Электроискровой способ образования отверстий в диэлектрическом изделии

 

Класс 80d, 9

„„ЯГОД Т.„;Д;:,;, „; ;1,"о >., !з q

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

P А. Лукацкая, Ю. П. Данилов и М. П. Скворцов

ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ОТВЕРСТИЙ

В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ИЗДЕЛИИ

Заявлено 4 июля 1956 т. за ЛЪ 554172 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Предмет изобретения

Предметом изобретения является электроискровой способ образования отверстий в изделиях из диэлектрического материала.

Известен уже электроискровой спосоо образования отверстий в металлах, погруженных в масляную ванну, с применением лишь одного электрода, служащего инструментом, образующим отверстие, так как вторым электродом служит сам обрабатываемый металл.

Обрабатывать по этому способу, т. е. одним электродом, диэлектрические изделия нельзя, так как изза их нетокопроводности, изделия нельзя использовать в качестве второго электрода.

В настоящем изобретении этот недостаток устранен. Это достигается путем обработки диэлектрического изделия, например стекла, двумя один над другим расположенными электродами, из которых один электрод опущен в масляную ванну с дырчатым дном, прикрываемым обрабатываемым изделием.

На чертеже схематически изображена установка для образования отверстий в диэлектрических изделиях по предлагаемому способу.

На электроды 1, которыми служат медные проволоки диаметром 1 мл, подается напряжение от индуктора

50 — 60 в. Электроды заключены в стеклянную изоляцию 2. Один из электродов находится в воздухе.

Второй электрод погружается в масло (например автол), находящееся в ванночке 3. В качестведна ванночки служат обрабатываемые изделия 4. Электроды 1 сближаются до соприкосновения с изделием.

При подаче напряжения на электроды изделие пробивается.

По этому способу получены отверстия диаметром 30 — 40 мм в стеклянных пластинках толщиной 1,8 мм и в фарфоре толщиной 1 мм. При увеличении напряжения возможно сверление и более толстых стекол.

Электроискровой способ образования отверстий в диэлектрическом изделии, погруженном в масляную № IO8936

Отв. редактор Л. Г. Голаидский

Стандартгиз. Подп. к печ. 30/I 1958 .г. Объем 0,125 п. л. Тираж 330. Цена 25 коп.

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Неглинная, д. 23. Зак. 312 ванну, с применением электрода, опущенного в ванну на изделие, о тли чающийся тем, что, с целью образования отверстия в изделии из диэлектрического материала, ванна выполнена с дырчатым дном, на которое укладывают изделие, а снизу к изделию подводят второй электрод, располагаемый против электрода, погруженного в масляную ванну.

Электроискровой способ образования отверстий в диэлектрическом изделии Электроискровой способ образования отверстий в диэлектрическом изделии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при резке полупроводниковых слитков на пластины

Изобретение относится к строительной и горнодобывающей индустрии, в частности к обработке, в том числе резко высокоэнергетической газообразивной струей твердых материалов и может быть использовано при реконструкции зданий, фундаментов тяжелого оборудования ТЭС и АЭС, замене бетонной защиты АЭС, в дорожном строительстве (замене дорожных бетонных покрытий и старых сооружений в мостостроении), при ликвидации последствий катастроф, а также при добыче и обработке природных твердых пород

Изобретение относится к инструменту, предназначенному для вставки в гнездо под инструмент ручного аппарата для долбления и/или ударного бурения, содержащему хвостовик, снабженный по меньшей мере одной аксиально закрытой фиксирующей канавкой и по меньшей мере двумя поводковыми канавками, аксиально открытыми в направлении свободного конца хвостовика
Изобретение относится к обработке минералов, камнеобработке и может найти широкое применение как в промышленности строительных материалов, в частности при производстве облицовочных плиток из природного и искусственного камней, так и в электронной промышленности, в частности при производстве полупроводниковых пластин
Изобретение относится к технологии производства облицовочных плит из блоков природного камня и может быть использовано в камнеобрабатывающей промышленности
Изобретение относится к производству облицовочных плит из природного камня, преимущественно с использованием алмазного инструмента
Наверх