Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов
Способ получения монокристаллов иодидов щелочных металлов, включающий загрузку исходного материала в ампулу, его дегидратацию в вакууме, плавление и направленную кристаллизацию в присутствии добавки таллия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости монокристаллов при сохранении оптимальной концентрации рабочих центров, в исходный материал дополнительно вводят иодистый аммоний в количестве 0,1 - 0,5 мас.%.
Похожие патенты:
Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений
Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров
Способ очистки дийодида ртути // 1028006
Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений
Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности
Способ выращивания кристаллов селенида цинка // 1157889
Способ получения соединения cs3sb // 1069457
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6