Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванического никеля и алюминия, а толщина металлизированных контактных площадок к базовым областям не превышает суммарной толщины слоев фосфорсодержащего никеля и гальванического никеля.
Похожие патенты:
Кристаллодержатель свч // 1188810
Полупроводниковый свч диод // 1178272
Силовой полупроводниковый прибор // 1138961
Устройство для закрепления // 991534
Биметаллический элемент // 832626
Силовой полупроводниковый прибор // 682971
Полупроводниковый силовой прибор // 428483
Релаксационный диод // 302770
Полупроводниковое устройство // 291530
Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117
Интегральная схема // 2133067
Изобретение относится к электронной технике, в частности к выводным рамкам для присоединения к кристаллам полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ диапазонов
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, ИС, БИС и СБИС
Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами
Изобретение относится к электротехнике, в частности предназначено для защиты электронных компонентов, в которых значительная часть не закрыта корпусом
Силовой полупроводниковый модуль // 2225660