Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе

 

Изобретение относится к способу регулирования процесса кристаллизации , может быть использовано в хими1Ср-1 I}I 1 Хпадо/юси/лель , ческой промышленности и позволяет увеличить производительность кристаллизатора . Способ реализуется системой автоматического регулирования, включающей контур регулирования уровня расплава: датчик (Д) 11 уровня, регулятор (р) 12 уровня, клапан (К) 13 расплава; контур регулирования пературы кристаллического продукта в зависимости от частоты вращения вальца; Д 15 температуры, Р 16, Р 14,- привод 5;оконтур регулирования расхода хладагента с коррекцией по температуре хладоносителя: Д 6 расхода, Р 7 расхода, К 8, Д 9 температуры, Р 10 температуры. 1 ил. Ю со. 4 оэ а со tso J

СОЮЗ СОЗЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ ппааана. ааппапп

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (61) 886926 (21) 3870603/23-26 (22) 15,03.85 (46) 07.03.87. Бкл. Р .9 .(72) В. Г. Пономаренко, 10. А. Кур- лянд, В. И. Бей, 10. Д. Култаев, Ю. Г. Свердлин и Д, Н. Онуфриев (53) 66,012-52(088.8) (56) Авторское свидетельс гво СССР

У 886926, кл. В 01 D 9/02, 1981. (54) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА

КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ВАЛЬЦОВОМ КРИСТАЛЛИЗАТОРЕ (57) Изобретение относится к способу регулирования процесса кристаллизации, может быть использовано в химиг-и ! ! !

1:!

I ! ! !

7 ! !

t ! !.

„„Я0„„1294363 А 2

1б11 4 В 01 D 9/02 G 05 D 27/00 ческой промышленности и позволяет увеличить производительность кристаллизатора. Способ реализуется системой автоматического регулирования, включающей контур регулирования уровня расплава: датчик (Д) 11 уровня, регулятор (Р) 12 уровня, клапан (К)

13 расплава; контур регулирования тем пературы кристаллического продукта в зависимости от частоты вращения вальца:

Д 15 температуры, Р 1Ь, Р 14, привод 5;оконтур регулирования расхода хладагента с коррекцией по температуре хладоносителя: Д 6 расхода, P 7 расхода, К 8, Д 9 температуры, Р 10 температуры. 1 ил.

1294363

Изобретение относится к регулированию процесса химической технологии, а именно к способам регулирования процессов кристаллизации, проводимых в вальцовых кристаллиэаторах, и яв- 5 ляется усовершенствованием способа по авт, св. Р 886926.

Цель изобретения — увеличение производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта.

На чертеже представлена принципиальная схема реализации способа.

Кристаллиэатор содержит валец 1

15 в котором размещено разбрыэгивающее охлаждающее устройство 2, ванну 3 для расплава, ножи 4 для среза кристаллов, привод 5 для вращения вальца, датчик 6 расхода для передачи сигнала в регулятор 7 расхода, исполнительный механизм с регулирующим органом 8, датчик 9 температуры, соединЕнный с корректирующим регулятоРом 10, датчик 11 уровня Расплава в 25 ванне, соединенный с регулятором 12 уровня, который в свою очередь соединен с исполнительным механизмом с регулирующим органом 13, регулятор

14 частоты вращения вальца, соединенный с датчиком 15 температуры и корректирующим регулятором 16 частоты вращения вальца и уровня расплава в ванне.

Датчик 6 расхода соединен с регулятором 7 расхода, воздействующим на

35 исполнительный механизм с регулирую" щим органом 8. Датчик 9 температуры соединен с корректирующим регулятором 10, воздействующим на блок задания регулятора 7 расхода. Датчик 11 уровня соединен с регулятором 12 уровня, воздействующим на исполнительный механизм с регулирующим органом 13;

Регулятор 14. частоты вращения вальца

45 управляет приводом 5. Датчик 15 температуры соединен с корректирующим регулятором 16, воздействующим на блок задания регулятора 12 уровня и на регулятор 14 частоты вращения вальца.

Способ осуществляется следующим о.браэом.

Вращающийся от привода 5 валец 1 непрерывно контактирует с горячим расплавом. При этом на его охлажденной до заданной температуры поверхности образуется корка продукта, которая после выхода вальца 1 из ванны

3 увлекает жидкую пленку расплава и далее охлаждается и скапывается ножами 4.

Расход хладоносителя измеряется датчиком 6 расхода, сигнал от которого поступает на регулятор 7 расхода, При отклонении расхода хладоносителя от заданного значения регулятор 7 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 8, который изменяет подачу хладоносителя на охлаждение вальца 1 до тех пор, пока расход не устанавливается на заданном значении. Температура поверхности вальца 1 измеряется по зависимому от нее косвенному параметру — температуре выводимого иэ аппарата хладоносителя, которая измеряется датчиком 9 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 10. При изменении температуры хладоносителя регулятор

10 вырабатывает корректирующий сигнал, поступающий в блок задания регулятора 7 расхода, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органам . 8 так, что происходит компенсация изменения температуры хладоносителя эа счет изменения

его расхода.

Уровень расплава в ванне кристаллизатора измеряется датчиком 11 уров" ня, сигнал от которого поступает на регулятор 12 уровня, При отклонении уровня от заданного значения регулятор 12 вырабатывает командный сигнал, поступающий на исполнительный механизм с регулирующим органом 13, который изменяет подачу расплава в ванну кристаллиэатора до тех пор, пока уровень расплава не установится на заданном значении, Регулятор 14 частоты вращения вальца управляет приводом 5, обеспечивая определеннуЬ частоту вращения вальца.

Температура кристаллического про-. дукта измеряется датчиком 15 температуры, подсоединенным к корректирующему регулятору 16, При изменении температуры кристаллического продукта регулятор 16 вырабатывает. корректирующий сигнал, который поступает в блок задания регулятора 12 уровня, который управляет исполнительным механизмом с регулирующим органом 13, а также одновременно - в регулятор

14 частоты вращения привода 5. Воздействие корректирующего .сигнала

1294363

Фо р мул а и з о б р е те ни я!

Способ регулирования процесса кристаллизации в вальцовом кристаллизаторе ло авт,св, Р 886926, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью увеличения производительности кристаллизатора при заданном качестве кристаллического продукта, дополнительно регулируют частоту вращения

Составитель Т. Голеншина

Редактор С, Пекарь Техред Л.Олейник

Корректор Е. Рошко

Заказ 411/4 Тираж 657 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 длится до тех пор, пока не происхо-. дит компенсация изменения температуры кристаллического продукта за счет изменения уровня расплава в ванне кристаллизатора и частоты вращения вальца.

Таким образом, температура кристаллического продукта стабилизируется на заданном значении.

В результате одновременного воздействия изменения температуры кристаллического продукта в зоне его съема с поверхности вальца на уровень расплава в ванне кристаллизатора и частоту вращения вальца существенно улучшается эффективность управления процессом. При этом, в первом случае, уменьшаются толщина слоя кристаллов, образовавшихся за время контакта вальца с расплавом, и толщина увлекаемой вальцом жидкой пленки расплава, а время охлаждения полученной при этом более тонкой корки 25 кристаллического продукта увеличивается. Во втором случае, толщина елоя кристаллов, образовавшихся за время контакта вальца с расплавом, и толщина увлекаемой вальцом жидкой пленки расплава увеличиваются, а время охлаждения полученной при этом более толстой корки кристаллического продукта уменьшается. вальца по температуре кристаллического продукта,.при этом при увеличении температуры кристаллического продукта по сравнению с заданным значением одновременно с понижением уровня расплава в ванне уменьшают частоту вращения вальца, а при уменьшении температуры †одновремен сповышением уровня расплава в ванне увеличивают частоту вращения вальца,