Способ измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов

 

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности измерения напряженности поля коллапса ЦМД. Для реализации предр Нт HI нг Hi ложенного способа в доменосоцержащей пленке образуют решетку цилиндрических доменов путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которого нормально к плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до И,- . Амплитуда импульса Hi нарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону. Длительность импульса - значительно превышает время .коллапсирования доменов, В паузах длительностью t между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ци.пиндрических доменов . В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н., то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в поло - совой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном поле в 4-6 раз превышает диаметр цилиндрических в мо0 Р (Л С

СООЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (5п 4 1 1 С 1 1 1 4

ВСЕГП1ОЗЧД%

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

13,",, ц йМЕАНа Г1:. А н

82

ФЬа1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3808736/24-24 (22) 01.11.84 (46) 15.07.86. Бюл. № 26 (72) В.Г. Епанчинцев, Н,Н. Силантьев и И.В. Шелухин (53) 681.327.66(088.8) (56) Балбашов А.M., Червоненкис А,Я, Магнитные материалы для микроэлектроники, N.: Энергия, 1979, с, 184185.

Приборы для научных исследований, М,: Мир, 1981, №- 11, с. 145.. (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ

ПОЛЯ КОЛЛАПСА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретечие относится к автоматике и вычислительной техцике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение точности измерения напряженности по- ля коллапса IUD. Для.реализации пред„„SU„„3244720 А 1 ложенного способа в доменосоцержащей пленке образуют решетку цилиндрических доменов путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которого нормально к. плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до Н;. Амплитуда импульса Н нарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону. Длительл ность импульса значительно превышает время коллапсирования доменов.

В паузах длительностью tä между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки цилиндрических доменов. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н„, то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в полосовой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном поле в 4-6 раз превышает диаметр цилиндрических в мо1244720 мент коллапса, что облегчает анализ доменной структуры при уменьшении размеров доменов. При увеличении амплитуды внешнего поля измеряется

Изобретение относится к автоматиФ ке и вычислительной технике и может быть использовано в процессе производства запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель. изобретения — повышение точности измерения напряженности поля коллапса ЦМД.

На фиг. 1 изображена временная диаграмма импульсного магнитного поля; на фиг, 2 — схема устройства для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, реализующего предлагаемь1й способ.

Способ осуществляется следующим образом.

В доменосодержащей пленке образуют решетку ЦМД путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которогр нормально плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до Н (фиг, 1). Амплитуда импульса Н, йарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону.

Длительность импульса значительно превышает время коллапсйрования доме— нов. В паузах длительностью t Måæöó импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ЦМД. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н;, то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в полосовой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном поле в 4-6 раз превышает диаметр ЦМД в момент коллапса, что облегчает ана.пиэ доменной структуры при уменьшении размеров доменов. При увеличении амплитуды внешнего поля измеряется поле, при котором сколлапсировал один или несколько первых доменов, и поле, при котором сколлапсировали последполе, при котором сколлапсировали последние цилиндрические домены. Таким образом, определяется диапазон Ъ полей коллапса. 2 ил. ние ЦМД. Таким образом, определяется

:диапазон полей коллапса °

Устройство„ реализующее предлагаемый способ (фиг. 2), содержит импуль5 сный источник 1 тока, источник 2 света, магнитную систему 3 в виде катушек Гельмгольца, доменосодержащую пленку 4, телевизионную передающую камеру 5, оптическую систему 6 в виде поляриэационного микроскопа и блок

7 анализа.

Устройство работает следующим образом„

С помощью источника 1 тока в катушках Гельмгольца 3 создается импульсное магнитное поле, которое воздействует на предварительно сформированную решетку ЦМД. Увеличенное изображение доменной структуры плен70 ки 4, сформированное с помощью источника 2 света и оптической системы 6, поступает на вход телевизионной передающей камеры 5, где световой сигнал преобразуется в видеоимпульсы, которые поступают в блок 7 анализа. Последний производит анализ состояния доменной структуры на наличие полосовыХ доменов после каждого воздействия импульсного магнитного поля и фикса30 цию полей коллапса первых и последних ЦМД„

Формула и э о б р е т е н и я

35 Спссоб измерения напряженности . поля каллапса цилиндрических магнитных доменов, основанный на формировании в доменосодержащей пленке решетки цилиндрических магнитных доменов, 4О отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку импульсным магнитным полем, направленным перпендикулярно поверхности

3 1?44720 4 доменосодержащей пленки, увеличивают сируют появление полосовых магего амплитуду по ступенчатому зако- нитных доменов, по которому суну до разрушения решетки цилиндричес- дят, о величине напряженности ких магнитных доменов, а в паузах поля коллапса цилиндрических . между импульсами магнитного поля фик- магнитных доменов. стиг. 2

Составитель Ю. Розенталь

Техред И.Попович Корректор С. Шекмар

Редактор И. Касарда

Заказ 3924/55 Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

IIO e H o eTt HHH H OTKpbITHA

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4