Бетатрон
Бетатрон, содержащий тиристорную мостовую схему с накопительным конденсатором в диагонали переменного тока, обмотку электромагнита в диагонали постоянного тока, первым выводом подключенную к катодам тиристоров, источник синусоидального напряжения, фазоимпульсный блок, выходы которого подключены к управляющим электродам тиристоров, а вход подключен параллельно входу источника синусоидального напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, в него введена диодная мостовая схема, в диагональ переменного тока которой включены выводы источника синусоидального тока, точка соединения анодов диодов подключена к второму выводу обмотки электромагнита, а общая точка катодов диодов подключена к общей точке анодов тиристоров.
Похожие патенты:
Источник многозарядных ионов // 1292556
Высокочастотная система микротрона // 1176819
Способ накопления пучка заряженных частиц // 1132784
Циклотрон // 1114317
Источник электромагнитного излучения // 1113002
Изобретение относится к лазерной технике
Изобретение относится к лазерной технике
Изобретение относится к лазерам гамма-излучения и технике формирования мощных когерентных электронных пучков
Микротрон // 2157600
Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при создании сильноточных циклических СВЧ ускорителей электронов-микротронов
Способ ускорения заряженных частиц // 2166844
Изобретение относится к ускорительной технике, в частности к протонным синхротронам
Изобретение относится к ускорительной технике
Изобретение относится к ускорительной технике
Ионный источник // 2176133
Изобретение относится к ионным источникам для циклотронов (внутренним, закрытого типа) и может использоваться в циклотронной технике
Инфлектор // 2179379
Изобретение относится к инфлекторам для систем аксиальной инжекции для циклотронов, к классу инфлекторов, в которых осевая частица пучка движется по электрической эквипотенциальной поверхности, и может использоваться в циклотронной технике
Инфлектор // 2179379
Изобретение относится к инфлекторам для систем аксиальной инжекции для циклотронов, к классу инфлекторов, в которых осевая частица пучка движется по электрической эквипотенциальной поверхности, и может использоваться в циклотронной технике