Способ изготовления кристаллических тел

Авторы патента:

C30B1/04 - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);

 

Класс 12cI, 2

М 116815

СССР

Ю .й 4)1

A. И. Стожаров и А. A. Каленов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ

Заявлено 14 марта 1958 г. за M 594330 в 1(омптет по делам изооресений и открытий при Совете Министров СССР

Предмет изобретения

Способ изготовления кристаллических тел, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью изготовления их из мелких кристаллов, собранный из них блок нагревают в вакуумной или в соответствующей защитной атмосфере, например, азота до температуры близкой к температуре их плавления до получения спекшегося куска кристалла.

Для изготовления крупных кристаллических тел (изделий) выращивают обычно из соответствующих растворов крупные кристаллы, из которых затем вытачивают изделия требуемой величины.

Недостатком такого способа является сложность и длительность выращивания кристаллов, а также значительные технологические отходы при обработке их.

По предлагаемому способу образованис крупного кристалла осуществляется спеканием мелких кусков кристаллического вещества.

Процесс спекания заключается в следующем. Куски спекаемого кристалла полируются так, чтобы образовалась небольшая выпуклость, затем их накладывают друг на друга и нагревают в вакуумной или защитной атмосфере, например, азота до температуры более низкой, чем температура плавления кристалла. Выдерживание при этой температуре в течение некоторого времени приводит к соединению кусков кристалла в монолит.

Эта технология создает возможность изготовлять из значительно более легко выращиваемых мелких кристаллов заготовки для оптических деталей значительного размера. Такие детали могут найти применение в инфракрасной технике, спектроскопии, астрономии и т. д.

Способ изготовления кристаллических тел 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллу SiC и способу его получения, в частности монокристаллу SiC, который используется как субстратный тонкий слой для высокотемпературного полупроводникового электронного элемента, например, светопроводящего диода, ULSI (схемы с ультраширокими возможностями), выпрямительного элемента, усилительного элемента и оптического чувствительного элемента, и к способу его получения
Изобретение относится к получению изделий из монокристаллических металлов и их сплавов и может быть использовано в энергетике, радиотехнике, радиоэлектронике

Изобретение относится к получению материалов, способных интенсивно излучать свет в широком диапазоне спектра под воздействием фото-, электронного иэлектровозбуждения, стабильно в условиях высоких температур, радиации и химически агрессивных средах
Наверх