Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, содержащий пиролизованный тсфф, лепфованный алкжшнием, и силикатное связуюшее , отличающийся тем, что, с целью увеличения энергии рассеяния в уменьшения удельного электрического сопротивления , он содержит указанные ксадпоненты в следующих количествах, вес. %; Пиропвзованный торф, легированвый алюминием14-61 Силикатное связукзшее39-86

„„ЯЦ„„1030863 .. А

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

36SD 01 С 7/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ CCCP

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ::H АВТОРСКОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ с

Ъ (21) 33381 18/18-21 ((22) 21 09 81 (46) -23.07.83. Бюл. % 27 (72) Р.В. Манчук, Л.С. Власенко, В.Г. Катков, П.И. Белькович, К.А. Гайдук, A.È. Киселева, В.E. Тушинская, Л.E. Врублевский и A.А. Жаворонков (71) Сибирский научно-исслеповательский институт энергетики, Инс ти тут. торфа А Н Бел орусской ССР и Опытное ироизвопственно-техническое препприятие "Эиерготехпром (53) 621.316.8 (088.8) (56) 1.. Авторское свидетельство СССР

Ж 484573 кл. Н 01 С 7/00, 1975.

2. Тезисы докладов республиканского научнотехыкческого совещания Проблемы переработки твердых горючих ископаемых,.

Минск, 1980, с. 78 (прототип). (54)(57) РЕЗИСТИВНЫ Й МАТЕРИАЛ, содержащий пиролизованный торф, легированный алюминием, и. силикатное связующее, отличающийсятем, что, с целью увеличения энергии рассеяния и уменьшения удельного электрического сопротивления, он содержит указанные ком поненты в следуквцих количествах, вес.%:

Пироаизованный торф, легированный алюминием 14-61

Силикатное. связуишее 39-86

2, 63,5-5, Предлагаемая 2

5 10

2,7-3,0

230-240

350-360

61

10-10

Изрестная

50-100

1,5 4,5

3-10

ВНИИПИ Заказ 5223/52 Тираж 703 Подписное

Филиал ППП. Патент, и. Ужгород, ул. Проектная, 4

1 10308

Изобретение относится к электронной . технике и может быть использовано в технологии изготовления мощных резисторов, применяемых в качестве шунтирунж их сопротивлений в высоковольтных Выключат&- 5 лях, Известен резистивный материал, содержащий портландцемент, порошок углерода, воду и диэлектрический наполнитель (1). Недостатки данного резистивного мате- 10 риала состоят, в низкой энергии рассеяния {120-260 Дж/cMЗ ) и низком коэффициенте нелинейности.

Наиболее близким к изобретению тех: ническим решением является резистивный 15 ! материал, содержащий пиролизованный торф, " легированный алюминием, и силикатное связующее (2), Недостатки .. известного реэистивного материала заключаются в низкой энергии 20 рассеяния и BblcDKDM удельном. электрическом сопротивлении.

Пель изобретения. - увеличение энергии рассеяния и уменьшение удельного электрического сопротивления . 25

Цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий пиропизованный торф,; легированный алюминием; и силикатное связующее, содержит указанные компоненты в следуккцих количествах, вес. %: З0

Пиролизованный торф, легированный алюминием I4-61

Силикатное связующее 39-86

Сущность изобретения состоит s том,, что с увеличением В cocrase реэистивного З5 материала количественного содержания пиролизованного торфа, легированного алюминием, в качестве электропроводной-фазы, увеличивается ее энергоемкость, а благодаря высокому собственному сопротивлению и химической связи металла с углеродом в пиролизованном торфе, легированном алюминием, повышается переходное сопротивление между частицами электропроводной фазы, в результате чего увели- . чивается энергия рассеяния и уменьшается удельное электрическое сопротивление резистивного материала.

Для получения реэистивного материала было изготовлено три смеси компонентов.

Составы и свойства реэистивного материала приведены в таблице.

Каждую смесь. приготовляли следующим образом. Исходные компоненты перемешивали При комнатной температуре в тече-ние 30 мин в вибромельнице до получения однородной массы. Полученную смесь укладывали в пресс-форму и прессовали под давлением 250-500кгс/см2, выдерживали материал при этом давлении в течение 12 мин, извлекали отцрессованный материал из пресс-формы, выдерживали его при комнатной температуре в течение 24 ч и сушили до постоянного веса при 250 С.

13 качестве силикатного связующего может быть использован портландцемент или жидкое стекло с диэлектрическим напап ителем.

Изобретение цозволяет улучшить такие свойства резистивного материала, как удельное электрическое сопротивл жие, удельная энергия рассеяния, коэффициент нелинейности и повысить надежность работы резисторов и высоковольтных выипочатепей, в которых они применяются.

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Резистор // 1014047

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх