Раствор для травления изделий из меди

 

Изобретение относится к химической обработке металлов, в частности к очистке меди путем травления, и может быть использовано в радиоэлектронной промьшшенности. Цель изобретения - снижение бокового подтравливания и улучшение качества.изделий. Готовят травящий раствор для очистки, содержащий, м/л: хлорид меди (И) 0,75-1,0; хлорид натрия 1,0-1,5; ацетон . 6,0-9,5. Обработку в растворе проводят при 25°С в течение 30 с. Очистка в данном растворе позволяет снизить подтравливание кромки медных проводников и обеспечивает более равномерную очистку поверхности при травлении. 1 табл. § (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (19) (11) (1) 4 С 23 F 1/18

ВСГСоючнj g

1З |З

ВИБЛИОТЕМА

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2! ) 3875345/31-02 (22) 01.04.85 (46) 30.09.87. Вюл У 36 (71) Харьковский государственный университет им. А. M. Горького (72) Э. Б, Хоботова, С. Д, Горобец, В. И. Ларин и Д. Н. Грицан (53) 621.794.42(088.8) (56) РЖ, Химия, 1963, 1(- 3, реф.

ФЗЛ189.

Заявка ФРГ N -2942504, кл. С 23 F 1/00, 1981. (54 ) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ

ИЗ МЕДИ (57) Изобретение относится к химической обработке металлов, в частности к очистке меди путем травления, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности. Цель изобре тения — снижение бокового подтравливания и улучшение качества, изделий.

Готовят травящий раствор для очистки, содержащий, м/л: хлорид меди (II)

0,75-1,0; хлорид натрия 1,0-1,5; ацетон 6,0-9,5, Обработку в растворе проводят при 25 С в течение 30 с.

Очистка в данном растворе позволяет снизить подтравливание кромки медных проводников и обеспечивает более равномерную очистку поверхности при травлении. 1 табл.

С:

13412

Скорость травления меди равнялась (кг/м с) в первом случае 42,0 1О (Изобретение относится к химической обработке металлов, в частности к очистке меди путем травления, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности.

Цель изобретения — снижение боковога подтравливания и улучшение качества иэделий.

Пример. Травильный раствор 10 готовили смешением компонентов в мерной колбе при комнатной температуре, Затем брали 40 стеклянных подложек, выполненных из полированного оптического борсиликатного стекла марки К-8.

Методом напыления в вакууме (давление

5 10 мм рт.ст,) на подложки наноси— ли пленку хрома толщиной О,! и меди

0,6 мкм. На металлизированные поцложки центрифугированием наносили защит- 20 ный негативный фоторезист ФН-11, За— тем пластины подготавливали к травлению. Травление пластин производили в растворах следующего состава, м/л:

СиС1 1...0 2б

NaC1 1,,5

Ацетон ((СНз ) СО) 7„0

Вода дa

Температура опыта 25 С. Время травления слоя меди составило 30 с. При ЗР этом не наблюдалось подтравливания кромки медных проводников под .защитные слои. Поверхность чистая, без следов шлама, Скорость травления определялась гравиметрически по убыли массы дисковых электродов с площадью рабочей поверхности 0,64 см, изготовленных

2 из меди марки М вЂ” 99 за определенный интервал времени при 25 С в условиях 40 интенсивного перемешивания растворов.

Были пригОтовлены водные растворы следующих составов, м/л:

1) СиС1 1,0

МаС1 1,5 45 (СНз ) СС 9 5

2) СиС1 0,75

NaC1 1,,0 (СН, СО 6 „0

3) СиС1 0,9

NaC1 . 1„5 (СН ) СО 6,9

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я

Раствор для травления иэделий из меди, содержащий хлорид меди (II), хлорид щелочного металла, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения бокового подтравливания и улучшения качества изделий, он дополнительно содержит ацетон, а в качестве хлорида щелочного металла — хлорид натрия при следуюшем соотношении ком— понентов, м/л:

Хлорид меди (II)

Хлорид натрия

Ацетон

0,75- 1,0

1,0 — 1,5

6,0 — 9 5

43

2 (максималь ное значение ), во втором

20, 7 10 (минимальное значение), в третьем — 31, 8 1О (промежуточное значение), Качество травления меди во всех случаях было высокое. Поверхность меди чиста, без следов шлама, не наблюдалось образования V-образного профиля на кромке медных проводников °

Использование травильного раствора, в котором концентрации компоненТоВ не укладываются в указанные пределы, нецелесообразно, так как при малом содержании СиС1, ИаС1 и (СН ) CO скорость травления будет очень низка до 4,8 10 кг/м . с, а

-4 2 при большем содержании компонентов не наблюдается улучшения качества поверхности. Результаты сравнительных испытаний травления в предлагаемом и известном растворах приведены в таблице.

Уменьшение подтравливания по сравнению с обработкой известными растворами составляет 60-707..

Предлагаемый раствор при очистке, как показали испытания позволяет повысить эффективно=ть процесса травления меди в результате увеличения скорости процесса„ уменьшить подтравливание кромки медных проводников, облегчает контроль и регулировку процесса травления, так как исключается необходимость корректировки состава травильного раствора по компонентам °

Использование растворов предлагаемо— го состава обеспечивает равномерное травление образцов при очистке.

1341243

Состав раствора, м/л

Скорость травления меди кг/м с

Количество обработанной поверхности

При 25 С При 35 С

Известный 1

22,8 10

120 10

Известный 2

55 ° 10 64 10

Предлагаемый

42 10

61 10

Составитель В. Олейниченко

Редактор Ю. Середа Техред И.Попович Корректор И. Эрдейи

Заказ 4405/33

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

СиС1 1,47

КС1 3,35

СиС1 1, 56

КС1 2, 15

СиС1 -1,0

NaC1 -1,5 (СН )а СО -8 5

При изготовлении печатных плат и микросхем наблюдается большое боковое подтравливание. Наблюдаются разрывы и протравы в схемах печатных плат

Качество печатных плат и микросхем хорошее °

Боковое подтравливание незначительное

Тираж 936 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35; Раушская наб., д. 4/5