Двухканальный формирователь тока для доменной памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности формирователя тока. Устройство содержит четыре шины 1-4 управления , два разнополярных источника 5 и 6 питания, два источника 7 и 8 магнитного поля враш.ения микросхемы, включенных в два одинаковых канала формирования тока. Каждый канал содержит два управляемых основных ключа 9-12, два диода 13-16 рекуперации энергии, два дополнительных ключа 17-20 и два дополнительных разнополярных источника 21-24 питания. В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости , эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсного включения транзисторов. 2 з. п. ф-лы, 4 ил. 1 (Л оо со О5 Риг.1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1336104 (59 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21 ) 3994359/24-24 (22) 20. 12.85 (46) 07.09.87. Бюл. № 33 (72) В. С. Клейменов, В. Д. Кобыляков и И. Ф. Наумов (53) 681.327.6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 478427, кл. G 11 С 11/14, !970.

Авторское свидетельство СССР № 1065885, кл. G 11 С 11/14, 1982. (54) ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТОКА ДЛЯ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ ЦМД) . Целью изобретения является повышение надежности формирователя тока.

Устройство содержит четыре шины 1 — 4 управления, два разнополярных источника 5 и 6 питания, два источника 7 и 8 магнитного поля вращения микросхемы, включенных в два одинаковых канала формирования тока. Каждый канал содержит два управляемых основных ключа 9 — 12, два диода 13 — 16 рекуперации энергии, два дополнительных ключа 17 — 20 и два дополнительных разнополярных источника 21 — 24 питания. В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсного включения транзисторов. 2 з. п. ф-лы, 4 ил.

1336104

Формула изобретения

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (. У U ME1 ) .

Цель изобретения — повышение надеж ности формирователя тока.

На фиг, 1 и 2 представлены блок-схемы формирователя тока; на фиг. 3 и 4 графики работы.

Двухканальный формирователь тока для доменной памяти содержит четыре шины ! — 4 управления, два разнополярных источника 5 и 6 питания, два источника 7 и 8 магнитного поля вращения микросхемы, включенных в два одинаковых канала формирования тока. Каждый канал содержит два управляемых основных ключа 9 — 12, два диода 13 — 16 рекуперации энергии, два дополнительных ключа 17 — 20 и два дополнительных разнополярных источника 21 — 24 питания. В каждом канале формирования тока два управляемых основных ключа соединены последовательно и подключены к двум основным разнополярным источникам питания, образовав при этом мостовую схему.

В диагональ мостовой схемы между точками соединения ключей 9 — 12 и источников 5 и 6 питания подключен источник 7 и 8 магнитного поля вращения микросхемы. К точке соединения ключей с источником магнитного поля вращения подключены анод первого 13, 15 и катод второго 14, 16 диодов через дополнительные ключи 17 — 20 к двум разнополярным дополнительным источникам 21 — 24 питания. Управляющие входы основных ключей 9 — 12 подключены к четным 2,4 (нечетным 1,3) шинам управления, а управляющие входы дополнительных ключей 17 — 20 подключены к нечетным 1,3 (четным 2,4) шинам управления.

Двухканальный формирователь тока для доменной памяти работает следующим образом.

Для формирования пространственного вращения вектора магнитного поля период формирования разбивают на четыре равных части. Каждый сигнал управления поступает по своей шине управления, как показано на эпюрах сигналов (фиг. 3). При поступлении разрешающего сигнала по шине 2 управления на вход управления ключа 9 источник 7 магнитного поля вращения микросхемы подключается к источнику 5 питания и происходит накопление энергии, сопровождающееся нарастанием сигнала (кривая 7, фиг. 3). В следующую четверть периода основной ключ 9 запирается, но сигнал управления по шине 3 поступает на вход дополнительного ключа 18, который открывается. При отключении источника магнитного поля вращения от источника 5 питания на его выходных выводах возникает ЭДС противоиндукции. Величина этой ЭДС больше напряжения дополнитель10

55 ного источника 22 питания на величину открывания диода 14 рекуперации энергии и падения напряжения на открытом ключе 18.

В источнике магнитного поля вращения микросхемы формируется спадающий сигнал, обусловленный разрядом энергии. Скорость изменения спадающего сигнала характеризуется величиной энергии и постоянной времени индуктивного и активного сопротивлений цепи разряда, определяемой соотношением. Постоянная времени цепи разряда не меняется, а затраты энергии с изменением величины напряжения дополнительного источника питания меняются, при этом изменяется скорость изменения спадающего сигнала. На графике (фиг. 4) показано, что при изменении величины напряжения питания дополнительного источника от UI до U3 скорость изменения спадающего сигнала (кривая 27) увеличивается (кривая 28) и достигает максимума (кривая 29) при напряжении дополнительного источника питания 173, равном напряжению источника 6 питания основного ключа.

На кривой формируемого тока наблюдается ступенька (кривая 25, фиг. 3), обусловленная максимальной скоростью разряда. В случае, если U1=0, скорость разряда уменьшается и на кривой формируемого тока наблюдается обратный перегиб (кривая 26) . Выбирая величину напряжения дополнительного источника питания, устраняют нелинейность при формировании тока в источнике магнитного поля вращения (кривые 7 и 8).

В третью четверть сигнал управления по шине 4 открывает основной ключ 10, а остальные ключи закрыты. Источник 7 магнитного поля вращения подключается к источнику 6 питания и происходит накопление энергии. В последнюю четверть периода открывается ключ 17 и через диод 13 и ключ 17 осуществляется разряд энергии.

В дальнейшем процессы формирования тока повторяются. Формирование тока во втором источнике магнитного поля вращения происходит аналогично с учетом того, что сигналы управления сдвинуты на четверть периода для обеспечения вращения вектора магнитного поля.

В качестве дополнительных ключей используются транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых подключены к дополнительным источникам питания инверсного включения транзисторов.

1. Двухканальный формирователь тока для доменной памяти, каждый канал которого содержит два последовательно соединенных управляемых ключа, управляющие входы которых являются входами разрешения записи формирователя тока, выход одного ключа соединен с источником питания отри! Т31! 1) 4

2

3 и! иг

Составитель В. Гордонова

Редактор А. Козориз Техред И. Верес Корректор Л. Обручар

Заказ 3809149 Тираж 589 Подписное

ВНИИП14 Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4i5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 цательной полярности, выхол другого — с источником питания положительной полярности, источник магнитного поля в виде катушки индуктивности и лва буферных элемента на диодах, анод первого и катод второго которых подключены к точке соединения управляемых ключей и одному выводу катушки индуктивности, второй вывод которой подключен к шине нулевого потенциала формирователя тока, отличающийс<1 тем, что, с целью повышения надежности формирователя тока, он содержит в каждом канале два дополнительных управляемых ключа 1! два дополнительных p33H0110ëÿðных источника питания, выходы дополнительных управляемых ключей подключены соответственно к катоду первого и анолу второго лнолов, вхолы лопол ительных управляемых ключей полключены к соот— ветствующему выволх лополнптел1ного источника питания, а x IlpBI31HIolll lie вхолы 10полнительных управляемых кл1очей полключены к соответствующим управляющим входам связанныx с ними управляемых кл1очей.

2. Формирователь тока по п. l, от.1ичаюи4иися тем, что дополнительные управляемые ключи выполнены на транзисторах разной проводимости.

3. Формирователь тока по п. !. оглииаюи4ийся тем, что напряжение лополнительHblx разнополярных источников питания нз15 меняется от нуля ло напряжения питания управляеilblx ключей.

Двухканальный формирователь тока для доменной памяти Двухканальный формирователь тока для доменной памяти Двухканальный формирователь тока для доменной памяти 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (НМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис-

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств обработки информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вьгчислительной технике и может быть использовано при построении запоминанщих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх