Электролюминесцентная структура
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
РЕСПУБЛИК
01 (И) (59 4 Н 05 В 33 26
J-, 1
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3427349/24-25 (22) 21, 04. 82 (31) 811244 (32) 22, 04 ° 81 (33) FI (46) 30.07.87. Бюл, Ф 28 (71) Ой Лохья АБ (FI) (72) Свен Гуннар Линдфорс (Р?) (53) 621,382 (088,8) (56) Заявка Финляндии Ф .801318, кл, Н 05 В 33/12, 1980, Авторское свидетельство СССР
И- 373906, кл, Н 05 В 33/26, 1973. (54) ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СТРУКТУРА (57) Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано в устройствах визуальной индикации. Цель изобретения — повышение технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя состоящим по крайней мере из двух изолированных одна от другой частей, Электролюминесцентная структура содержит подложку, снабженную прозрачным первым электродным слоем, на котором последовательно расположены первый диэлектрический слой (А120>) толщиной 200-250 нм, люминесцентный слой ZnS:Mn толщиной 300 нм и второй диэлектрический слой.(А1 0 ), аналогичный первому слою диэлектрика.
На поверхности второго диэлектрического слоя расположен тонкий (51 00 нм) сплошной слой резистивного материала из Т102, Тп103, Sn02
Тп Бп„О или углеродной пленки, Пох верх слоя резистивного материала расположены по крайней мере два отдельных электрода второго электродного . слоя, выполненные из пасты, содержащей графитовые частицы, по технологии толстых пленок. Такая конструкция исключает трудоемкую стадию литографии при изготовлении фигурных электродов второго электродного слоя. Все остальные слои структуры изготовлены по методу эпитаксии атомными слоями.
3 siï, ф лы, 1 ил, 1327810
Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано .в устройствах визуальной индикации, Целью изобретения являешься повышение технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя состоящим по крайней мере иэ двух изолированнаtx 1д одна от другой частей.
На чертеже изображена электролюминесцентная структура, поперечное сечение.
Структура содержит подложку ) 15 например, из стекла с нанесенным на нее первым электродным слоем 2 из индий-оловянного окисла (In„Sn„Oz) в виде пленки толщиной 40-50 нм, В структуре, предназначенной для раба- 20 ты на переменном токе, на поверхности первого электродного слоя 2 расположен дополнительный слой 3, представляющий собой пленку изолятора из AlqO толщиной 200-250 нм, На дополнительном слое 3 расположен люминесцентный слой 4 на основе ZnS Ìn в виде пленки, толщина которой примерно равна
300 нм, Поверх люминесцентного слоя
4 расположен второй дополнительный слой 5, аналогичный слою 3, На слое
5 расположен слой резистивного материала 6 толщиной 5-100 нм, Слой 6 может быть выполнен в виде пленки из
TlO > In 0», SnOz, индий-оловянного окисла (In„Sn О ) или из углеродной пленки, На поверхности слоя реэистивного материала 6 расположены электроды 7 и 8 второго электродного слоя, .состоящие из связующего материала и 40 электропроводных частиц и имеющие толщину 40-50 мкм, В структуре, предназначенной для работы на постоянном токе, дополнительный слой 3 выполнен в виде пленки иэ Т10 толщиной примерно 100 нм, а второй дополнительный слой 5 — из титано-танталового окисла с толщиной пленки 200-500 нм. рым электроднъ м слоями в непосредственном контакте с последним,,о т—
45 л и ч а ю щ а я с я тем, чта, с целью повышения технологичности с сохранением равномерности свечения при выполнении второго электродного слоя, состоящего по крайней мере иэ п двух изолированных одна ст другой частей, дополнительный слой резистив- .ного материала выполнен сплошным с толщиной, лежащей в пределах 5-100 нм, и находится в контакте с упомянутыми
55 частями второго электрсдного слоя °
2; Электролюминесцентная структура по п,l, отличающаяся тем, что слой резистивного материала выполнен из Т10, In>0,, или SnO<, Все сплошные слои (2-6) изготовлены по технологии эпитаксии атомными слоями, Форма и расположение индицируемых знаков задается формой и расположением частей 7 и 8 второго электродного слоя, изготавливаемого по технологии толстых пленок из пасты, содержащей графитовые частицы, Изготбвление слоя резистивного ма- териала 6 сплошным повышает технологичность электролюминесцентной структуры, так как при этом отсутствует трудоемкая стадия литографии, Выбор максимальной толщины слоя 6 равной
100 нм обусловлен необходимостью исключения токов между частями 7 и 8
1 второго электродного слоя, расстояние между которыми может составлять
50-100 мкм. Минимальная толщина слоя
6 (5 нм) выбирается из условия получения достаточной величины сопротивления между точечными контактами второго электродного слоя и соответствующими участками люминесцейтно- го слоя 4 для выравнивания плотностей тока через эти участки, чта обеспечивает равномерность их свечения.
Сопротивление слоя 6 также ограничивает ток в случае электролюминесцентной структуры постоянного тока, Формула изобретения
1, Электролюминесцентная структура, содержащая падло>кку, первый электродный слой, нанесенный на подложку, второй электродный слой, расположенный на расстоянии ат первого электродного слоя и состоящий из связующего и проводящих частиц, люминесцентный слой, расположенный между первым и вторым электродными слоями, па крайней мере один дополнительный слой для ограничения така и/или химичес- кой защиты, расположенный между электродным и люминесцентными слоями, слой резистивного материала, распо-, ложенный между люминесцентным и втоз 132 7810
3. Электролюминесцентная структу- . ра по п.l, о т л и ч а ю .щ а я с я тем, что слой резистивного материала выполнен из индий-оловянного окисла
1п„Sn 0 z, 4. Электролюминесцентная структура,,по п.1, отличающаяся тем, что слой резистивного ма-.
5 териала выполнен из углеродной пленки.
Ф с
° °
Составитель В. Прибытков
Редактор Л, Веселовская
Корректор А.Зимокосов
Техред Л.Сердюкова
Заказ 3396/59 Тираж 801
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4
