Раствор для анодирования кадмиевых покрытий
Изобретение относится к анодированию кадмиевых покрытий,в частности к получению покрытий с полупроводниковыми свойствами, и может найти применение при изготовле нии фотохимических преобразователей света. Цель изобретения - получение покрытий с полупроводниковыми свойствами. Анодирование ведут при плотности тока 0,1-50 А/дм и температуре 16- 40 С в течение З-бОО с.. Раствор содержит , г/л: гидроокись калия 250 - 450; карбонат натрия 100-200; сульфид натрия 20-150. Раствор по изобретению позволяет получить покрытие с ярко вьфаженными полупроводниковыми свойствами, ширина запрещенной зоны составляет 1,24-1,39 эВ. 1 табл. с (Л с со 4; 4 00
C0IO3 СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (58 4 С 25 D 11/34
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3740238/31-02 (22) 14.05.84 (46) 15.10.87. Бюл. У 38 (7 1) Курганский машиностроительный институт (72) А.Г. Рябухин и Ю.А. Семенов (53) 621.357.8(088.8) (56) Вайнер Я.В. и др. Технология электрохимических покрытий., Л.: Машиностроение, 1972, с. 358.
Грилихес С.Я. Оксидные и фосфатные покрытия металлов. Л.: 1978, с. 78.
Л0 1344819 А1.(54) РАСТВОР ДЛЯ АНОДИРОВАНИЯ КАДМИEBbIX ПОКРЫТИЙ (57) Изобретение относится к анодированию кадмиевых покрытий,в частности к получению покрытий с полупроводниковыми свойствами, и может найти применение при изготовлении фотохимических преобразователей света.
Цель изобретения — получение покрытий с полупроводниковыми свойствами.
Анодирование ведут при плотности тока 0,1-50 А/дм и температуре 1640с С в течение 3-600 с Раствор содержит, г/л: гидроокись калия 250
450; карбонат натрия 100-200; сульфид натрия 20-150. Раствор по изоб- с ф ретению позволяет получить покрытие с ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, ширина запрещенной эоны составляет 1,24-1,39 эВ. 1 табл. С
1344819
Изобретение относится к анодированию кадмиевых покрытий и может быть применено при изготовлении фотохимических преобразователей света.
IJenx изобретения - получение покрытий с полупроводниковыми свойствами.
Процесс анодирования ведут при плотности тока 0,1-50 А/дм и температуре 16-40 С в течение 3-600 с. В качестве катода используют нержавеющую сталь, никель или титан.
При уменьшении концентрации гидроокиси кали ниже 250 г/л на пленке появляются рыхлые белые пятна,содер-жащие бксид кадмия. Увеличение концейтрации свьппе 450 г/л не обеспечивает преимуществ и приводит к возрастанию затрат на процесс анодирования.
Концентрация карбоната натрия ниже
100 г/л не позволяет получить плотную гладкую светло-желтую пленку„ распределенную равномерно по всей поверхности иэделия. Увеличение концентрации свьппе 200 г/л экономически нецелесообразно.
При уменьшении концентрации сульфида натрия ниже 20 г/л затрудне-. но получение равномерно окрашенного пленочного покрытия на всей поверхности изделия. Увеличение концентрации выше 150 г/л ведет к возрастанию энергетических натрат.
Электролит готовят следующим образом.
В воде сначала растворяют гидроокись калия, затем карбонат натрия.
К полученному раствору добавляют при перемешивании сульфид натрия.
Корректирование раствора произ. водят по мере срабатывания составляющих компонентов.
Кадмированные стальные изделия с толщиной покрытия 12-18 мкм анодировали в предлагаемом электролите при плотности тока 1 A/äì2 и температуре
18 С в течение 10 мин. Затем изделия промывали в.холодной воде и сушили при 60-70 С в течение 20-30 мин. После обработки получали гладкие покрытия, хорошо сцепленные с основой.
Изобретение иллюстрируется примерами, представленными в таблице.
О полупроводниковых свойствах покрытий свидетельствуют данные о ширине запрещенной эоны полученных пленок: чем уже запрещенная эона, тем ярче выражены полупроводниковые свойства соединений.
Как видно из представленных данных, электролит-прототип позволяет осаждать покрытия, являющиеся изоляторами. Иэ электролита-аналога осаждают покрытия, обладающие слабо выраженными полупроводниковыми свойствами.
Предлагаемый электролит позволяет получать покрытия с ярко выраженными полупроводниковыми свойствами. Умень-, шение ширины запрещенной зоны связано с наличием в составе полученных покрытий ориентированных кристаллов
CdS и Cd(OE1)g .
Покрытия, полученные из известных растворов, состоят из хаотично ориентированных кристаллов, состоящих из CdS u CdO которые не могут быть использованы для создания полупроводниковых элементов с эффектами
"тунельного перехода".
Изобретение может найти применение при создании фотохимических преобразователей света. Так КПД фотохимичес« кого преобразователя света при ис-., 35 пользовании полученных согласно изобретению покрытий составляет 18Х. При использовании известных покрытий КПД составляет 13Х.
Формула из обретения
Раствор для анодирования кадмие.вых покрытий, содержащий гидроокись калия и карбонат натрия, о т л и—
45 ч а ю щ и и с.я тем, что, с целью получения покрытий с полупроводниковыми свойствами, он дополнительно содержит сульфид натрия при следующем соотношении компонентов, г/л:
Гидроокись калия 250-450
Карбонат натрия 100-200
Сульфид натрия 20-150
1344819
При- Состав электролита, г/л мер
Ширина запрещенной зоны, эВ
1 KOH 25; Na Na 1,41 5 Na 1,38 Na CO 150 6 Na Na 1,26 7 Na Na 1,24 8 Na Na CO 150 1,27 Составитель Ю. Поздеева Техред М Дцдык Редактор Н. Киштулинец Корректор Л. Патай Тираж 612 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 4890/29 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 2 Иа Б 10 (аналог) Na 2,А1 Пленка обладает слабо выражен2;39 ными полупроводниковыми свойствами
