Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектрического слоя, на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, о т -личающийся тем, что, с целью расширения диапазона подгонки конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающих нижнюю обкладку конденсатора и вывод верхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку. -О (А)

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

3(5D H 01 С 4 12

С

3pp(g) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3550165/24-21 (22) 09 ° 02.83 (46) 30.10.84. Бюл. 9 40 (72) В.Д.Дмитриев, A.E Äóáèíèí и A.Â.Âoëêoâ (71) Куйбышевский авиационный институт им. С.П.Королева (53) 621.319.4 (088.8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР

М 357607, кл. Н 01 G 13/00, 1971 °

2.Матсон Э.A.,Kðûæàíoâcêèé Д.В.

Справочное пособие по конструированию микросхем. Минск, Высшая школа, 1982, с. 59, рис. 3.11.в (прототип). (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО КОНДЕНСАТОРА, включающий нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектрического слоя, на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, о т .л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения диапазона подгонки конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающих нижнюю обкладку конденсатора и вывод верхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку.

1121703

10 эквивалентная схема ТПК.

ТПК содержит нижнюю. обкладку 1, диэлектрический слой 2 (контур условно показан пунктирнбй линией), верхнюю обкладку 3, проводящие пленки

4-7. Обкладка 1 и пленка 4 расположены в нижнем слое, а обкладка 3 и пленки 5-7 расположены в верхнем слое.

Между обкладками 1 и 3 создана емкость с величиной Сд (нерегулируемая часть ТПК), между обкладкой 1 и пленками 5-7.созданы емкости с величинами CZ C4 и С6 а между пленками 4-7 и прокладкой 3 — с величинами С, С, С и C). Суммарная емкость ТПК состоит из последователь30. но включенных частичных емкостей с величинами С1- С к основной емкости С (фиг. 2) и равная С = С +. Ь С, С С1 С4С5 С С

С + — +

Сг+ CÇ C÷+ С- C6+ Сг

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включающий нанесение на подложку нижней обкладки с выводом диэлектрического слоя, .на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку и подгонку конденсатора (2) .

Верхняя обкладка и одни концы узких проводящих пленок расположены на площади нижней обкладки и образуют нерегулируемую и регулируемую части емкости конденсатора. Другие концы узких проводящих пленок выступают за края нижней обкладки. Подсоединяя с помощью навесного проводника каждую проводящую узкую пленку к верхней обкладке, увеличивают величину емкости ТПК.

Недостатком данного способа изготовления ТПК является возможность .изменения номинала только в сторону увеличения.

Цель изобретения — расширение диапазона подгонки. конденсатора за счет возможности изменения его емкости в сторону уменьшения и увеличения.

Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочного конденсатора, включающему нанесение на подложку нижней обкладки с выводом и диэлектричесгде д С„

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании и производстве гибридных интегральных микросхем с тонкопленочными конденсаторами повышенной точности.

Тонкопленочный конденсатор (ТПК) повышенной точности -выполняют с дополнительными элементами подгонки, которые представляют собой конденсаторы с малой. площадью, подключенные параллельно к. основной (нерегулируемой) части.

Известен способ изготовления тонкопленочного конденсатора, включа ющий последовательное нанесЕние на подложку нижней обкладки и диэлектрического слоя, верхней обкладки и выводов, и подгонку конденсатора (1)

Величину емкости ТПК выполняют больше допустимой и, уменьшая площадь верхней обкладки, уменьшают емкость до требуемого значения.

Уменьшение площади верхней обкладки ТПК осуществляют электрическим пробоем при подаче импульсного напря жения между верхней обкладкой и дополнительным электродом.

Однако известный способ изготовления ТПК характеризуется невозможностью подгонки в сторону увеличения емкости.

65 кого слоя, на поверхность которого наносят верхнюю обкладку конденсатора с выводом и проводящие пленки, частично перекрывающие нижнюю обкладку, и последующую подгонку конденсатора, на подложку, под участки проводящих пленок, не перекрывающих нижнюю обкладку конденсатора и вывод верхней обкладки, наносят дополнительную проводящую пленку.

На фиг. 1 приведен тонкопленочный конденсатор с элементами подгонки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения; на фиг. 2

СЯСЬ С4С5 С С7 с,+.— + +

Cg+ С1 С + С С + Су

Для .увеличения величины емкости

Ь С обкладки эквивалентных конденсаторов, полученных из емкостей с величинами С1, С, С и С поочеРедно закорачивают. При этом величина емкости Ь С изменяется от номинального значения до максимального h С

= С1+ С4 +;С (фиг. 2).

Если для простоты принять все емкости эквивалентных конденсаторов одинаковыми, то номинальное значение емкости равно Ь С = ф С, а максимальное — ЬС =.ЗС .

Для уменьшения величины емкости

Ь С последовательно разрезают по середине пленки 5-7. При разрезании пленки 5 исключаются влияния емкостей с величинами С1 и С . То же самое происходит и для пленок 6 и 7.

Таким образом, величина емкости ЬСизменяется от максимального значения до нуля.

Соедовательно, предлагаемый способ изготовления тонкопленочного конденсатора обладает возможностью подгонки как в сторону уменьшения, так и увеличения величины емкости.

1121703

Фиг. 2

Составитель М.Щербакова

Редактор Н.Горват ТехредМ.Гергель Корректор И. Эрдейи

Заказ 7988/39 Тираж б82 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, E-35, Раушская наб. д.4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул. Проектная,4 замыкание обкладок конденсаторов производят путем прожигания верхней обкладки и диэлектрического слоя в средней части площади и одновременным соединением нх припоем. Для этих целей используют прибор для 5 подгонки пленочных элементов микросхем Генератор факельного разряда с электродом из припоя.

Замыкание обкладок конденсаторов осуществляют также методом пайки с применением навесного проводника.

Преимущества предлагаемого способа заключаются в том, что ТПК обладает свойствами подгонки величины емкости как в сторону уменьшения, так и увеличения.