Устройство для шлифования микрокристаллов

 

УСТРОЙСТВО }ЩЯ ШШФОВАНРШ МИКРОКРИСТАЛЛОВ содержащее держатель микрЬкристалла, вертикальный вал с закрепленным на нем шшфовальным инструментом, узел замера величины сошлифованного слоя и элементы электроприводов , отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно содержит узел возвратно-поступательного перемещения держателя микрокристалла, выг. полненный в виде сое71иненного с электроприводом поворотно-рычажного механизма , узел переменной нагрузки на микрокристалл, включаЮ11Ий птрнирно соединенный с вертикальной стойкой рычаг со сменными грузами и соединенный с узлом замера величины соиишфованного слоя, причем последний содержит микрометрический индикатор часового типа, измерительный стержень которого находится в контакте с держателем микрокристалла.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, Р

Н АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ ССОР (21) 3612930/25 (22) 29. 06,.83 (46) 15.05.92. Бюл. N - 18 (71) Институт геохимии и аналитической химии им. В.И.Вернадского . (72) Л.Л.Кашкаров и Г.И.Беккер (56) Авторское свидетельство СССР

K 299333, кл. В 24 В 7/00, 1968.

Авторское свидетельство СССР ,Р 421476, кл. В 24 В 7/04, 1972. (54)(57)УСТРОЙСТВО ЦПЯ ШЛИФОВАНИЯ

2ИКРОКРИСТАЛЛОВ содержацее держатель микрокристалла, вертикальный вал с закрепленным на нем шлифовальным инструментом, узел замера величины сошлифованного слоя и элементы электроприводов, о т л и ч а ю щ е е с я

Изобретение относится. к технике механической обработки твердых хрупких тел и может быть использовано при прецизионной обработке плоских поверхностей микрокристаллов.

Известно устройство для шлифования микрокристаллов, содержащее вал с закрепленным на нем шлифовальным инструментом, электропривод, держатель микрокристалла и подвижный упор, размещенный в корпусе и контактирующий с базовой поверхностью планшайбы при подводе шлифовального инструмента к микрокристаллу.

Недостатками этого устройства являются невозможность регулирования усилия прижима микрокристалла к шлифовальному инструменту и невозможность измерения в процессе обработки толщины сошлифовываемого слоя, щ) Н 01 L 21/304 В 28 D 7/00

2 тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно содержит узел возвратно-поступательного перемецения держателя микрокристалла, вы-,. полнеHHbIH BHJTå соединенного с электроприводом поворотно-рычажного механизма, узел переменной нагрузки на микрокристалл, включающий шарнирно соединенный с вертикальной стойкой рычаг со сменными грузами и соединенный с узлом замера величины сошлифованного слоя, причем последний содержит микрометрический индикатор часового типа, измерительный стержень которого находится в контакте с держателем микрокристалла.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для шлифования микрокристаллов, содержащее держатель микрокристалла, вертикальный вал с закрепленным на нем шлифовальным инструментом, узел замера величины сошлифованного слоя и элементы электропривода i

Недостатком панного устройства является невозможность регулирования прикладываемого кмикрокристаллу усилия прижима, равного весу шпиндельного узла, что ухудшает качество обработки.

Кроме того, фиксированное положение микрокристалла относительно шлифовального инструмента приводит к локальной выработке последнего, что вызывает погрешности формообразования микрокристалла.

1116913 !?

Пел(, изобретения — повь(шение качества обработки микрокристалпов.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для шлифования м?п(рорристалло, содержащее держатель микрокристалз(а, вертикальный вап с закрепз(енным на нем шз(ифова?!ьннм инструментом, узел замера величины сошли()ованногo слоя и элементы электроприводов, содержит узел возвратнопоступательного перемещения держателя микрокр?!Стаз(з!а, выполнен«в!й в виде соединенного с элеKTðoriðHI>îäo! I поворот«о-рычажного механизма, узел переменной нагрузки на микрокристалл, включающий шарниз>но соединенный с вертиказп>ной стойкой рычаг со сме)— ными грузами и соединенный с узлом замера величины сошлифованного слоя,, причем последний содержит микрометрический индикатор часового типа, измеритез!ьны?! стержень которого находится в контакте с держателем микрокристалла.

Устройство поясняется чертежом.

