Способ определения электрических параметров полупроводника свч термисторов

 

Класс 21а, 71

210, 11о

И 135143

ССС1

l;

: i

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 89

Г. М. Стрижков и А. М. Федоров

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКА С. В. Ч. ТЕРМИСТОРОВ

Заявлено 18 апреля 1960 г. за № 663405j26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано и «Бюллетене изобретений» № 2;а !961 г.

Известные способы непосредственного измерения электрических параметров полупроводника сверхвысокочастотных термисторов сложны и требуют большого числа измерительных приборов.

Описываемый способ определения электрических параметров сверхвысокочастотных термисторов основан на том, что термистор может быть заменен эквивалентной схемой. Параметры схемы измеряются путем определения сопротивления термистора по постоянному току на различных частотах и последующим расчетом. Этот способ упрощает процесс без снижения точности измерений.

На фиг. 1 показана эквивалентная схема термистора; на фиг 2 скелетная схема измерительной установки.

Эквивалентная схема термистора (фиг. 1) содержит следующие параметры:

L — индуктивность вводов термисторов:

C> — емкость между вводами термистора;

R0 — сопротивление полупроводника термистора на постоянном токе;

C> -- емкость между частицами вещества полупроводника;

Р2 — — сопротивление между частицами вещества полупроводника:

r — сопротивление вводов.

Измерение параметров L и С1 не представляет трудностей, Параметры С и R2 непосредственным измерениям не поддаются. Для определения этих .параметров необходимо измерить С, — эквивалентнун комплексную емкость, заменяющую последовательное соединение С и

R . С .„можно определить, измерив поглощенную мощность Ра прн различных сопротивлениях Rp термистора постоянному току, Но одиняк1..

Способ определения электрических параметров полупроводника свч термисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх