройства и повышение надежности при эксплуатации.
Устройство относится к области плазменной техники и может быть применено при разработке электронно-лучевых устройств, а также использовано в электроннолучевой технологии, экспериментальной физике, плазмохимической технологии.
Изобретение относится к области обработки диэлектрических изделий ускоренными ионами или быстрыми атомами и предназначено для травления канавок с высоким аспектным отношением и получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов.
Изобретение относится к ионно-плазменной технологии и может быть использовано для осаждения покрытий на изделия в вакууме. Магнетронное распылительное устройство содержит плоскую круглую мишень, являющуюся катодом тлеющего разряда, магнитную систему, один из полюсов которой прилегает к центру внешней поверхности мишени, вакуумную камеру, являющуюся анодом тлеющего разряда, и источник питания тлеющего разряда, соединенный отрицательным полюсом с мишенью, а положительным полюсом - с вакуумной камерой, снабжено охватывающим мишень и соединенным с ней электрически цилиндрическим электродом, а второй полюс магнитной системы прилегает к внешней поверхности цилиндрического электрода.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для обработки поверхности изделий быстрыми атомами с целью получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов и формирования в ней субмикрокристаллической структуры.
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам быстрых нейтральных молекул, преимущественно к источникам потоков большого поперечного сечения быстрых нейтральных молекул для травления и нагрева изделий в рабочей вакуумной камере, в частности, перед нанесением на них покрытий с целью повышения адгезии и качества покрытий.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для синтеза покрытий на изделиях в рабочей вакуумной камере. Устройство для синтеза покрытий содержит рабочую вакуумную камеру, установленное внутри последней с образованием зоны вращения изделий устройство планетарного вращения изделий, источник напряжения смещения, соединенный положительным полюсом с рабочей вакуумной камерой, а отрицательным полюсом с устройством планетарного вращения изделий, мишени планарных магнетронов на стенках рабочей вакуумной камеры и источники электропитания магнетронов, соединенные отрицательными полюсами с соответствующими мишенями, дополнительно снабжено установленным внутри зоны вращения изделий на оси рабочей вакуумной камеры и изолированным от нее стержневым анодом, соединенным с положительными полюсами источников электропитания магнетронов.
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам быстрых нейтральных молекул, преимущественно к источникам потоков большого поперечного сечения быстрых нейтральных молекул для травления и нагрева изделий в рабочей вакуумной камере, в частности, перед нанесением на них покрытий с целью повышения адгезии и качества покрытий.
Изобретение относится к области ускорительной техники. Использование кольцевого концентратора продольного магнитного поля на антикатоде для ограничения расширения канала разряда в водороде с целью интенсификации плотности разряда по оси отверстия ионной эмиссии и выполнение торцевых скосов на аноде для устранения возможных «закороток» анод-катод продуктами распыления катода и антикатода.
Изобретение относится к устройству для синтеза покрытий на диэлектрических изделиях. Устройство содержит рабочую камеру, устройство планетарного вращения изделий, установленное внутри камеры с образованием зоны вращения изделий, мишени планарных магнетронов на стенках камеры, источники их электропитания, соединенные отрицательными полюсами с мишенями, а положительными полюсами - с камерой, дополнительно содержит изолированную от камеры и установленную внутри зоны вращения изделий полую цилиндрическую электропроводную сетку, ограниченную на торцах дисками из электропроводящего материала, и источник импульсов высокого напряжения, положительным полюсом соединенный с камерой, а отрицательным полюсом соединенный с сеткой.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для осаждения износостойких покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство для осаждения покрытий на изделиях 3 содержит рабочую вакуумную камеру 1, мишени 4-7 планарных магнетронов на стенках камеры, источники питания 8-11 магнетронных разрядов, отрицательными полюсами соединенные с мишенями, дополнительный изолированный от камеры 1 и установленный внутри нее электрод 12 и источник постоянного тока 13, отрицательным полюсом соединенный с камерой 1, а положительным полюсом соединенный с электродом 12 и с положительными полюсами источников питания магнетронных разрядов.
