Способ получения монокристаллов металлов и полупроводников

Авторы патента:

C30B1/08 - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

I6684l ".о©3 Советских

Социалистических

Респубпик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 40d, 1зе

Заявлено 09Х111.1963 (№ 851815/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01,Х11.1964. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 21.1.19б5

М1(К С 22

Государствеиный комитет по делам изобретений и открытий CCCP

УДК

Автор изобретения

А. Я. Александров

3 а я витель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТАЛЛОВ

И ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Предмет изобретения

Подписная zpgizzza № 16

Известен способ получения монокристаллов металлов и полупроводников с малым числом дислокаций направленной кристаллизацией расплава или перекристаллизацией в твердой фазе.

Отличием описываемого способа является то, что кристаллизацию производят при давлении и температуре, соответствующих экстремальной точке кривой плавления или критической точке полиморфного превращения перекристаллизуемого вещества. При этих условиях кристаллизация или полиморфное превращение происходят без изменения объема, что исключает образование «вро>кден ы» дислокаций.

Монокристаллы с малым числом дислокаций по описываемому способу могут быть получены, например, B процессе зонной перекристаллизации при создании определенной температуры и давления. Например, для цезия таким условиям соответствуют: р =

= 22 000 кг/см- и t = 197 С, для рубидиявЂ” р = 40 000 кг/см-, t = 280 С.

Способ получения монокристаллов метал1О лов и полупроводников направленной кристаллизацией расплава или перекристаллизацией в твердой фазе, отличающийся тем, что, с целью получения бездислокационных кристаллов, кристаллизацию производят при давлении и температуре, соответствующих экстремальной точке кривой плавления или критической точке полиморфного превращения перекристалл изуемого вещества.

Способ получения монокристаллов металлов и полупроводников

Способ получения монокристаллов из двойниковых сростков // 117540

Способ изготовления кристаллических тел // 116815

Монокристаллический sic и способ его получения // 2160327

Монокристалл sic и способы его получения // 2160328

Изобретение относится к монокристаллу SiC и способу его получения, в частности монокристаллу SiC, который используется как субстратный тонкий слой для высокотемпературного полупроводникового электронного элемента, например, светопроводящего диода, ULSI (схемы с ультраширокими возможностями), выпрямительного элемента, усилительного элемента и оптического чувствительного элемента, и к способу его получения

Монокристалл sic и способ его получения // 2160329

Монокристаллический карбид кремния sic и способ его получения (варианты) // 2162902

Способ получения изделий из тугоплавких монокристаллических металлов и их сплавов // 2166013

Изобретение относится к получению изделий из монокристаллических металлов и их сплавов и может быть использовано в энергетике, радиотехнике, радиоэлектронике

Способ получения кубического нитрида бора, обладающего световой эмиссией // 2394757

Изобретение относится к получению материалов, способных интенсивно излучать свет в широком диапазоне спектра под воздействием фото-, электронного иэлектровозбуждения, стабильно в условиях высоких температур, радиации и химически агрессивных средах

Станнат-ванадат висмута и способ его получения // 1155630

Способ выращивания металлических кристаллов // 1594220

Изобретение относится к выращиванию кристаллов в твердом состоянии методом пластической деформации - рекристаллизационного отжига

Устройство для выращивания монокристаллических пленок // 1647042

Способ получения монокристаллических постоянных магнитов на основе сплава fe-co-cr-mo // 1723853

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения монокристаллических постоянных магнитов на основе Fe-Co-Cr-Mo