Устройство для вакуумно-плазменного травления

Авторы патента:

H05H1 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены на магнитопроводе и выполнены из электропроводящего немагнитного материала.

Способ определения заряда мелкодисперсных частиц // 1369659

Способ создания плазмы в электромагнитной ловушке // 1365377

Изобретение относится к физике плазмы

Устройство для регулирования интенсивности потока выводимых частиц при медленном выводе пучка из синхротрона // 1362388

Изобретение относится к ускорительной технике

Плазменный диод // 1362343

Изобретение относится к сильноточной электронике

Бетатрон // 1360567

Электромагнит бетатрона // 1360566

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при разработке бетатронов повышенной интенсивности, используемых в радиальной технологии

Вакуумный эрозионный плазменный ускоритель // 1358114

Изобретение относится к генераторам и ускорителям плазмы.эрозионного типа и может быть использовано в физических исследованиях и технологических процессах нанесения покрытий

Способ определения температуры плазмы // 1358113

Изобретение относится к области диагностики высокотемпературной плазмы

Коаксиальный стационарный плазменный ускоритель // 1356948

Изобретение относится к области плазменных ускорителей и может быть использовано для получения потоков плазмы высокой энергии

Детектор короткопробежных заряженных частиц и способ его изготовления // 1371475

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ядерных излучений

Устройство для герметизации полупроводниковых приборов в плоских корпусах // 1371462

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, и может быть использовано для герметизации этих преобразователей и других полупроводниковых приборов в плоских корпусах

Способ создания тонких слоев оксида кремния // 1371456

Способ изготовления интегральных транзисторов // 1371445

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции

Устройство для измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках // 1370683

Изобретение относится к полупроводниковой технике, предназначено для измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых приборов

Устройство для герметизации радиодеталей с аксиальными выводами // 1370682

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры // 1369598

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия // 1369593

Способ изготовления транзисторных структур // 1369592

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных приборов и интегральных микросхем на их основе

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1364154

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870