Керамический материал

 

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе твердых растворов ВаТЮз BaZrO - MgNbj O , отличаюU н и с я тем, что, с целью повышеиня диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления , он дополнительно содержит при следующем соотношении ксяшонентов, мае. %: BaTiOj 84,00-90,45 ВаггОз 8,20-14,80 MgNb-O, 0,40-1,30 8Ь20э 0,05-0,80

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

3С58 04 В 35 46

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ с", ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСНбМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

-..,(2i) 3399220/29-33 . (22) 01.03.82

° ° ° ° °

46) 30.07.83. Вюл. Ф 28

72) A.И.Акимов, В.Э.Павловская, В.П.Яруничев, В.P.Ñîêîëoâñêèé, Л.И.Панов и 3.A.Ìÿëúäóí (33) 666.655(088.8) 56 1. Авторское свидетельство СССР.

Р -785243, кл. С 04 В 35/00, 1980, 2. Авторское свидетельство СССР

В. 654581, клъ С- 04 В 35/46, 1979 (прототип ).

„„SU„;, 1031953 А (54)(57) ЖРАИИЧЕСКИй МАТЕРИАЛ на основе твердых растворов ВаТ10 BaZrO5 « «l6gNb 0«о т л и ч а юш н и с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаем6сти и удельного объемного сопротивления, он дополнительно садериит

ЗЬ О при следуюцем соотношении компонентов, мас.В:

BaTi0 84,00-90,45

Ва2х0З 8, 20-14,80

М90Ь206 0,40-1,30

Sb203 0,05-0,80

1031953

Т а б л и ц а 1

Содержание компонентов, мас.% (т Компоненты

90,45

84,00

14,80

86,70

12,00

BaTi0

Ва2пО

XgNb 206

8,20 1,30

1,10

0,40

2 3

0,05

0,80

0,20

Изобретение относится к керамическим материалам, может быть использовано в электронной технике для изготовления низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью.

Известен керамический материал на основе окислов цинка, бария, титана, висита и ниобия, который имеет большие диэлектрические. потери и может быть использован лишь в производстве низковольтных Конден-„ саторов (1 ).

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является материал на основе твердых растворов BaTi03 - BaZr0> - NgNb20% (2).

Керамический материал содержит .компоненты при следующем соотношении, мас.%:

Ват3;О> 83,2-90,6

BafrO 8,0-16,0

N×Nb2 6

Недостатком материала является относительно невысокоЕ значение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления.

Материал имеет диэлектрическую проницаемость (12-20)10З,. тангенс угла диэлектрических потерь (0,43,0 )10 2, удельное объемное сопротивление (7.10"- 5-10 ) Ом м.

Цель. изобретения — повышение диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления.

Указанная цель достигается тем,,что керамический материал на основе твердых растворов Ват10 > - BaZr03NgNb2O< дополнительно содержит Sb20> при следующем соотношении компонентов. мас.%". ват10 84-90,45

BaZrOÝ 8,20-14,80

"-gNb2O6 0,40-1,30

Sb2Oy 0,05- 0,80

Ионы сурьмы, входя в кристаллическую решетку твердого раствора

BaTiO3 - Ba2rO3 - NgNb2O<, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношение между компонентами ВаТ10» BaZr03 и

HgNb206 берется таким, тобы точка

5 Кюри была вблизи 15-30 С, Оптимальная добавка Sb20 находится в пределах 0,05 — 0,8 мас.% и

2 3 при дальнейшем увеличении ее количестна диэлектрическая проницаемость, 10 удельное объемное сопротивление уменьшаются, а диэлектрические потери увеличиваются.,Кроме того, несколько уменьшается температурный диапазон спекания, а температурная зависимость F становится хуже. Если же добавка $Ь20З меньше, чем

0,05 мас.%,несколько повышается температура спекания, а диэлектрическая проницаемость и удельное объемное сопротивление уменьшаются.

Для получения кинематического материала приготавливают смесь из предварительно синтезированных

Ват10, Ba2rO>, MqNb20 и Sb20, взятых в необходимых соотношениях, и затем измельчают. Из смеси получают образцы прессованием в виде дисков, которые обжигают в электрической силитовой печи при 13501400 С в течение 2 ч.

Для получени конденсаторного ке« рамического материала готовят три смеси ингредиентов, составы которых представлены в табл. 1.

Электрические свойства полученных конденсаторных керамических материалов приведены в табл. 2.

Применение предлагаемого керамического конденсаторного материала

s микросхемах и радиоэлектронных компонентах позволяет уменьшить габариты изделий путем повышения удельной емкости и уменьшения размеров, и эко номить драгоценные металлы, исполь45 зуемые для электродов.

1031953

Т а б л и ц а 2 ее ее

1. г

Состав

+85 С, 8 -60 С е еее

2,7

8,0

3 . 26800

0,01

0,8 ее Фее» в

Составитель Н. Соболева

Редактор О. Сопко Техред О.Неце Корректор В. Вутяга в

Заказ 5320/27 Тираа б 22 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 е

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,4> ееееевеевее

Диэлектрическая проницае-. мость Ф,.

f а(1 кгц l

22300

2 42000

Тангенс! . угла диэлектри- . ческих потерь, tgd"

0,009

0,003

Удельное объемное сопротивление, (ом-м } 10 Р

Относительное изменение

g npu T +85OC и. Т ®

60 С по сравнению с E при T = 20 С,. в,8

75 80

82 88

74 83