Терморезистор

 

ТЕРМОРЕЗИСТОР, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогениднбго полугпровбдникового материала и пленка защитного , о т л и .ч а щ и и с я тем, что с цельюрасширения диапазона рабочих температур терморезисторов, в качестве халькогенидного полупроводникового материала, термочувствительного элемента испбльэована пленка моносульфида европия, при этом толщина пленки ьюносульфида европия составляет 15-30 толщины пленки защитного покрытия.

(191 (11) СОЮЗ СОВЕТСНИХ

ЮЛЮ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

3(511 Н 01 С 7/00 г,Н CBTOPCNOMY CBWIBTUIBCTB Y (21) 3463947/18-21 (22) 05..07.82 (46) 30.12.83.. Бюл. 9 48 .(72) Л.С.Палатник, В.E.Ìàðèí÷åâà, Y.Н.Набека и В.Н.Тупикина (71) Харьковский ордена Ленина политехнический институт им. S.É.Ëåнина (53). 621 ° 316 .82,(088.8) (5б) 1.Авторское. свидетельство СССР .9 .247557, кл. Н 01 С 7/00, 1969.

2. Авторское свидетельство СССР

9 819825, кл. H Ol С 7/00, 1981 (прототип). (54)(57) ТЕРИОРЕЗИСТОР, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогенидного полу-. проводникового.материала и пленка защитного покрытия, о т л и .ч аю шийся тем, что с целью, расщирения диапазона рабочих температур терморезисторов, в качестве халькогенндного полупроводникового материала.термочувствительного элемента использована пленка моносульфида европия, при этом толщина пленки моносулъфида европия составляет 15-30 толщины пленки защитного покрытия.

1064323 Максимальная рабочая температура, С

Толщина пленки, мкм

ТКС.

1/град.

Температура исп 1тания,ОC

Подложка

Si0

EuS

0,04

800

0,02

0,45

Слюда

0,015

0,015

600

0,55

0,10

-90

Ситалл

0,55

600

0,04

Ситалл

0,01

1000

0,60

0,10

-90, Лейкосапфир

0,01

0,60

1000

0,01

600

Лейкосапфир

0,008

Лейкосапфир

1000

0,01

0,60

900

ВНИИПИ Заказ 10539/52 Тираж 703 Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðoä,óë.Ïðoåêòíàÿ,4.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС)., Известен терморезистср, содержащий изолируюшую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из нитрида галлия и пленка защитного . экрытия f1) .

Недостаток данного терморезистора состоит в узком диапазоне рабочих температур (до 350 C) .

Наиболее близким к предлагаемому является терморезистор, содержащий 15 изолируюшую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент из халькогенидного полупроводникового материала (Sb Siq) и пленка защитного покрытия t21

Недостаток известного терморезистора заключается в узком диапазоне рабочих температур (до 250 С).

Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур термо резистора.

Указанная цель достигается тем, что в терморезисторе, содержащем изолирующую подложку, на которой расположены термочувствительный элемент иэ халькогенидного полупроводникового материала и пленка защитного покрытия, в качестве халькогенидного полупроводникового материаS

Изобретение позволяет расширить диапазон рабочих температур терморезисторов и область их использования и может быть использовано для ла термочувствительного элемента использована пленка моносульфйда ев.— ропия, при этом толщина пленки моносульфида европия составляет

15-30 толщины пленки зашитного покрытия.

Использование пленки моносульфида европия в качестве материала термочувствительного элемента позволяет расширить температурный диапазон терморезистора от температуры кипения жидкого азота до температуры сублимации моносульфида европия (EuS) в вакууме 10 Па.

При изменении температуры от. -90 до

900ОC злектропроводность пленки

EuS ихменяется по экспоненциальноьу закону на 10. порядков от

7 ° 10 до 2 10 Ом. При температуре

-90ОC величина ТКС g = 1 10 1/град., при температуре 500 С аС =1 ° 10 1/град.

Энергия активации проводимости при температурах выше 600 С составляет

E -— 0,88 эВ, что обеспечивает высокйй ТКС.

Изготовлены терморезиаторы, состоящие из двух слоев — пленки EuS толщиной О;5-0,6 мкм диаметром 6 мм и защитной пленки 5 0 толшиной 0,010,02 мкм диаметром 8 мм, нанесенных на подложки из лейкосапфира, слюды, ситалла.

В таблице приведены характеристики терморезисторов и результаты их испытаний. изменения температуры окружающей среды или поверхности, на которую нанесена пленка из моносульфида европия.