Способ генерации ионов

 

(19)SU(11)1040967(13)A1(51)  МПК 6    H01J27/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ ИОНОВ

Изобретение относится к способам генерации ионов и может быть использовано при получении мощных направленных потоков многоразрядных ионов различных веществ. Известны способы генерации ионов, основанные на осуществление разряда в разрядной камере и последующем извлечении и формировании пучка ионов с помощью электростатических систем ускорения. Известные способы могут обеспечить получение пучков ионов различной кратности, однако из-за ограничений по пространственному заряду не эффективны при создании пучков с высокой плотностью тока. Наиболее близким к изобретению является способ генерации ионов, включающий подачу рабочего вещества в виде пара или газа, эмиссию электронов и зажигание несамостоятельного разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях с замкнутым дрейфом электронов в разрядном промежутке, образованном ионным анодом и катодами. Недостатком известного способа является возможность получения лишь однократно заряженных ионов. Это связано со спецификой разряда у скрещенных ЕхН полях с анодным слоем. Известно, что газовая экономичность в таких разрядах m= где n, v концентрация ионов (индекс "i") и атомов ("н") соответственно
Отсюда
Требуемая газовая экономичность составляет обычно m 0,95. Скорость ионов vi при используемых обычно на разряде напряжениях 150-200 В составляет 1,2 106 1,35 106 см/с, а скорость нейтралов vн 2104 см/с. Поэтому > 3
Таким образом, в этом случае электроны в разряде испытывают столкновение главным образом с нейтралами, и вероятность повторной ионизации ионов очень низка. Действительно, полученные спектрограммы такого разряда не содержат указаний на присутствие в нем многозарядных ионов. Для получения двухзарядных ионов необходимо, чтобы было 1. Оценка по формуле (1) показывает, что для этого необходимо, чтобы скорость ионов составляла 3,8 105 см/с, т.е. пройденная ими разность потенциалов до повторной ионизации должна быть менее 20 В. Энергия ионов в таком разряде Wi 0,5 е V поэтому напряжение на разрядной камере Vp должно быть меньше 40 В. Однако для подавляющего большинства рабочих веществ при таких напряжениях проблематично не только получение двухзарядных ионов по известному способу, но и само осуществление разряда. Целью изобретения является получение двухзарядных ионов. Эта цель достигается тем, что согласно способу генерации ионов, включающему подачу рабочего вещества в виде пара или газа, эмиссию электронов и зажигание несамостоятельного разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях с замкнутым дрейфом электронов в разрядном промежутке, образованном полым анодом и катодами, плотность расхода рабочего вещества и напряженность магнитного поля выбирают из условия поддержания напряжения разряда не менее пяти потенциалов двукратной ионизации атомов рабочего вещества. Кроме того, для повышения энергии ионов за катодами разрядного промежутка могут зажигать дополнительный разряд с ускоряющим слоем. Для получения двухзарядных ионов необходимо так организовать разряд, чтобы при напряжении на ней Vр 40 мВ ионизация вещества происходила в основном с протяженной прианодной области, падение напряжения на которой составляло бы 20 В. Теоретические и экспериментальные исследования показали, что такую структуру разряда можно организовать определенным подбором внешних параметров (магнитного поля, напряжения, расхода рабочего вещества при использовании полого анода). При этом величина напряженности магнитного поля должна быть не выше 300 Э. Разряд при этом становится несамостоятельным, и для его поддержания необходимо использовать источник электронов. Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство, реализующее настоящий способ. Устройство (ускоритель с анодным слоем) содержит полый анод 1, через который подается рабочее вещество в разрядную камеру, образованную полым анодом и катодами 2, магнитную систему 3, катоды 4 и источник 5 электронов одного из известных типов. Анод 1 и катоды 2 подсоединены к источнику питания разряда (на чертеже не показан). Катоды 2 подсоединены также к положительному полюсу другого источника (питания ускоряющего анодного слоя), отрицательный полюс которого соединен с катодами 4 и источником электронов 5. Способ реализуется следующим образом. При подаче напряжения между анодом и катодами разрядной камеры и магнитного поля в межполюсном зазоре загорается разряд в потоке рабочего вещества со стороны анода. При соответствующем выборе величины магнитного поля и плотности расхода рабочего вещества реализуется несамостоятельная мода разряда длин при напряжении разряда, в пять и более раз превышающего потенциал двукратной ионизации. Конкретные величины магнитного поля Н и плотности расхода вещества Jн могут зависеть от рода рабочего газа. Однако, как показали эксперименты, для большинства рабочих веществ
H 300 Э jн 1018 1/см2c. В этом случае (за счет увеличения ларморовского радиуса электронов) разряд распространяется вглубь анодной полости, т.е. ионизация вещества становится возможной уже не только в анодном слое, но и внутри анода. Распространение разряда вглубь анодной полости является причиной образования двухзарядных ионов. Увеличение расхода рабочего вещества (при соответствующих разрядном напряжении и напряженности магнитного поля) приводит к увеличению частоты столкновения электронов с нейтральными атомами и, в конечном счете, к увеличению концентрации двухзарядных ионов. Образованные ионы ускоряются в остальной области разряда и в виде слабо расходящегося потока выходят из ускорителя. В случае, когда катоды 2 и 4 находятся под одним потенциалом, устройство работает как одноступенчатый ускоритель, и энергия ионов Wi ZeVp (Z- кратность заряда иона). При подаче напряжения Vу между катодами 2 и 4 происходит дополнительное ускорение ионов в анодном слое, и их энергия становится равной примерно Ze(Vp Vy). Способ проверялся путем использования устройства на двух различных рабочих веществах висмуте и цезии. В ускорителе использовался полый анод, из которого производилась подача рабочего вещества в разрядную камеру. В случае работы ускорителя в одноступенчатом варианте использовался плазменный источник электронов на основе полого катода, который для облегчения зажигания разряда и устойчивого его горения располагался в магнитном поле на расстоянии 20-100 мм от среза ускорителя. Испытания показали, что при осуществлении самостоятельного разряда (Н > 300 Э, jm 1018 ) ускоритель формирует ионный пучок, в котором практически отсутствуют многозарядные ионы. Существующая ускорительная аппаратура позволяет надежно идентифицировать только однозарядные и двухзарядные ионы. При снижении магнитного поля Н < 300 Э разряд становится несамостоятельным, но этих условий для генерации многозарядных условий ионов оказывается недостаточно, и требуется достаточно большая величина напряжения разряда. Так, заметное количество двухразрядных ионов цезия наблюдалось только при значении Vр> 120 В. Это значение примерно соответствует пяти потенциалам, необходимым для отрыва второго электрона от атома цезия. При плотности потока jн= 1018 , H 130 Э и Vр 500 В доля двухразрядных ионов достигает 80-90% от потока нейтральных атомов. В случае использования висмута при jн= 61018 , Н 150 Э Vp 500 B количество двухразрядных ионов достигало 60% С увеличением Vр до 1300 В количество двухразрядных ионов увеличивается до 90% Таким образом, экспериментально подтверждено, что, используя предлагаемый способ, за счет выбора указанных режимных параметров с помощью УАС можно получать потоки почти полностью состоящие из двухразрядных ионов. По сравнению с известными способами генерации многозарядных ионов данный способ обладает значительно большей энергетической эффективностью. В упомянутых экспериментах ток разряда всего в два раза превышает ток ионного пучка, который на 90% состоял из двухзарядных ионов. Вложенная в разряд мощность расходуется на ионообразование и ускорение ионов. КПД ускорения двухзарядных ионов оказывается близким к 0,9, т.е. суммарные затраты на ионообразование составляют около 10-15% мощности, вложенной в разряд. Таким образом, изобретение позволяет реализовать эффективный и энергоэкономичный способ получения интенсивных пучков двухзарядных ионов, которые могут найти применение в физических исследованиях и ионно-лучевой технологии.


