Резистивный материал
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (,,,-) ( Со, Мг,-,) с, при следующем соотношении компонентов , вес.%: Диоксид рутения 30-40 Полупроводниковое соединение общей формулы 12-20 ( Ьа(,5 ОубУ 0, ,7 Свинцовоборосиликат .| Остальное ное стекло (Л
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (11) )(Я) Н 01 С 7 00
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, " ::::::::,, !3 н Авторскому свюетельству (21) 3438940/18-21 (22) 14.05.82 (46) 15.10.83. Бюл. 9 38 (53) 621.316.8(088.8) (56) 1. Патент Великобритании
9 1130575, кл. Н 01 С 7/ 00, 1969. (72) Г.М. Иванов, Ю.П. Юсов, О.A.Тро- ицкая, В.П. Березина, Я. В Павлоцкий, Т.П. Ульянова и A ..О. блеск
2. Колдашов Н.Д., Красов В.Г., Петрова В.З., 1))утова Р.Ф. Толстолленочные резисторы на основе соедине« ния рутения. Сб. "Электронная техника", с.3, "Микроэлектроника", вып.5 (77), 1978, с. 97-105 (прототип). (54)(57) РЕВИСТИВНЫй МАТЕРИАЛ, вклю- чающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит полупроводниковое соединение общей формулы (L
Диоксид рутения 30-40
Полупроводниковое соединение общей формулы (LRppqC8pp ) (Copy " о ) ; 12-20
Св инцовоборос ил и к ат— ное стекло Остальное . Е
Р, 1048523
Свойства резистивного материала
Соо тав, В
Состав резистивного -материала, вес. Ф
Сопротив,— ление, кОм
Свинцово боросили катное стекло
Температурный коэффициент сопротивления, 10 1/ С
Полупроводни ковое соединение (La + х х(Со. Mn . ). О
> \
Диоксид рутения при при ("60) - (+25) С 25 - 155 С
48 . 0,840
47 2,700
50 17;120
70, 2,050
+13
+25
40
-16
+14
37 —,24
-17
30
4 30
Прототип
+300
+380
Соо т ав ит ель Ю. Герас ичк ин
Редактор Т.Парфенова Техред Л. Микеш Корректор Г.Решетник
Заказ 7941/57 Тираж 703 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытиЯ
113035, Москва, Ж-35, ушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится. к электрон иой технике и может быть использовано в технологии изготовления постоянных и переменных резисторов и интегральных микросхем. ъ
Известен ре з истив ный материал, со- 5 держащий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло f13.
Недостаток известного резистивного материала состоит в высоком температурном коэФФициенте сопротивле- Ю ния.
Наиболее близким к изобретению является реэистивный материал, содержащий диоксид рутения и свинцовобо-, росиликатное стекло 2(. 15
Однако у известного. реэистивного материала высокий температурный коэффициент сопротивления.
Цель изобретения уменьшение температурного коэффициента сопротив-+ ления.
Цель достигается тем, что реэистивиый материал, включающий диоксид рутения и свинцовоборосиликатное стекло, дополнительно. содержит полу- 25 прородниковое соединение общей формулы (ЬазЗ Са ).(Созе 14по7) ОЗ при следующеМ соотношении компонентов, вес.%г
Диоксид рутения 30-40
Полупроводниковое соединение общей формулы (La gCa<><)
x(Co, Mn+ ) ° 01 12- 20
Св инцовоборосиликатное стекло Остальное
Для получения резистивного материала приготовляют три смеси компонентов.
В таблице приведены составы и свойства реэистивного материала.
Каждую смесь получают перемешиванием предварительно измельченных компонентов с органической связкой затем реэистивный материал наносят на керамические подложки методом сеткотрафаретной печати н обжигают на воздухе при 850-900 С с последующим нанесением контактивных площадоке
Изобретение позволяет уменьшить температурный коэффициент сопротивления реэистивного материала и noBtilсить стабильность изготовляемых на его основе резисторов.