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла преимущественно для осаждения тонких металлических пленок на диэлектрические подложки в вакуумной камере, и к источникам быстрых атомов и молекул газа.
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике. .
Изобретение относится к плазменной технике, а именно генерации ионных пучков с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к газонаполненным нейтронным трубкам для каротажных работ на нефтяных, газовых и рудных месторождениях. .
Изобретение относится к способам изготовления газонаполненных нейтронных трубок и формированию нейтронного потока. .
Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано в научной деятельности и технологических процессах, в которых используются пучки водородных ионов со средней интенсивностью тока в несколько миллиампер.
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации ионных пучков с большим током. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации ленточных ионных пучков. .
Изобретение относится к плазменной эмиссионной электронике, в частности к конструкции источника электронов с плазменным эмиттером, генерирующего радиально сходящиеся ленточные пучки, и может быть использовано в электронно-ионной вакуумной технологии термообработки наружных поверхностей деталей и изделий цилиндрической формы ускоренным пучком электронов.
Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано для получения тлеющего разряда (ТР) для различных целей, например для возбуждения активных сред газовых лазеров, для спектроскопии газов и их смесей для химического анализа, для создания плазмохимических реакторов и установок плазменного травления микросхем и др.
Изобретение относится к ускорительной технике. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации широких ионных пучков с большим током. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации ионных пучков с большим током. .
Изобретение относится к технике получения ионных пучков, в частности пучков многозарядных, высокозарядных и поляризованных ионов. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации ионных пучков с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации интенсивных ионных пучков с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, к источникам пучков большого поперечного сечения ионов и/или быстрых нейтральных молекул инертных и химически активных газов, а именно к плазменным эмиттерам ионов с большой эмиссионной поверхностью.
Изобретение относится к источникам ионов и может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов для нанесения покрытий на поверхности с различными целями.
Изобретение относится к технологии обработки изделий ионами в вакууме с целью их очистки и повышения адгезии наносимых покрытий с целью травления и ионной фрезеровки изделий, полировки поверхности, распыления любых материалов или с целью упрочнения и модификации поверхности имплантацией ионов.
Изобретение относится к ускорительной технике и, в частности к способам и устройствам для ионизации атомов, и может быть использовано для формирования ионных пучков низкой энергии в ионных источниках. .
Изобретение относится к технике получения ионных пучков и может быть использовано при получении пучков многозарядных ионов и высокозарядных ионов, включая ядра, полностью лишенные электронов. .
Изобретение относится к технике получения плазмы и генерации интенсивных ионных пучков с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к газоразрядным генераторам плазмы, в том числе к генераторам эмитирующей ионы плазмы устройств для ионно-плазменной обработки изделий и источников ионов для обработки изделий ионным пучком.
Изобретение относится к технике получения пучков ускоренных частиц, в том числе к технологии обработки изделий пучком большого сечения ускоренных частиц в вакууме с целью очистки и нагрева изделий для повышения адгезии наносимых покрытий, с целью упрочнения и модификации поверхности имплантацией ускоренных частиц, а также для полировки поверхности и распыления материалов.
Изобретение относится к источникам ионов, может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов и в других приложениях. .
Изобретение относится к ионно-плазменной технике и может быть использовано для получения ленточных пучков ионов, применяемых для ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления материалов, очистки, активации и полировки поверхности деталей, а также для нанесения пленок в вакууме.
Изобретение относится к газоразрядным генераторам плазмы, в том числе к генераторам эмиттирующей ионы плазмы устройств для ионно-плазменной обработки изделий и источников ионов для обработки изделий ионным пучком.
Изобретение относится к источникам ионов и может быть использовано в технологических целях для имплантации ионов, электромагнитного разделения изотопов. .