Керамический материал для термостабильных конденсаторов

 

(19)SU(11)1145643(13)A1(51)  МПК 5    C04B35/46(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 14 год с 27.10.1996 по 26.10.1997

(54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных термостабильных керамических конденсаторов с повышенной удельной емкостью. В настоящее время для изготовления различных типов высокочастотных конденсаторов термостабильных групп по ТКЕ широко применяют керамические материалы на основе твердых растворов (Са- La) (Тi, Al)O3. Однако величина диэлектрической проницаемости таких керамических материалов с ТКЕ = (-47... + 33) 10-6 град-1 составляет 36-46. Известны твердые растворы системы CаSnO3 - СaZrO3 - СаТiO3[Ca(Sn,Zr, Тi)O3] и CaZrO3-CaТiO3[Ca(Zr, Тi)O3] c температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости (-47...... +33) 10-6 град-1также применяются в производстве термостабильных конденсаторов. Наиболее близким к предложенному по технической сущности и достигаемому результату является керамический материал для термостабильных конденсаторов, включающий, мас. % : Оксид бария 19,7-20,7 Оксид неодима 17,0-21,1 Оксид висмута 6,0-7,2 Оксид титана 38,0-39,2 Оксид самария 14,0-17,1
Данный состав-прототип, обладая низким значением tg = 2-3 10-4на f = 1 МГц и высоким сопротивлением изоляции v> 1012 Ом см при Т = 155oC, имеет диэлектрическую проницаемость, не превышающую 95, может использоваться только для конденсаторов одной группы по температурной стабильности и содержит в своем составе окись самария, являющуюся дефицитным сырьем, что следует отнести к его существенным недостаткам. Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости. Поставленная цель достигается тем, что керамический материал для термостабильных конденсаторов, включающий BaO, Nd2O3, Bi2O3 и ТiO2, дополнительно содержит PbTiO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид бария (BaO) 13,6-16,3 Оксид неодима (Nd2O3) 27,4-35,9 Оксид висмута (Bi2O3) 6,6-16,4 Оксид титана (ТiO2) 35,1-36,4 Свинец титановокислый (PbTiO3) 3,5-8,9
Реальность и оптимальность заявляемого соотношения ингредиентов подтверждаются следующими примерами по минимальному, максимальному и среднему значениям. П р и м е р 1 (по минимуму), мас.%: Оксид бария 13,6 Оксид неодима 35,9 Оксид висмута 6,5 Оксид титана 35,1 Свинец титановокислый 8,9
Данный состав керамического материала имеет диэлектрическую проницаемость 105-107, ТКЕ = 33 20 10-6 град-1, tg =2-3 10-4 на f = 1 МГц, v > 1012 Ом см при Т = 155oC. П р и м е р 2 (по максимуму), мас.%: Оксид бария 16,3 Оксид неодима 27,4 Оксид висмута 16,4 Оксид титана 36,4 Свинец титановокислый 3,5
Электрические характеристики материала при этом следующие: = 115-117, ТКЕ = -47 20 10-6 град-1; tg = 2-3 10-4 на f = 1 МГц и v > 1012 Ом см при Т = 155oC. П р и м е р 3 (по среднему значению), мас.%: Оксид бария 14,95 Оксид неодима 31,65 Оксид висмута 11,45 Оксид титана 35,75 Свинец титановокислый 6,2
Электрические характеристики материала при данном составе будут следующие: = 119-122; ТКЕ = (0 20) 10-6 град.-1, tg =2-3 10-4на f = 1 МГц, v > 1012 Ом см при Т = 155oC. Составы материалов, приведенные в примерах 1,2 и 3, получают следующим образом. Отвешивают предварительно прокаленный при 1200oC оксид неодима, углекислый барий из расчета 13,4-16,3% BaO, оксид висмута, оксид титана и свинец титановокислый, загружают в вибромельницу при соотношении шаров и материала 6-4 : 1 и смешивают в течение 30-60 мин, после чего смесь прокаливают при температуре 1180-1220oC c двухчасовой выдержкой. Полученный продукт размалывают до величины удельной поверхности 6000-8000 см2/г, изготовляют образцы согласно ГОСТУ 5458-75 (Материалы керамические радиотехнические) и измеряют их электрические свойства. Из полученного керамического материала можно оформлять заготовки конденсаторов любым методом, принятым в керамической технологии. Обжиг заготовок производят в интервале температур 1280-1320oC. Предлагаемый состав керамического материала для конденсаторов термостабильных групп по ТКЕ обладает величиной диэлектрической проницаемости в 1,3 раза выше материала-прототипа и в 3 раза выше применяемых в настоящее время в промышленности материалов с ТКЕ = (-47....+33) 102 град-1 на основе СаТiO3-LaAlO3. Использование предлагаемого материала с повышенной диэлектрической проницаемостью при ТКЕ = (-47...+33) 10-6 град-1 позволяет получать термостабильные керамические конденсаторы с большей удельной емкостью, что приводит, кроме того, к экономии расхода дефицитных металлов на единицу емкости.


Формула изобретения

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ, включающий BaO, Nd2O3, Bi2O3 и TiO2, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит PbTiO3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:
BaO 13,6 - 16,3
Nd2O3 27,4 - 35,9
Bi2O3 6,5 - 16,4
TiO2 35,1 - 36,4
PbTiO3 3,5 - 8,9

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 10-2002

Извещение опубликовано: 10.04.2002        




 

Похожие патенты:
Изобретение относится к композиционным керамическим материалам, проявляющим диэлектрические свойства и способность поглощения мощности микроволнового излучения

Изобретение относится к области микроволновой техники и может быть использовано в качестве конструктивного элемента микроволновых муфельных печей, используемых для сушки, спекания и плавления различных керамических материалов и металлов, а также синтеза неорганических соединений

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления
Изобретение относится к получению изделий, включающих субоксиды фазы Магнели формулы TiOx, где х = 1,55 - 1,95

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к пенокерамическим высокопористым композиционным материалам, которые могут быть использованы в качестве носителей катализаторов, фильтров для нагретого газа, пористых электродов, шумопоглощающих устройств

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники
Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники
Наверх