Для очистки поверхностей в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство, например путем испарения (H01J37/36)
H01J37/36 Для очистки поверхностей в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство, например путем испарения(11)
Изобретение относится к способу нанесения ионно-плазменных покрытий на статорное полукольцо с лопатками и установке для его осуществления. Способ включает размещение полуколец в вакуумной камере установки на держателе изделий, ионную очистку поверхности полуколец с лопатками и нанесение на них покрытия электродуговым испарением материала по крайней мере двух вертикально расположенных протяженных катодов.
Изобретение относится к устройствам для снятия металлических покрытий методом катодного распыления в вакууме с наружных и внутренних поверхностей изделий. Установка для снятия металлических покрытий содержит установленные в вакуумной камере обрабатываемое изделие-катод, в котором размещены внутренний анодный узел и внутренний экран, и дополнительный анодный узел, источник тока, источник питания.
Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме.
Изобретение относится к ионной технологии и может быть использовано в металлургии, машиностроении и других областях техники для выявления напряженных участков на различных конструкциях, деталях машин, а также в криминалистике и археологии.
Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки.
Изобретение относится к области магнетронного распыления материалов. Узел магнетронного распыления содержит распыляемую мишень и по меньшей мере одну плоскую магнитную систему.
Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия.
Изобретение относится к плазменной обработке с применением "плазмы тлеющего разряда" и используется для поверхностной обработки на большой площади заготовок или бесконечных материалов. .
Изобретение относится к устройствам для очистки наружных и внутренних поверхностей изделий в вакууме и может быть использовано в различных отраслях промышленности для очистки внутренних и внешних поверхностей изделий.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности. .
Изобретение относится к способу и устройству для получения плазмы электрического дугового разряда и для ее использования при нанесении покрытий на подложку. .
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии вакуумной плазмохимической обработки деталей, заготовок преимущественно электровакуумных приборов, и может быть использовано в технологии изготовления электронных приборов различного назначения.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к устройствам для получения химически активных частиц, а еще точнее, к генераторам атомарного водорода. .
Изобретение относится к очистке поверхностей изделий в вакууме, преимущественно имеющих форму тел вращения, с целью удаления с ее поверхности окисной пленки и загрязнений, закалки поверхностного слоя, удаления заусенцев и т.д.