Шихта для получения калиево-галиевого титанатного голландита

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5р 4 С 04 В 35/46

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А STOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3840856/29-33 (22) 03.01,85 (46) 23.06.86. Вюл. У 23 (71) Ордена Трудового Красного Зна-, мени институт химии силикатов им. И.В.Гребенщикова (72) Л.Ф.Григорьева, И.М.Медведева и В.П.Попов (53) 666,638(088.8) (56). Electrochem Acta, 1978, v.23, У 4, р.р,375-379.

„,SU, 12 9123 A 1 (54) (57) lllHXTA ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КАЛИЕВОГАЛИЕВО ТИТАНАТНОГО ГОЛЛАЩИТА, содержащая Т102, Ga оз и KУCOÇ, о т-л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения ионной проводимости при 400 С, она содержит компоненты в следующем количестве, мас.Ж:

TiO 59,0-59,1

Са о 22,0-22,6

18,3-19,0

Та блица

Фазовый состав синтезированного материала (рентгеновские- исследования) Содержание компонентов в шихте

Состав исходных ю

Сумма

Ga О9 к со мас.% r

Т О шихт

r мас .% г мас.% г . мас.%

1,18 59,0 0,43 22,0 0,39 19,0 2,00 100 Голландит

1,18 59,05 0,44 22,45 0,38 18,5 2,00 100

1,18 59,1 0 45 22,6 0,37 18 3 2,00 100

Та блица 2

Состав по примеру

Проводимость Ом см, при.-1 1 т емпературе

Фазовый состав

400 С

20 С

5,34 10

2,54 ° 10

1, 76 ° 10 д,ю1 Са 1 вб Т g,9ò О,б

4,09 -10

К, 11 Ga1 91 Ti 6 04 0„6

1,94 ° 10

К 1,96 Ga1,96 Ti6,09 016

2, 19 °,10

1 Составитель В.Соколова

Редактор Н. Егорова Техред В.Кадар, Корректор М.Пожо

Заказ 3352/20 Тираж 640 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r . Óæãoðoä, ул. Проектная, 4

1 1239

Изобретение относится к химии твердых поликристаллических материалов с высокой ионной проводимостью (твердьм электролитов), а именно к сложным оксидам туннельной структуры типа голландита.

Цель изобретения — повышение ион.ной проводимости при 400 С. о

Образцы калиево-галиево титанатных голландитов готовят методом керами- 1б ческого твердофазового синтеза. Для приготовления шихты берут исходные воздушно-сухие реактивы TiO, К СО>, GasÎ марок ос.ч. чд.a . В следующем количестве, г: TiOz 1,18; Ga.О>.,15

123 Э

0,43; К СО4 0,39, перемешивают и пе.ретирают в этиловом спирте в яшмовой ступке, сушат, прессуют н виде таблеток и обжигают при 950 С в течение о суток. Затем спеченные таблетки повторно перетирают, прессуют и обжигают при 1100 С также в течение суток, что приводит к получению фарфоровидных (относительная плотность 98%) поликристаллических материалов.

Соотношение компонентов в исходных шихтах и фазовый состав синтезированных материалов представлены в табл.1.

Электрические свойства .изученных соединений приведены в табл. 2.

Шихта для получения калиево-галиевого титанатного голландита Шихта для получения калиево-галиевого титанатного голландита 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов с повышенной удельной емкостью
Изобретение относится к композиционным керамическим материалам, проявляющим диэлектрические свойства и способность поглощения мощности микроволнового излучения

Изобретение относится к области микроволновой техники и может быть использовано в качестве конструктивного элемента микроволновых муфельных печей, используемых для сушки, спекания и плавления различных керамических материалов и металлов, а также синтеза неорганических соединений

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления
Изобретение относится к получению изделий, включающих субоксиды фазы Магнели формулы TiOx, где х = 1,55 - 1,95

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к пенокерамическим высокопористым композиционным материалам, которые могут быть использованы в качестве носителей катализаторов, фильтров для нагретого газа, пористых электродов, шумопоглощающих устройств

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Наверх