Резистивный материал для тонкопленочных резисторов
РЕЗИСТИВНКЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, вольфрам, кремн:Ий и ди:оксид марганца, отличаюМ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную часть при низком значении температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%: Вольфрам 10-20 Кремний15-25 Диоксид марганца 15-30 Диоксид церия8-36 ХромОстальное
QOOI СЙВЕТСКИХ
: СВФВЭЮЮВВЮ
РЕОй%ЛИН (IQ (И) . дЩ) Н 01 С 7 00
ГОСУДРРСТВЩНЬФ КОМИТЕТ СССР люю а
ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ
Н АВЧООЮааи СвющтВВСтвм (21) 3341558/18-21 (22)28.07.81 (46)23;05 83 ° ВЬл. В 19
:(72)И. Г. Слушков В. И- Карпечен- ков, С. В. Теплицкая,.Е. И. Астров и Ю. А. Шоткин, (53)621,316.8(088 8) (56)i. Кондратов .Н. И."Резистивные материалы". Обзоры цо электронной технике. Сер. "Материалы",вып. 4 (635), 1979, с. "23.
2. Авторское свидЕтелЬСтво СССР .Ю 894804, кл. Н 01 С 7 /00, 1980 (прототип). (54)(57) РЕЗИСТИВНЫИ КАТЕРИАЛ ДДЯ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, вклвчав ций хром, вольфрам, кремний и дицксид марганца, о т л и ч а вш и и с я тем, что, с цельв расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную часть при низком значении температурного коэф фициента сопротивления, он дополни- тельно содержит диоксид церия при следукшем количественном соотношении компонентов, вес.%:
Вольфрам 10-20
Кремний 15-25
Диоксид марганца . 15-30
Диоксид церия : 8-36
Хром . - Остальное 3
1019500
Целью изобретения является расширение диапазона значений удельного
Изобретение относится к электронной технике, в частности к резисторостроению, и может быть использовано в качестве проводящего слоя для тонкопленочных резисторов и для элементов схем, полученных методом ноно- 5 плазменного напыления.
Известны реэистивные материалы на основе тугоплавких металлов и их соединений, применяемые для получения тонких пленок методом ионно- 1р плазменного напыления, например
Cr-Я., Cr-Si0 )1)
Однако известные резистивные материалы, разработанные для получения реэистивных пленок на ситалло- 5 вых подложках, не позволяют получать резисторы с необходимыми параметрами по величине удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления (ТКС ) при металлиэации на квазинепрерывных ионноплаэменных установках: при металлиэации высокоомным сплавом PC получены пленки с удельным сопротивлением до 3000 Ом/о при TKC 500. 10 1/ С.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности к предла:гаемому является резистивный матери-,,ал $2), представляющий собой сплав хрома, вольфрама, кремния и двуоки си марганца, при следующем количественном соотношении, вес.Ъ:
Вольфрам 2-15
Кремний 2-15
Двуокись марганца 2-30
Хром Остальное сопротивления в высокоомную область при низком значении температурного коэффициента сопротивления пленочных резисторов.
Поставленная цель достигается тем, что в резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, и диоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонен-. тов, вес.Ъ:
Вольфрам 10-20
Кремний 15-25
Диоксид марганца .15-30
Диоксид церия .8-36
Хром Остальное
Введение в известный резистив- ный материал двуокиси церия — оксица металла с большим атомным весомпоэволяет .расширить диапазон удельных сопротивлений реэистивных пленок, получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком (для высокоомного диапазона) ТКС в пределах (150-400). 10 1/ C и при сохранении во всем. диапазоне высокой стабильности их свойств во времени при температуре окружающей среды от -60 до +155 С.
Пример. Для получения мишеней иэ резистивного материала готовят четыре порошкообраэные смеси.
В табл. 1 приведен состав предла гаемой смеси.
Мишени для ионно-плазменного распыления предлагаемого резистивного мате-, риала получены прессованием порошко вой шихты со связкой поливинилового . спирта и дальнейшим спеканирм спрессованных мишеней в водороде при 1150-
1200 С.
Характеристики резистивных пленок, полученных распылением мишеней иэ предлагаемого резистивного материала, представлены в табл. 2.
Полученные из предлагаемого резистивного материала резистивные пленки имеют более высокие значения удель- ного сопротивления (12 10Г Ом/о по
Э сравнению с пленками из известного ма териала, т.е. получены реэистивные пленки с низким ТКС(1 400 10 1/ С) в высокоомном диапазоне значений удельного сопротивления.
Таблица 1
«» » ««
Содержание вес.% в смеси
Хром Вольфрам Кремний
Cr И Si
37
20
28
22
28
Однако получить.на основе известной композиции путем изменения содержания компонентов пленки с низким
ТКС в высокоомной области невозможнб.,i 40 так как увеличение содержания МпС свыше 30 вес,В ведет при МпО мишеней к значительному образованию интер-. металлических .соединений типа силици- . дов, не обеспечивающих получение ре- 45 зистивной пленки с высокоомным диапазоном. Поэтому резистивный материал при ионно-плазменном распылении позаолит получать реэистивные пленки с величиной TKC +300 10 1/ С при удель 5р
Ном сопротивлении (р) до 5000 Ом/о, а при более высоких значениях удель,ного сопротивления ТКС этих пленок . возрастает по абсолютной величине.
Оксид мар- Оксид ганца МпО> церия Cgg
1019500
Т а б л и и а 2
ТКС.10-6 1/ "С
Удельное сопротивление, ! Р Ом/p
Смесь от -220 до +500
Составитель Е. Ковалева
Техред:ИД(остии Корректор В. ГирлякРедактор Л. Гратилло
Закаэ 3714/46,. Тирам 703 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
- по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Ваумская иаб.:., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Уигород, ул. Проектная, 4
200-1000
1500-4000
1700"5000
8000-12000 от -70 до +150
1 от -150 до +100 от -140 до +150