Устройство включает оправку.1, микрокристалл 2, держатель 3 микрс-к()и: "J!J!Я, повО „ )бтную Обой?Г>> 4,„фи>,— сирующий винт 5, рычаг 6, стойку 7. сменные грузы 8, ось 9, микрометр«ческий индикатов 10. Под!?п(пник ось 12) ITGBOpo I Ho-рычажный механизм

13, электродвигатель 14, шлифовальный инструмент 15,. диск 16 вал t7

2 одшипник 18 „стойку 19., фр??кц?(о?(ну?>> систему 20, шкив 21., эпектродвигатезг?. 22, кожух 23, стойку 24 и пли25., Устройство содержит Оправку 1, > предна.значенную дня ц>иксац?ш микрокристалпа 2, жестко закрепленную в нижнем торце держатез!я 3, перемещающегося вертикально в поворотной об>ойме 4?. Фиксирующпй винт 5 закрепз(яет держатезп. 3 в веpx?(eN положении при смене или установке микрокристалJim 2. Цавпение на кристалл при его шлифовке осуществляется рычагом 6, свободно вращаю!(а(? ся огноситель«о стойки T (>1ини>мальная на образец ранка весу держателя 3 и может увеличиваться путем усTBIIOB>(H сменных грузов 8, держатель которых может фиксироваться на рычаге 6 на различном расстоянии от точки касания упорного выступа рычага 6 с верхней площадкой держателя 3. Ф?(кса((зи высоты положения держателя 3 прово5

1Î

>> r

Ж) )

4Î

1д дится с помощью индикатора 10> жестко закрепленного на обойме 4. Измеритель«ый стержень индикатора 10 упирается

B верхнюю !(з(ощадку (!ержатез(ч 3. Поступательно-возвратное перемещение в 1 o ризонтальной 1(з(оскости ((икрокр?(стаз(па 2 вместе с обоймой 4, посаженной с помощью двух подшипников 1 1 на ось 12, осуществз(яется с помощью механизма 13, приводимого в движение эпектродвпгатез ем 1 ?. Угол поворота обоймы 4 уста«ав (ивается B пределах размерОВ ИСПО)!ЬзуемОГО IIIJIH(r)OBBJIÅ>«OI 0 инструмента 15, «аходящегося на диске 16. Циск 16 за-:-. ?глен «<; «аз(у 17, в р (1!((я?Ощемсл н 1. . дl)у> . подшипник с1х > 8, закре!в(е)п(ых 12 стойке I 9 > Фрпкционная сис.тема 20 и шкив ? 1 н;)иводимые во вращение электродвигателем 22, позволяют изменять скорость вращения диска (от 80 до 250 об/M?IH) Кожух

23 закреплен «а стойке 19 и сз!У)ю(т д(!! уз(авз(èíà««ÿ абразива в процессе ((!з ифовки, Основанием к1>епящих стоек

19 и 24 сз(ужз!! массив«ая пз(ита 25.

Цз(я с >Зедения ic ми«и?"(уму Горизонтаз(ь

>!ь!х би(«ий jr)! cтру м>е?(та r.5 1(OBQpx«a)cт до;ск.-1 1 6 про Оче?!а по(з(е Окоllчатез>ьной <-.борки зстройсTB,T с !«)мощью ре 3 (,а, закре!))(Немого >1 оправке 1.

У ст1) Ойств О ?) яб от;Ieт Гз(ед > ю(2(им образом.

Т3 верхнем, за! >икс?(ров янном винтом г

1 . о 1 Г О; j ÿ i i и д е 12 ж и т с.н 1! 3 в o «p = l Б к

«с i а?>)(я(тся ? : -". ?(:. !ет (я 1-(1!.".po?(pH

С Bi!) i 2 ) 3 ап(>)(ИМ(()?(Э OB а««b(?I В ЭПОК С?!!i, " ну!о 1(! b:(етку, 11(!круч?(в!>я винт 5 „освооож(?ают де1)жатезп> 3 H из(ай?но Опу с кают его до соприкоснозения с поверхностью на краю диска 16 в контрольной точке и по показанию и«дикатора 10

Производят замер начального поз(ожения

II(Jp>!(aTeJ(iI 3. Последовательно включают эз!ектродв??гатепи 22 и 14 и в гроц(."ссе шлифовки I!BI>JII(2>Tàþò за измерением ?Ioica3a«?B1 индикатора 10, соответcTвук2щих тоз?щине удаляемого при шлиф О в к е cJ Gi I ми к ) 0 кр и с 1 а- (2 !а., ГО ч н ь?Й

3 аме1 сО!! зп((>ОI? аl(ной тО>(щины 1ц) О?(звО

» дят ?гндикатором 10 при остановленных приводах и нри распоз(ожении держателя нац той же контрозп:ной точкой диска 16, Испо)и.зование предз(агаемого устройства дпя шз(ифования .микрокристалпов обеспечивает высокое качество обрабатываемой поверх«ости (10-12 класс

ШЕрОХОВатОСти) и ПЗ?ОСКО«аРаЗГз!ЕЛЬНОСтЬ микрокрис таз!пов с JIH«EérrHI IH размера111 913

Редактор О.Филиппова

Корректор С.Шекмар

Техред Л.Олийнык

Заказ 2437 Тираж Подписное

РчИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издатель кий комбинат "Патент", r.Óæãoðoä ул. Гагарина 101

Ф

С ми менее 100 мкм в пределах — -2 мкм

Конструкция устройства позволяет варьировать давление на образец в пределах

50-500 г/см . !

Точность обработки микрокристаллов не хуже «2 мкм, причем устройство

+. позволяет осуществлять многократный контроль толщины сошлифованного слоя ! и внешнего вида образца.