Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

 

КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, «содержащий магиитооднооскую пленку , на которой расположены три изолированных рднн от другого токопроводящих слоя с периодически выполненными в них отверстиями удлиненной формы, причем отверстия в каждом токопроводящем слое расположены на расстоянии Д/2, одно от другого, где период канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, и одна из коротких сторон каждого отверстия расположена на общей прямой, отличающийся тем, что, с целью повышения области устойчивой работы канала, отверстия в токопроводящих слоях выполнены в два ряда, причем один ряд отверстий является зеркальным отображением другого со сдвигом вдоль оси симметрии на 7i /2, и обьединены в группы, каждая из которых содержит отверстия, расположенные во всех трех слоях, центры проекций § одних коротких сторон отверстий каждой сл группы на магнитоодноосную пленку размещены на расстоянии А/З, а проекции других коротких сторон этих отверстий совмещены.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11)

SU, (51)4 G 11 С 11/)4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2)) 3727354/24 — 24 (22) 11.04.84 (46) 23.09.85. Бюл. N 35 (72) Г. Ф. Темерти, В. И. Нецветов и В. А. Хохлов, (71) Специальное конструкторско-технологичес .кое бюро Донецкого физико-технического института АН Украинской ССР (53) 681.327.66 (088.8) . (56) IEEE Trans.Magn., V.MÀG — 15, 1979, Н 6, р. 15)3.

Bell System Tech. donr., 1979, N 4, .р. )533. (54) (57) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ, (содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены три изолированных один от другого токопроводящих слоя с периодически вы олненнымн в них отверстиями удлиненной формы, причем отверстия в каждом токопроводящем слое расположены на расстоянии >/2, одно от другого, где 7 период канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, и одна из коротких сторон каждого отверстия расположена на общей прямой, отличающийся тем, что, с целью повышения области устойчивой работы канала, отверстия в токопроводящих слоях выполнены в два ряда, причем один ряд отверстий является зеркальным отображением другого со сдвигом вдоль оси симметрии на ()(/2, и обьединены в группы, каждая из которых содержит отверстия, расположенные во всех трех слоях, центры проекций одних коротких сторон отверстий каждой группы на магнитоодноосную пленку размещены на расстоянии A/3, а проекции других коротких сторон этих отверстий совмещены.

1 1l

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Целью изобретения является, повышение области устойчивой работы канала для продвижения ЦМД.

На фиг. 1 изображена принципиальная схе. ма канала для продвижения ЦМД; на фиг, 2 разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 — диаграм . ма токов в каждой из трех слоев.

Канал для продвижения ЦМД содержит

-магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены три токопроводящие слоя 2 — 4, разделенные между собой изолирующими слоями 5 (фиг. 1 и 2).

В каждом токопроводящем слое 2 — 4 выполнены два ряда отверстий: 6 — 8 — в одном ряду, 6 — 8 — в другом ряду (фиг. 1).

Отверстия 6 и 6 выполнены в слое 2, fi отверстия 7 и 7 — в слое 3, а отверстия

8 и 8 — в слое 4. Отверстия имеют удлиненную форму (фиг.1 ). Отверстия одного ряда в каждом слое размещены относительно друг друга на расстоянии Я. Одна из коротких сторон каждого отверстия размещена на прямой 9, образующей ось пути продвижения доменов. В каждом из рядов отверстия слоев 2 — 4 сгруппированы по три, например, одну группу составляют отверcTHs 6 — 8, другую — 6 — 8 и т. д. В каж-! дой группе отверстий проекции на магнитоосную пленку коротких сторон, лежащих на прямой 9 (фит. 1), выполнены с расстоянием между центрами ф /3 вдоль пути прод вижения. Проекции противоположных коротких сторон совмещены. Один ряд отверстий является зеркальным отображением другого оо сдвигом вдоль оси канала на /2. Цифрами 10 — 15 на фиг. 1 обозначены позиции домена при продвижении вдоль канала.

80976 2

Канал для продвижения ЦМД работает следующим образом.

В результате подачи в токопроводящие слои 2 — 4 токов g,,ца, g> (фиг. 3) на краях отверстий возникают локальные магнитные поля, с которыми взаимодействуют ЦМД.

Домены в пластине магнитоодноосного материала стремятся занять позицию, в которой их энергия минимальна, т. е. стремятся по-!

О пасть в область пониженной энергии — магнитоотатическую ловушку (МСЛ), Пусть в . момент времени t1 домен занимает позицию 10 (фиг. 1), так как глубина МСЛ в этом месте максимальна. В следующий момент времени t МСЛ переместится и домен займет позицию 11. В последующие моменты происходит перемещение МСЛ, .а вместе с ней и домена последовательно в позиции 12 — 15 н т. д. Таким образом, при

20 питании предложенного канала трехфазным током, вдоль пути продвижения доменов создается бегущая магнитостатическая ловушка, которая и перемещает ЦМД.

При трехфазном питании в каждый мо мент времени сумма токов всех трех слоев равна нулю. В местах. совмещения проекций на магнитоодноосную пленку коротких сторон отверстий 6 — 8 и 6 — 8 суммарная 2-сосI I тавляющая магнитного поля от трех слоев

2 — 4, равна нулю. Следовательно, как притягивающего, так и отталкивающего полюса в этих местах не существует, чем и достигается отсутствие боковой неустойчивости ЦМД при его движении вдоль канала.

Так как в предложенном канале продви35 жения доменов каждый слой 2 — 4 питается от отдельного источника тока, то в нем достигается более равномерное движение магнитостатической ловушки и практически полное отсутствие нежелательной Z-компоненты магнитного поля на краях канала, что невозможно. в известном канале.! 180976

ФигЗ

Составитель Ю. Розенталь

Техред ЛМикеш Корректор Л. Бескид

Редактор Л. Коссей

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 5934/52 Тираж 583

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открьггий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5