Формула изобретения

1. СПОСОБ ГЕНЕРАЦИИ ИОНОВ, включающий подачу рабочего вещества в виде пара или газа, эмиссию электронов и зажигание несамостоятельного разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях с замкнутым дрейфом электронов в разрядном промежутке, образованном полым анодом и катодами, отличающийся тем, что, с целью получения двухзарядных ионов, плотность расхода рабочего вещества и напряженность магнитного поля выбирают из условия поддержания напряжения разряда не менее пяти потенциалов двухкратной ионизации атомов рабочего вещества. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии ионов, за катодами разрядного промежутка зажигают дополнительный разряд с ускоряющим анодным слоем.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для получения интенсивных пучков ионов большой площади поперечного сечения произвольной формы с равномерным распределением плотности тока по сечению пучка, которые могут быть использованы для различных технологических операций в высоком вакууме (например, травление, нанесение тонких пленок, легирование), а также в ускорительной технике

Изобретение относится к газоразрядной плазменной технике и технологии, в частности к устройствам генерации низкотемпературной газоразрядной плазмы в больших объемах

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях

Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для получения мощных, высокооднородных пучков ленточной геометрии

Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок

Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении интегральных схем с большой информационной емкостью методом литографии, а также в других процессах прецизионной обработки поверхности материалов ионным лучом, например нанесение на субстрат рисунков с изменением в нем поверхностных свойств материалов, в частности изменение типа проводимости в полупроводниковых материалах путем внедрения легирующих ионов, изменение других физических свойств материала за счет внедрения одноименных и инородных ионов, создание на поверхности новых слоев в результате осаждения атомов вещества из окружающих паров облака под влиянием падающих ионов, удаление вещества с поверхности субстрата в результате его распыления

Изобретение относится к технике получения импульсных мощных ионных пучков

Изобретение относится к ионным источникам и может быть использовано в масс-спектрометрии для элементного анализа жидкостей и газов, в ионной технологии и т.д

Изобретение относится к ионным источникам с закрытым дрейфом электронов, которые могут быть использованы в качестве двигателей, в частности, для космических кораблей, либо в качестве ионных источников для промышленных операций, например нанесение покрытий напыления в вакууме

Изобретение относится к ионным источникам для циклотронов (внутренним, закрытого типа) и может использоваться в циклотронной технике
Наверх