Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах

 

¹ 110419

Класс 21а, 71

1 ъ (4" O ъ

ОПИСАНИЕ ИЗОВ >

РЕТЕИйЯ—

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. М. Рыбаков

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ НА НИЗКИХ ЧАСТОТАХ

Заявлено 15 марта 1957 r. за ¹ 568986 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Предметом изобретения является устройство для измерения параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, а именно: сопротивления эмиттера г„сопротивления базы г,, сопротивления кол1 лекторного переходаг„и коэффициента

В отличие от известных устройств для измерения параметров полупроводниковых триодов, которые не обеспечивают непосредственного отсчета измеряемых величин без усложнения конструкции, в предлагаемом устройстве все измерения осуществляются при постоянном включении звукового генератора в цепь коллектора, что позволяет упростить коммутацию прибора и сократить количество операций, необходимых для измерений.

Схема измерителя приведена на фиг. 1, а эквивалентные схемы измерений различных параметров даны в таблице (фиг. 2).

Измерение всех параметров осуществляется или при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера по переменному току, или, наоборот, при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании цепи базы.

Холостой ход цепи базы и цепи эмиттера осуществляется с помощью дросселей Х и Х, а короткое замыкание с помощью конденсатора Ñ .

Режим триода контролируется по приборам путем измерения тока эмиттера I o, тока базы I @ и коллекторного напряжения y

От генератора Г в цепь коллектора через делитель R> — R> подается напряжение Uy частоты 1000 гц.

Необходимая коммутация производится переключателем П,.

И мерение r b положении переключателя IT> íà r, — 1 замез р чается показание лампового вольтметра ЛВ. Перев дя О> в положе и э н е

¹ 1104!9

Предмет изобретения

Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодов на низких частотах, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения его конструкции, а так же повышения оперативности и точности измерений, генератор при измерении всех параметров испытываемого триода включен в цепь его коллектора, а измерение параметров триода производится путем создания или режима холостого ход цепи базы и короткого замыкания цепи эмиттера, или режима холостого хода цепи эмиттера и короткого замыкания цепи базы.

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Н. С. Кутафина Гр. 89

Подл. к печ. 28.III-59 г.

Тираж 810 Цена 50 коп.

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,34 п. л. Зак. 1802

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14.

r, — 2 изменением величины добиваются такого же отклонения стрелки лампового вольтметра ЛВ.

Величина сопротивления между точками С и D будет равна искомой величине r,.

Измерение r6 производится таким же образом, как и r,.

Измерение r,: в положении переключателя П1 íà r» — 1 замечается отклонение стрелки лампового вольтметра ЛВ. Переведя П1 в положение r — 2, изменением величины сопротивления R4 добиваются такого же положения показания лампового вольтметра ЛВ.

Величина сопротивления <4 будет равна г,+г .

Измерение: замечается показание лампового вольтметра ЛВ (1

/ 1 в положении П1 на (— 1 — 1. Переведя П1 в положение на 1 — 2, i1 — n) 1 — а/ изменением величины Rq добиваются такого же отклонения стрелки лампового вольтметра ЛВ.

Отношение величины R3 между точками А и В к величине части сопротивления R3 между точками С и Д и будет искомой величиной

1 1 s», 1 — а 1 — a г,.

Если — = ., то при отклонении стрелки лампового вольт. метра ЛВ на величину U,i, =

U . U 1 i

H ea a

Rcz 1— где 1„— ток коллектора при холостом ходе цепи базы и коротком замыкании цепи эмиттера, 1„z ток в цепи коллектора при холостом ходе цепи эмиттера и коротком замыкании в цепи базы.

Описываемое устройство позволяет осуществлять непосредственный отчет измеряемых параметров при погрешности измерений, не превышающей + 5 — 6%, и может быть использовано для измерительных целей в заводских и лабораторных условиях.

Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах Устройство для измерения параметров полупроводниковых триодоз на низких частотах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх