Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЛОМИНАЩИХ .МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на плетении числовых и киперных обмоток на технологических струнах петум пропус сания провода вместе с ограничитальной прокладкой через зев, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, заливке матриц , компаундом и извлечении технологичес ких струн, отличающийся тем, что, с целью повьшения надежности изготовления запоминающих матриц путем исключения обрывов технологических струн и числовых обмоток, плетение числовых и киперных обмоток осуществляют с противоположных сторон технологических струн, устанавливают ограничительную прокладку в зеве при плетении первого полувитка каждой киперисй обмотки в положение, аналогичное положению при плетении последнего полувитка каждой числовой обмотки, и осуществляют плетение киперных и числовых обмоток в проти (Л воположных направлениях по всему полю запоминающей матрицы. со ГС ел О5 сд

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ к двторСкомм СвиДкткльСтвм (21) 3556329/18-24 (22) 23.02.83. (46) 15,05.84. Бюл. 11 18 (72) Н.В.Косинов и В.М.Кузьменко (53) 681.327.66 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 474842, кл. С 11 С 5/02, 1973.

2, Авторское свидетельство СССР

9 566267, кл. С 11 С 11/14 1975 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ МАТРИЦ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на плетении числовых и киперных обмоток на технологических струнах петум пропускания провода вместе с ограни". . чительной прокладкой через зев, регулировании зева, извлечении ограни„„Я0„„1О92565 А

g(5g С 11 С 11/14 чительной прокладки, заливке матриц компаундом и извлечении технологичес-. ких струн, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц путем исключения обрывов технологических струн и числовых обмоток, плетение числовых и киперных обмоток осуществляют с противоположных сторон технологических струн, устанавливают ограничительную прокладку в зеве при плетении первого полувитка каждой кипернсй обмотки в положение, аналогичное положению при плетении по-следнего полувитка каждой числовой обмотки, и осуществляют плетение киперных и числовых обмоток в противоположных направлениях l10 всему полю запоминающей матрицы.

l092565

Изобретение относится к вычисли" тельной технике и может быть использовано при изготовлении матриц памяти на цилиндрических магнитньгх пленках (ЦИП).

Известен способ изготовления запоминающих матриц на ЦИП, основанный на натяжении технологических струн, образовании зева между ними, прокла1О дывании в зев проводников числовых и кйпурных обмоток поц углом к технологическим струнам, закрывании зева, последовательном формировании струнами проводника, перемещении сфорf мованного проводника к числовым или киперньм обмоткам ппи закрытом зеве. перемещении технологических струн, отдалении обмоток от зоны плетения,, заливке компаундом и извлечении технологических струн 5 1 3.

Формовку проложенного в зев прово-. да осуществляют струнами в плоскбсти их нейтрального положения. При этом сходящиеся в одну плоскость струны

« зева зажимают проводники числовых и киперных обмоток, препятствуют свободному перемещению провода в направлении, перпендикулярном струнам. 3 результате, увеличение длины провода. требующееся для придания ему эигэаго- .>б образной формы при формовке, сопровождается растяжением и обрывами проводов.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления запоминаюшдх матриц на 1фШ, основанный на плетении числовых и киперных обмоток на технологических струнах путем пропускания проводов вместе с ограни- gg чительной прокладкой через зев, абра". зованный взаимным смещением технологических струн, регулировании зева и извлечении ограничительной прокладки из технологических струн P2).

Недостаток этого способа заключается в том, что начало плетения киперных и числовых обмоток производят с одной стороны технологических струн IIQBTolpj QOJIQBHH формирования р всех четных,и нечетных полувитков числовых и киперных обмоток оказыва-, ются одинаковыми, при этом на четные и нечетные струны технологической основы витки обмоток ока55 зывают давление в одном по.перечном направлении. При этом, если на четные струны витки обмоток оказывают давление по нормали к полотну вверх„ то на нечетные струны цавление производится по нормали к полотну вниз. Кроме того, такое же действие оказывает и ограничительная прокладка на четные и нечетные струны, которую, длч улучшения охвата проводом крайних струн, необходимо располагать по воэможности ближе к вершине у ла зева. Давление на четные и нечетные струны в поперечном направлении ограничительной прокладкой и большим количеством полувитков киперных и числовых обмоток приводит к смещению четных и нечетных струн в противоположные стороны от осевой линии матрицы, нарушению геометричес сНх размеров ма1рицы чГО B дальнеи шем эа рудняет извлечение технологических струн, приводит к их обрывам и обрывам проводников числовых обмоток, Все это снижает качество и надежность изготовления матриц.

Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц путем исключения обрывов технологических струн и числовых обмоток.

Поставленная цель достигается те 1 что "огласно способу изготовления эапсм:;нающих матриц на ЦМП„ основанному на плетении числовых и киперных обмоток на технологических струнах путем пропускания провода вместе с ограничительной прокладкой через зев, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки заливке матриц компаундом и извлечении технологических струн, плетение числовых и киперных обмоток осуществляют с противоположных сторон технологических струи, устанавливают огра ничительную прокладку в зеве при плетении первого полувитка каждой киперной обмотки в положение, аналогичное положению при плетении последнего полувитка каждой числовой обмотки и осуществляют плетение киперных и числовых обмоток в протиповолоэых направлениях по всему полю запоминающей матрицл.1.

Плетение обмоток запоминающих матриц осуществляют на любом приспособлении, специальном устроистве или ткацком станке, имеющем эевообразующий механизм.

На фиr,1 показана операция плетения киперных -и числовых обмоток с противоположных (TopoH технологи

2565 4 полувитков числовых обмоток 3. При этом ограничительная прокладка 4 вместе с внтками киперных обмоток оказывает давление на четные струны

2 по нормали к полотну вниз а на нечетные струны 1 — по нормали к полотну вверх. компенсируя тем самым давление витков соседней числовой обмотки, Это исключает смещение чет-! б ных и нечетных технологических струн в противоположные стороны от осевой линии, сохраняет геометрические pas» меры матрицы. улучшает извлечение технологических струн. исключает их !

5 обрывы и обрывы витков числовых обмоток.

Противоположное направление плете» ния киперных обмоток по отношению к числовым обмоткам сохраняют по всему полю матрицы. Затем производят заливку матриц компаундом с последующим извлечением технологических струн.

Таким образом, осуществление начала плетения киперных обмоток и числовых обмоток с противоположных сторон технологических струн, расположение ограничительной прокладки . в зеве при плетении каждых первых полувитков киперных обмоток в таком

30 же положении, как и при плетении каждых последних полувитков числовых обмоток, обеспечение направления плетения киперных обмоток противопо-, ложным по отношению к направлению

35 плетения числовых обмоток по всему полю матрицы позволяет повысить качество и надежность изготовления матриц на ЦМП, уменьшить отход в брак матриц на всех стадиях изготовщ0 ления от плетения полотен, извлечения технологических струн до сборки мо;,. дулей памяти эа счет исключения несоответствия геометрических размеров, обрыьов струн, обрывов витков число45 вых обмоток и уменьшения числа заменяемых стержней с ЦМП вследствие уменьшения их деформации.

Заказ 3262/36

Подписное

ВНИИ!И

Тираж 575

3 109 ческих струн; на фиг.2 — расположение числовых и киперных обмоток матрицы на технологических струнах.

Изготовление запоминающих матриц на ЦМП в соответствии с предложенным способом осуществляют следующим образом.

В образованный технологическими струнами 1 и 2 зев вводят с одной из сторон струн провод числовой обмотки 3 вместе с ограничительной прокладкой 4 и ориентируют его no линии .формовки. При изменении зева струны и 2, зажимая ограничительн ю прокладку 4, составляют провод

3 и в свободном состоянии. При извлечении ограничительной прокладки

4 в сторону свободного конца провода 3 технологические струны 1 и 2 сходят с кромки прокладки 4 и пооизводят формовку провода, т.е. придание ему зигзагообразной формы. Ограничительная прокладка 4 оказывает давление на четные 2 и нечетные 1. струны, удерживая в открытом зеве участки струн 1 и 2 от вершины зева между ними до мест касания с прокладкой 4, Такое же давление на четные струны 2по нормали к полотну вверх, а на нечетные — по нормали к полотну вниз, оказывают витки сформованного провода 3. После плетения числовой обмотки 3 производят плетение киперной обмотки 5, при этом начало плетения киперной обмотки 5 производят с противоположной стороны технологических струн. Ограничительную прокладку 4 при плетении первого полувитка киперной обмотки 5 располагают в зеве в таком же положении как и при плетении последнего полувитка числовой обмотки 3, т.е. конец ограничительной прокладки 4 при плетении каждого первого полувитка киперной обмотки 5 располагают на той же стороне технологических струн

1 и 2, что и при плетении последних

\1 tt

Филиал ППП Патент

r Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх