Фотогальванический элемент

Авторы патента:

H01L51 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика , с барьерным и оптическими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования энергии, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел - с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/оО ) с

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

3(51) Н 01 31/04!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ПАТЕНТУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2787394/18-25 (22) 02.07.79 (31) 921289 (32) 03.07.78 (33) США (46) 15.05.84. Бюл. ¹ 18 (72) Рафик О. Лофти (Канада), Чен-Куо Хсиао (КНР) и Джеймс Х.Шарп (Канада) (71) Ксерокс Корпорейшн (США) (53) 621.382(088.8) (56) 1. Патент США - 3844843, кл. 136-206, опублик. 29.10.79.

2. Патент США №- 3789216, кл. 250-21 1, опублик. 29.01.74 (прототип) .,SU „„1 093265 А (54) (57) ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика, с барьерным и оптическими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования энергии, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел вЂ” с электрическим сопротивлением менее 200 Ом/р.

1093265

Составитель В. Манагаров

Редактор М, Дылын Техред Т.дубинчак

Корректор В, Синицкая

Заказ 3301/47

Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к оптоэлектронике, а именно к полупро1водннковым фотоэлементам, и может быть использовано при конструировании 5 недорогих и простых в изготовлении преобразователей энергии.

Известны солнечные элементы, в которых испощьзуются органические полупроводники, диспергированные в геле,1О дешевые простые в изготовлении 517.

Недостаткрм данных солнечньас элементов является крайне низкая эффективность преобразования энергии.

Яанболее близким техническим решением к изобретению является фотогальванический элемент ка основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрика с барьерным и оптическим электродом 23.

Однако такие элементы отличаются очень низкой эффективностью преобразования энергии.

Целью изобретения является повышение эффективности преобразования энер 5 гии.

Указанная цель достигается тем, что в фотогальваническом элементе на основе безметального фталоцианина, размещенного в слое связующего диэлектрике, с барьерным и оптическими электродами, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего металл с работой выхода ниже 4,7 эВ, а его окисел с электрическим сопро- З5 тиалением менее 200 Ом/и.

Такое сочетание работы выхода металпа н электрического сопротивления его окисла обеспечивает повышение эффективности преобразования энергии.

Так как безметальный фталоцианин, является полупроводником р --типа, используемый в качестве барьерного электрода металл должен характеризоваться низкой работой выхода. Известно, что оптимальная величина работы выхода находится в диапазоне от 3,8 до 4,5 эВ. В процессе изготовления для большинства металлов невозможно предотвратить окисление металла, образующего барьерный электрод. Однако при электрическом сопротивлении окисла, не превышающем 200 Ом/ш, подобное окисление не оказывает влияния на характеристики фотогальваннческого элемента. Типичными такими металлами являются индий н олово.

На чертеже показан фотогальванический элемент.

Слой безметального фталоцианина, размещенного в связующем диэлектрике, нанесен на оптический электрод 1, выполненный иэ золота, и образует фотоактивный слой 2, на котором сформи" рован барьерный электрод 3.

Фотогальванический элемент может быть легко изготовлен извес тными техно- логическимиметодами с использованием обычного оборудования и обеспечивает эффективность преобразования энергии, превышающую эффективность преобразования других фотоэлементов на основе недорогих органических фотоактивных материалов.

Комплексы 1-винил-нафто-(2,3)-имидазола для получения полупроводниковых и фотопроводниковых материалов // 1051077

Способ обнаружения металлических предметов в потоке литериала // 200039

Фотополупроводниковое устройство // 187160

Способ получения тонких магнитных пленок // 2127929

Изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок (ТМП) с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности, для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред

Полевой транзистор с изолированным затвором // 2175795

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины

Полевой транзистор // 2189665

Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования // 2210834

Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем

Электронная сеть, содержащая нуклеотидные волокна, способ её изготовления и электронная схема, включающая указанную сеть // 2213393

Способ получения тонкопленочных полупроводниковых устройств на основе органических соединений // 2214651

Изобретение относится к способу получения электрода в тонкопленочном полупроводниковом устройстве на основе органических соединений, в котором полупроводниковым устройством, в частности, является выпрямительный диод с высоким коэффициентом выпрямления или тонкопленочный транзистор на основе углерода или гибридный транзистор на органических и неорганических тонких пленках, и к способу получения выполненного на основе органических соединений тонкопленочного выпрямительного диода с высоким коэффициентом выпрямления, согласно которому выпрямительный диод содержит первый слой и второй слой, предусмотренный на первом слое, совместно формирующие анод выпрямительного диода, третий слой полупроводящего органического материала, предусмотренного поверх анода, образующий активный полупроводниковый материал диода, и четвертый слой металла, предусмотренный структурированным или неструктурированным поверх третьего слоя, образующий катод выпрямительного диода

Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами // 2216820

Изобретение относится к электродному средству для адресации функционального элемента

Полимерная композиция // 2222065

Изобретение относится к области электротехники, в частности к полимерной композиции, содержащей по меньшей мере один по существу непроводящий полимер и по меньшей мере один электропроводящий наполнитель, в форме гранул, причем гранулы предпочтительно имеют размер в интервале до 1 мм, более предпочтительно между 0,04 и 0,2 мм, при объемном соотношении проводника и полимера предпочтительно от 3:1 до 15:1

Наносенсорная система // 2222847

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению

Наносенсорная система // 2222847

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению