Способ создания тестовых моп-структур
Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в 
-кристобалит.
Похожие патенты:
Изобретение относится к области исследования материалов оптическими методами и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых в электронной технике
Изобретение относится к механическим испытаниям, а именно к способам контроля долг-овечности полупр оводниковьгх материалов и элементоп на их основе, и может быть использовано для оценки долговечности полупроводниковых кристаллов в микроэлектронных изделиях
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров легирования полупроводников Целью изобретения является неразрушак)- щее определение параметров объемного легирования полупроводника - концентрации основной легируницей примеси, степени ее компенсации и энергии активации
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения потенциалов на границах раздела в полупроводниковых структурах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для сор.тировки поликристаплических корундовых подложек, предназначенных для изготовления СВЧ- устройств
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и материаловедения и может быть использовано для определения подвижности носителей заряда в металлах, вырожденных полупроводниках, структурах металлдиэлектрик-полупроводник , гетеропереходах , бикристаллах и других действующих устройствах электронной техники
Изобретение относится к метрологии полупроводниковых приборов,, в частности к способам определения параметров МДП-транзисторов
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковому приборостроению
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
