Способ регенерации заготовки фотошаблона

 

Изобретение отйосится к области микроэлектроники. Цель изобретения повышение качества заготовки за счет улучшения однородности ее поверхности . С забракованных подложек фотошаблонов удаляют маскирующий слой и выдерживают их в окислительной среде, после чего подвергают дополнительной обработке в растворе едкого кали вводе с рН 10 ед с добавкой поверхностно-активного вещества в течение 3 мин при температуре раствора 50°С, Затем подложки полируют и наносят на них маскирующий и фоторезистивный слой для формирования рисунка фотошаблона методом фотолитографии. Обработка подложек в njejjo4HOM растворе с рН 10-12 при 50-7Э С в течение 3-5 мия позволяет улучшить однород ность поверхности подложки и повысить качество фотошаблонов.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

МЯ ЛНРЬН

РЕСПУБЛИК

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТСРСН а СВиййтепьСтВу

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

А0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬП ИЙ (46) 07.06.91. Бюл. Р 21 (21) 3937402/21 (22) 26.07.85 (72) A.Ì,Мазин, Б.Г.Грибов и Р.А.Родионов, (53) 621.382.002(088.8) (56) Электронная промышленность.

У 8-9, 1980, с,100-102.

Авторское свидетельство СССР

В 1157986, кл, Н 01 L 21/312, 1983. (54) СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ЗАГОТОВКИ

ФОТОШАБЛОНА (57) Изобретение относится к области микрозлектроники. Цель изобретенияповышение качества заготовки за счет улучшения однородности ее поверхности. С забракованных подложек фото(51)5 Н О1 Ь 21 312 G. 03 F 1 00 шаблонов удаляют маскирующий слой и выдерживают их в окислительной среде, после чего подвергают дополнительной обработке в растворе едкого кали в. воде с рН 10 ед с добавкой поверхностно-активного вещества в течение

3 мин при температуре раствора 50ОС.

Затем подложки полируют и наносят на них маскирующий и фоторезистивный слой для Аормирования рисунка фотошаблона методом фотолитографии. Обработка подложек в шелочном растворе с рН 10-12 при 50-73+0 в течение

3-5 мин позволяет улучшить однородность поверхности подложки и повысить качество фотошаблонов.

1 1306402 2

Изобретение относится к Области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении стеклянных заготовок для фотошаблонов.

Цель изобретения — повышение качества заготовки за счет улучшения однородности ее поверхности.

Пример 1. Забракованные па локальным подтравам фотошаблоны с маскирующим слоей окиси железа после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислительной среде подвергают дополнительной выдержке в щелочной среде (раствор едкого кали

КОН в воде с рН 10 и 10 5 ед, и небольшой добавкой поверхностно=активного вещества) в те !ение 3 н, !!Ин соответственно при температуре раствора 50 и 55+6 соответственно. Затем стеклянные подложки подвергают финишному пол>!рованко в течение 10 гчин и далее известным способом изготавли. вают фотошаблоны, т.е. подложки под=

Вергают многоступенчатой, ультразвуковой отмывке и наносят на них маскирующии слой окиси железа с помощь!о пиролитического разложения пентакарбонила железа. После этого подложки вновь отмывают на линии ультразвуко-. вой отмывки, методом центрифугирава ния накосят слой фоторезиста., про-" водят его сушку в термашкафу. Патам с помощью шаблонов с определенной топопогией заготовки экспаниру>от на установке контактного размножения, проводят процессы проявления„ травления, снятия фотарезиста,, промывки и сушки. Контроль качества фоташаб-. лона проводится с помощью оптическаго микроскопа при увеличенич от 200 по 500 крат.

П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото". шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскирующим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель-= ной. Среде дополнительно выдерживают в щелочной среде (раствор едка:":с IaT. ра ИаОН в воде с рН 11 и 11,5 ед. и небольшой добавкой поверхностна=-активного вещества) в течение 4 ыин, при температуре раствора .50 и 55.С соответственно. Затем подложки подвергают финип!ной полировке и изго-тавливают фотошабланы.

Пример 3. Забракованные .Но невытравливаемым точкам фатошаблоны и фатошабланные заготовки, забракованные па проколам, с маскирующим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в акислительной среде дополнительно выдерживают в щелочной среде (раствор ецкого кали КОН в воде) с . рН 12 в те: чение 5 мин при температуре раствора о

l0 С. Затем стеклянные подложки под10 вергают финишной пслировке и изготавливают фотошаблоны.

Мерой повьппения однородности поверхности стекла является снижение!

5 брака по лака.пьным подтравам, проколам и невытравливаемь!м точкам.

Уменьшение рН среды нике 10 ед. не позволяет провести необходимое о0 !!Одт!>авливание стенок пор, образующихся посх!е выдержки в Окислительной среде, и значительно снизить их химическу(о активность, чта приводит к спрбции на них абразивных частиц B

2. 1 процессе полирования. Увеличение рН среды выше 12 ед. приводит к выявлеь!>чо запалиронанных царапин и других -,е фектов B о 3 H икши> на г!Оедь!дущих . гедиях обработки стеклянной sa! o;-.0 топки фоташаблаиа. Уменьшение времени выдержки менее 3 мин не позволяет существе!>но увеличить диаметр пор и снизить их химическую активность.

Увегичение времен .: выдер>кки более

Х

-,- 5 мип не гриводит к дальнейшему рас.. равливанию !» пассивации стенок пор из=.за экранирующега деиствия продуктов вэаимаде!»ствия: компонентов стекла и щелочна среды. Уменьшение тем10 пературы среды ни;ке 50 С существенно снижает эффективность ее воздействия на поверхность стекла и требует увеличения времени выдержки. Увеличение

i / температуры среды выше 70 С приводит ,1 к выявлен!по .заполированных царапин и снижает качества обработки. формула изОбрЕтения

;0 Способ регенерации заготовки фотои!аб>!Она, вк»почающий удаление маскирующего слал с его логеpHHocTH Bb1дер>!,к >f стек,liHHHoé падчОжки в окисли тельной среде с рБ О, 1-0„6 в течение

;5 2-З мин, механическую обработку ее поверхности и последовательное формирование маскируюп зго и фотарезис-;ивнога слоев, отличающийся чем чтор o цель|о повышения качества

Составитель А.Хохлов

Редактор А.Купрякова .> -ЖехредЛ.Олийнык .Корректор И.Пожо

Заказ 2564

Тираж 375 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4

3 1306402 4 заготовки за счет улучшения однород- цолннтельную выдержку подложки в щег ности ее поверхности, перед механи- лочном растворе с рН 10-12 в течение ческой обработкой осуществляют до- 3-5 мин при 50-70 С.