Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов

Авторы патента:

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

C30B11/12 - парообразные компоненты, например выращивание в системе пар - жидкость - твердое вещество

о jgggj$ л

Предмет изобретения

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих í;вЂ” сколько летучих компонентов, о т л и ч а ю щ и и с si тем, что основной компонент последовательно обрабатывают парообразными летучими примесями, с целью получения многокомпонснтпых полупроводников.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Редактор Л. М. Струве 1.ð.V6t

Поди. к печ. 6Л 1-60 г.

Тираж 700 Цена 25 ко o

Информационно-издательский отдел.

Объем 0,17 п. л. Зак. 5127 типография Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14

Ч аки а ооразом ввод11тс11 в мста 7 7irчсский р;!сплав 70J,o Irirr н ocTB. Il rrblc лет1 чие компоненты. HocJIp введения в расплав компонента темпеpaTjjp QTQPJICIIHII б 110 114 доводяf Qo ypolIH 7 тем!! ратуры отделения б печи и дают выдержку времени для полной гомогенизацип расплава. После этого отделение 5 печи выключают, и расплав в лодочке кристаллизуетст! под давлением IiapoB летучих компонентов.

После охлаждения отделения 5 до температуры, несколько меньшей точки солидуса синтсзируемой системы, выключают отделение 6 и печь охлаждают до комнатной температуры.

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов

// 429838

Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния // 2648329

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт. Изобретение обеспечивает возможность получения ННК с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров. 6 пр.

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Способ выращивания полупроводниковых соединений // 2023770

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов // 2032776

Изобретение относится к технологии п/п приборов

Магнитный полупроводниковый материал // 2465378

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов