Канал для продвижения полосовых магнитных доменов

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (№Щ) . Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения полосо вьк магнитных доменов (ПМД) путем . расширения рабочего диапазона полей смещения. Канал для продвижения ПМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположелы колонки основных ферромагнитных аппликаций 2 шевронной формы, например из пермаллоя , и дополнительные ферромагиитные аппликации 3 шевронной формы, выполненные из магнитного материала с коэрцитивной силой, превышающей в 5-100 раз коэрцитивную силу магнитного материала аппликаций 2. Дополнительные аппликации 3 фиксируют о S положение ПМД при их продвижении вдоль канала и препятствуют их стя (О гиванию в НМД. 1 ил. ю САЭ СО СО 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (5D 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетений и ОтнРытий (21) 3917220/24-24 (22) 25.06.85 (46) 30.!1.86.Вюл. И 44 (72) M.Ï.t !îðûãèí, И.П.Иерусалимов и В.Д.Половинкин (53) 681.327.66 (088.8) (56) IEEE Trans. 1agn V MAG-9, 1973, Ф 2, р.474.

Патент С111А У 4056814, кл..С 11 С 19/08, опублик. 1980. (54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ПОЛОСОВЫХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (1КД). Целью изобретения является повышение надежÄÄSUÄÄ 1273998 А1 ности канала для продвижения полосоО вых магнитных доменов (ПМД) путем расширения рабочего диапазона полей смещения. Канал для продвижения ПМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположелы колонки основных ферромагнитных аппликаций 2 шевронной формы, например из пермаллоя, и дополнительные ферромагнитные аппликации 3 шевронной формы, выполненные из магнитного материала с коэрцитивной силой, превышающей в

5-100 раз коэрцитивную силу магнитного материала аппликаций 2. Дополнительные аппликации Э фиксируют положение ПМД при их продвижении вдоль канала и препятствуют их стягиванию в ЦМД. 1 ил, 1273998

Изобретение относится к вычислительной технике.и может быть использовано при построении запоминающих устройство на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности канала для продвижения полосовых магнитных доменов (ПМД путем расширения рабочего диапазона полей смещения.

На чертеже изображена конструкция предложенного канала для продвижения

ПМД.

Канал для продвижения ПМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены колонки основных ферромагнитных аппликаций 2 шевронной формы, например из пермаллоя, и дополнительные ферромагнитные аппликации 3 шевронной формы, выполненные из магнитного материала с коэрцитивной силой, превышающей в 5-100 раз коэрцитивную силу магнитного материала аппликаций 2.

Предложенный канал для продвижения ПЩ работает следующим образом.

Под действием вращающегося магнитного поля Нвр, условно показанного на чертеже, 1ЯД 4 продвигается вдоль оси канала, условно показанной пунктирной линией 5, к колонкам аппликаций, где преобразуется в полосовой домен. Полосовой домен 6 продвигатеся по колонкам аппликаций вдоль оси 5. Под действием поля Н

ВР магнитные полюса, наводимые этим полем в аппликациях, создают магнитостатистические ловушки (МСЛ), обеспечивающие растяжение и продвижение доменов, при этом верхушки доменов магнитосвязаны с допелнительными аппликациями 3.. При отключении поля Н аппликации 3 остаются намагниченными, так как они выполнены из ферромагнитного материала с повышенной коэрцитивной силой. Таким образом, верхушки ПМД остаются в МСЛ, которые фиксируют их положение и препятствуют стягиванию полосовых доменов в ЦМД, что повьппает надежность канала продвижения полосовых магнитных доменов.

Чтобы аппликации 3 могли образовать МСЛ при отключении поля Йвр необходимо, чтобы эти аппликации имели остаточную намагниченность, коВНИИПИ Заказ 6482/50

Произв.-полигр. пр-тие торая определяется коэрцитивной силой материала, из которого они выполнены. Коэрцитивная сила ферромагнитного материала, например

5 пермаллой состава Fe 193 и Ni 81X, из которого выполнены аппликации 2. составляет 0 5 Э. Для предотвращения стягивания полосового домена в

ЦМД круглой формы необходимо, чтобы

10 аппликации 3 были выполнены из ферромагнитного материала, например пер. маллоя состава Fe 25X и Ni 75X, коэрцитивная сила которого превышает коэрцитивную силу материала, из кото15 рого выполнены аппликации 2.Минимальная коэрцитивная сила материала аппликаций 3 должна обеспечивать устойчивость полосового домена к внешним паразитным полям, которые сос20 тавляют единицы эрстед. С другой стороны для обеспечения продвижения

ПМД коэрцитивная сила материала аплликаций 3 не должна превышать порядок поля Н (40-60 Э).

25 вр

30 i э г °

Кроме того поскольку при отключении питания Е1Д сохраняют свою форму и позицию в канале продвижения в довольно широком диапазоне полей смещения, то имеется возможность увеличить быстродействие всего ЦМД устройства за счет того, что считывание полосовых доменов можно начинать с момента включения вращающегося поля.

Формула и з о б р е т е н и я

Канал для продвижения полосовых магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены колонки основных ферромагнитных аппликаций шевронной формы, отличающийся тем, что, с целью повыпения надежности канала для продвижения полосовых магнитных доменов путем расширения рабочего диапазона полей смещения, он содержит дополнительные ферромагнитные аппликации шевронной формы, расположенные на концах колонок основных ферромагнитных аппликаций и выполненные из магнитного материала с коэрцитивной силой, превышающей в 5-100 раз коэрцитивную силу магнитного материала основных ферромагнитных аппликаций. тир 543

Ужгород, ул. Проектная, 4

Канал для продвижения полосовых магнитных доменов Канал для продвижения полосовых магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычи лительной технике и может быть ис пользовано при построении запоминающих устройств с произвольной выборкой

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для контроля ЗУ на интегральной и дискретной основе (полупроводниковых ЗУ, ферритовых ЗУ, ЩЦ ЗУ и др.)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения устройства хранения и обработки информации на магнитных носителях с полосовыми магнитными доменами

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам управления для памяти, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для обхода дефектных и .избыточных информационных регистров при параллельной работе нескольких накопителей с ЦМД при записи и считьшании данных

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в установках для визуального исследования динамических процессов в накопителе информации на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение при построении интегральных операционных устройств и специа- .лизированных вычислителей на базе за- {поминакнцих устройств на цилиндричес- ;ких магнитных доменах (ЦЩ)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может найти применение при построении многофункциональных запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах ()

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении вычислительных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх