Способ получения сверхпроводящего композиционного материала
Способ получения сверхпроводящего композиционного материала на основе Nb3Al0,8Ge0,2, включающий воздействие высокого давления и температуры на предварительно спрессованные смеси из порошкообразных компонентов с последующим снижением температуры до комнатной и давления до нормального, отличающийся тем, что, с целью повышения пластичности и механической прочности, в смесь дополнительно водят порошок меди и воздействуют давлением 15 - 25 
105 кПа и температурой в интервале 1000 - 1150oC в течение 30 - 60 с, причем охлаждение ведут со скоростью 30 - 40 град/с, а компоненты берут в виде грубодисперсных порошков в соотношении, мас.%: Nb3Al0,8Ge0,2 - 30 - 35 Медь - 65 - 70
Похожие патенты:
Изобретение относится к электрохимической обработке сверхпроводящих (СП) резонаторов, изготовленных из СП материала с большим содержанием примесей переходных металлов (Та, W, Мо)
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
