Композиционный материал для толстопленочных резисторов


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, о тличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве проводящей фазы он содержит алюминий, в качестве кислородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнительно содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.% Алюминий2,0-4,4 Борный ангидрид 15,9-24,0 Борнокислый 17,7-26,0 свинец Борнокислый 17,7-26,0 (барий Триоксид вольОстальное фрама с €

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(51) Н 01 (7 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

17,7-26,0

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3390862/18-21 (22). 28.01.82 (46) 23.02,84. Бюл. Р 7 (72) N.Ю.Блесткин, С.Ф.Казанцев и О.С.Денисова (53) 621.316.8(088.8) (56) 1. Патент США Р 3839231, кл. Н 01 С 7/00, 1976.

2. Патент США Р 3480566, кл. Н 01 С 7/00, 1970 (прототип).. (54)(57) КОМПОЗЙЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ

ДЛЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, о тл и ч а ю шийся тем, что, с (19, и, A целью снижения температурного коэффициента сопротивления, в качестве проводящей фазы он содержит алюминий, в качестве кислородсодержащего соединения свинца - борнокислый свинец и дополнительно содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%г

Алюминий 2,0-4,4

Борный ангидрид 15,9-24,0

Борнокислый свинец 17, 7-26,0

Борнокислый барий

Триоксид вольфрама Остальное

1075315

Изобретение относится к электрон-1

hoA технике и может быть использовано в технологии получения композиционных материалов для толстопленочных резисторов, изготовляемых методом трафаретной печати в производст; ве интегральных микросхем и гибридных микросборок.

Известен композиционный материал для толстопленочных резисторов, содержащий проводящую фазу на основе 10 драгоценных металлов и стеклосвязку на основе оксидов металлов переменной валентности (1) .

Недостаток композиционного материала состоит в относительно высоком 15 температурном коэффициенте сопротивления (Tl;C . +500 ° 10 6- -500 ° 10 6 1/ С), Наиболее близким к изобретению является композиционный материал для толстопленочных резисторов, содержащий проводящую фазу на основе драгоценных металлов, триоксид вольфрама, борный ангидрид и оксид свинца -(2).

17,7-26,0

В таблице приведены составы и свойства шести смесей компонентов едостаток известного композицион 25 ного материала заключается в относительно высоком ТКС (+500 10

»5QQ -10 6 1/@С) .

Цель изобретения — снижение ТКС.

Цель достигается тем, что композиционный материал для толстопленочных резисторов, включающий проводящую фазу, триоксид вольфрама, борный ангидрид и кислородсодержащее соединение свинца, в качестве проводящей фазы содержит алюминий,: в качестве кисиородсодержащего соединения свинца — борнокислый свинец и дополнитель. но содержит борнокислый барий при следующем количественном соотношении компонентов, мас.Ъ: 40

Алюминий 2,0-4,4

Борный ангидрид 15,9-24,0

Борнокислый свинец

Борнокислый 45 барий 17,7-26,0

Триоксид воль. фрама Остальное для получения композиционного материала °

Каждую смесь получают следующим образом.

Оксид вольфрама (МРТу 6-09-4676-67), алюминиевую пудру (IIAII-1, ГОСТ 5494-71), борнокислый свинец (мета ), водный, прокаленный до постоянного веса (МРТУ 6-0933-45-66), борнокислый барий (мета ), двухводный, прокаленный до постоянного веса (ИРТУ 6-09-1356-64), и борный ангидрид измельчают до размера частиц 3-5 мкм, смешивают, помещают в нихромовом тигле Х20Н80 в муфельную печь типа СНОЛ-1 6.2, 55, 1/11, нагревают до 850-900 С в воздушной атмосфере и выдерживают в течение

3-5 мин. После остывания на воздухе полученную стекловидную массу измельчают в шаровой мельнице до размера частиц 2-3 мкм, полученный порошок смешивают с.органической связкой, в качестве которой используют смесь ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в соотношении 15:3:1 (согласно OCT

4.ГО.054.240 "Пасты толстопленоч.— ные"). Соотношение порошка и органической связки составляет 6:1. Полученную таким образом пасту наносят через трафарет методом трафаретной печати по ОСТ 4.ГО.054.240 на керамические подложки с коммутационным слоем.

Подложки с нанесенным микрорисунком помещают в муфельную песь с воздушной атмосферой, нагревают со скоростью 15+20С/мин до 650+10 C, . выдерживают в течение 5-15 мин и охлаждают на воздухе до комнатной температуры со скоростью 18-20 С/мнн.

Затем проводят измерения ТКС в соответствии с ГОСТ15478-70, удельного электрического сопротивления и влагоустойчивости.

Изобретение позволяет снизить ТКС композиционного материала для толстопленочных резисторов, повысить надежность использующих их микросхем и снизить их стоимость эа счет исключения драгоценных металлов иэ состава композиционного материала.

1075315

ТКС, Л град к

0-6

Смесь

Влагоустойчивость, %

Компоненты и их содержание, мас.Ъ, в смеси

A2 Ba(BOg Pb(BO2 ) B2O

WO>

0MjD

1 44,3 4,4 17,7

150 5,6

17,7 15,9 13,4 10% 5+10%

2 32,9 3,4 21,9

100+10% 130 5,6

19, 9 240+10%

21,9

24,0 230-10+20% 100 ° 10 20% 80

5,0

16, 8 16, 5+10% 8, 1+10% 140 5, 3

22,1 18,1 255+10% 100+10% 120 5,4

5 34,1 4,0 21,7

21,0 200. 10 «+15% 90 10 и 15% 80

5,1

6 27,5 2,0 25,0

24,5

Составитель .Ю.Герасичкин

ТехредИ.Гергель Корректор A.ôåðåíö

Редактор И.Мулла

Заказ 513/45 Тираж 683

ВНИШШ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подпи сное

Филиал ППП "Патент", r.Óæãîðîä, ул.Проектная, 4.3 21,3 2,7 26,0 26,0

4 44,5 . -2,9 17,7 18,1

Удельное электрическое сопротивление после синтеза, Удельное электрическое сопротив ление после вжигания, OM/0

i, !

Композиционный материал для толстопленочных резисторов Композиционный материал для толстопленочных резисторов Композиционный материал для толстопленочных резисторов Композиционный материал для толстопленочных резисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх